技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種a軸取向增強(qiáng)型AlN薄膜及其制備方法，屬于電子信息功能材料與器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用如下制備方法：采用n型的Si(100)襯底，將其放入磁控濺射系統(tǒng)腔室中進(jìn)行真空處理后，采用不同磁控濺射工藝并結(jié)合退火處理，首先制備a軸取向AlN緩沖層，然后在此基礎(chǔ)上擇優(yōu)取向生長AlN薄膜，由于二者晶格匹配度高，從而改善了AlN薄膜的生長質(zhì)量，降低其表面粗糙度，進(jìn)而有利于提高AlN薄膜的壓電效應(yīng)并降低聲表面波的傳播損耗；本發(fā)明制備過程中操作簡單易行，環(huán)保節(jié)能，原材料供應(yīng)充足且價(jià)格低廉，批量化生產(chǎn)工藝可調(diào)控，便于批量生產(chǎn)及應(yīng)用推廣，適合于制作現(xiàn)代通信技術(shù)中高性能通信元器件。

技術(shù)研發(fā)人員：楊成韜;牛東偉;唐佳琳;胡現(xiàn)偉;泰智薇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610633215
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.04
技術(shù)公布日：2016.12.21