本發(fā)明涉及PVD裝飾鍍膜技術領域，特別地，涉及一種不銹鋼AF涂層工藝。
背景技術：
傳統(tǒng)PVD涂層不具備防水、防指紋的效果，通過人工手動噴AF油的方法，能夠起到很好的防水、防指紋效果，由于噴油的方法涂層太厚（10-15um），改變了貨品的外觀，導致外觀沙啞，人工成本非常高，成品率低。本發(fā)明所述的AF涂層，PVD后在其表面沉積AF涂層，起到防水防指紋，去除污漬方便的效果，提高了裝飾涂層的實用性。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明目的在于提供一種不銹鋼AF（AF：Anti fingerprint，防指紋）涂層工藝，以解決技術問題。
一種不銹鋼AF涂層工藝，包括以下步驟：
步驟一：將不銹鋼基材先在磁控濺射設備上用磁控濺射的方法沉積PVD涂層；
步驟二：用AF鍍膜機進行輝光清洗；
步驟三：沉積氧化鋁和二氧化硅，形成過渡層；
步驟四：沉積AF膜；
步驟五：冷卻出爐。
優(yōu)選的，所述的沉積PVD涂層的參數(shù)如下：時間為3-5小時；真空度為0.5Pa；氣體采用氬氣和乙炔，氬氣的體積流量為100sccm，乙炔的體積流量為100-1000sccm；偏壓為80-150V；光柵為85度。
優(yōu)選的，所述的步驟一的操作流程為：抽真空到5*10-3Pa，沖入氬氣100sccm，真空度上升到0.5Pa，啟動偏壓電源，設定偏壓為80-150V，靶功率為10-20KW，沖入乙炔100-1000sccm，時長3-5小時。
優(yōu)選的，所述的輝光清洗的參數(shù)如下：時間為3-10分鐘；真空度為2.1Pa；氣體采用氬氣，體積流量為1000sccm；偏壓功率為1KW；光柵為85度。
優(yōu)選的，所述的步驟二的操作流程為：關高閥1，進入鍍膜系統(tǒng)，沖入氬氣1000sccm，啟動偏壓電源，設定偏壓功率為1KW，時長3-10分鐘。
優(yōu)選的，所述的沉積氧化鋁的參數(shù)為：時間為3-10分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
優(yōu)選的，所述的沉積氧化鋁的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開鋁靶機電源，設定靶電源功率為0.5-2KW，時長3-10分鐘。
優(yōu)選的，所述的沉積二氧化硅的參數(shù)為：時間為1-5分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
優(yōu)選的，所述的沉積二氧化硅的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開硅靶機電源，設定靶電源功率為0.5-2KW，時長1-5分鐘。
優(yōu)選的，所述的沉積AF膜的參數(shù)為：時間為10-20分鐘；真空度為7*10-3Pa以下；不充氣；光柵為0度。
優(yōu)選的，所述的沉積AF膜的步驟為：調整光柵角度為0度，設定蒸發(fā)電源電壓為1-5V，時長為10-20分鐘。
本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明的不銹鋼AF涂層工藝，采用PVD、輝光清洗、氧化鋁沉積、二氧化硅沉積和AF透明膜沉積的步驟進行，在PVD鍍層表面上形成防止污染和指紋的鍍膜層，具有防止水和油的浸透，撥水撥油層保護產品的作用，除污染方便；表面光滑，不改變PVD后的原色，人工成本是原工藝的十分之一。
除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點。下面將對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
具體實施方式
以下對本發(fā)明的實施例進行詳細說明，但是本發(fā)明可以根據(jù)權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。
實施例1
一種不銹鋼AF涂層工藝，包括以下步驟：
步驟一：將不銹鋼基材先在磁控濺射設備上用磁控濺射的方法沉積PVD涂層；
步驟二：用AF鍍膜機進行輝光清洗；
步驟三：沉積氧化鋁和二氧化硅，形成過渡層；
步驟四：沉積AF膜；
步驟五：冷卻出爐。
所述的沉積PVD涂層的參數(shù)如下：時間為4小時；真空度為0.5Pa；氣體采用氬氣和乙炔，氬氣的體積流量為100sccm，乙炔的體積流量為100-1000sccm；偏壓為120V；光柵為85度。
所述的PVD涂層為TiC涂層。
所述的步驟一的操作流程為：抽真空到5*10-3Pa，沖入氬氣100sccm，真空度上升到0.5Pa，啟動偏壓電源，設定偏壓為120V，靶功率為15KW，沖入乙炔100-1000sccm，時長4小時。
所述的輝光清洗的參數(shù)如下：時間為7分鐘；真空度為2.1Pa；氣體采用氬氣，體積流量為1000sccm；偏壓功率為1KW；光柵為85度。
所述的步驟二的操作流程為：關高閥1，進入鍍膜系統(tǒng)，沖入氬氣1000sccm，啟動偏壓電源，設定偏壓功率為1KW，時長7分鐘。
所述的沉積氧化鋁的參數(shù)為：時間為7分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
所述的沉積氧化鋁的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開鋁靶機電源，設定靶電源功率為1.2KW，時長7分鐘。
所述的沉積二氧化硅的參數(shù)為：時間為2分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
所述的沉積二氧化硅的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開硅靶機電源，設定靶電源功率為1KW，時長2分鐘。
所述的沉積AF膜的參數(shù)為：時間為15分鐘；真空度為7*10-3Pa以下；不充氣；光柵為0度。
所述的沉積AF膜的步驟為：調整光柵角度為0度，設定蒸發(fā)電源電壓為3V，時長為18分鐘。
實施例2
一種不銹鋼AF涂層工藝，包括以下步驟：
步驟一：將不銹鋼基材先在磁控濺射設備上用磁控濺射的方法沉積PVD涂層；
步驟二：用AF鍍膜機進行輝光清洗；
步驟三：沉積氧化鋁和二氧化硅，形成過渡層；
步驟四：沉積AF膜；
步驟五：冷卻出爐。
所述的沉積PVD涂層的參數(shù)如下：時間為5小時；真空度為0.5Pa；氣體采用氬氣和乙炔，氬氣的體積流量為100sccm，乙炔的體積流量為100-1000sccm；偏壓為150V；光柵為85度。
所述的PVD涂層為TiC涂層。
所述的步驟一的操作流程為：抽真空到5*10-3Pa，沖入氬氣100sccm，真空度上升到0.5Pa，啟動偏壓電源，設定偏壓為150V，靶功率為20KW，沖入乙炔100-1000sccm，時長5小時。
所述的輝光清洗的參數(shù)如下：時間為3分鐘；真空度為2.1Pa；氣體采用氬氣，體積流量為1000sccm；偏壓功率為1KW；光柵為85度。
所述的步驟二的操作流程為：關高閥1，進入鍍膜系統(tǒng)，沖入氬氣1000sccm，啟動偏壓電源，設定偏壓功率為1KW，時長3分鐘。
所述的沉積氧化鋁的參數(shù)為：時間為10分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
所述的沉積氧化鋁的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開鋁靶機電源，設定靶電源功率為2KW，時長3-10分鐘。
所述的沉積二氧化硅的參數(shù)為：時間為1分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
所述的沉積二氧化硅的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開硅靶機電源，設定靶電源功率為0.5KW，時長1分鐘。
所述的沉積AF膜的參數(shù)為：時間為20分鐘；真空度為7*10-3Pa以下；不充氣；光柵為0度。
所述的沉積AF膜的步驟為：調整光柵角度為0度，設定蒸發(fā)電源電壓為5V，時長為20分鐘。
實施例3
一種不銹鋼AF涂層工藝，包括以下步驟：
步驟一：將不銹鋼基材先在磁控濺射設備上用磁控濺射的方法沉積PVD涂層；
步驟二：用AF鍍膜機進行輝光清洗；
步驟三：沉積氧化鋁和二氧化硅，形成過渡層；
步驟四：沉積AF膜；
步驟五：冷卻出爐。
所述的沉積PVD涂層的參數(shù)如下：時間為3小時；真空度為0.5Pa；氣體采用氬氣和乙炔，氬氣的體積流量為100sccm，乙炔的體積流量為100-1000sccm；偏壓為80-150V；光柵為85度。
所述的PVD涂層為TiN涂層。
所述的步驟一的操作流程為：抽真空到5*10-3Pa，沖入氬氣100sccm，真空度上升到0.5Pa，啟動偏壓電源，設定偏壓為80-150V，靶功率為10-20KW，沖入乙炔100-1000sccm，時長3小時。
所述的輝光清洗的參數(shù)如下：時間為10分鐘；真空度為2.1Pa；氣體采用氬氣，體積流量為1000sccm；偏壓功率為1KW；光柵為85度。
所述的步驟二的操作流程為：關高閥1，進入鍍膜系統(tǒng)，沖入氬氣1000sccm，啟動偏壓電源，設定偏壓功率為1KW，時長10分鐘。
所述的沉積氧化鋁的參數(shù)為：時間為3分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
所述的沉積氧化鋁的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開鋁靶機電源，設定靶電源功率為0.5KW，時長3分鐘。
所述的沉積二氧化硅的參數(shù)為：時間為5分鐘；真空度為0.41Pa；氣體采用氬氣和氧氣，氬氣的體積流量為60sccm，氧氣的體積流量為330sccm；光柵為85度。
所述的沉積二氧化硅的步驟為：開高閥1，沖入氬氣60sccm，氧氣330sccm，開硅靶機電源，設定靶電源功率為2KW，時長5分鐘。
所述的沉積AF膜的參數(shù)為：時間為10分鐘；真空度為7*10-3Pa以下；不充氣；光柵為0度。
所述的沉積AF膜的步驟為：調整光柵角度為0度，設定蒸發(fā)電源電壓為1V，時長為10分鐘。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。