1.一種藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜，在陽(yáng)光下呈藍(lán)綠色，其特征在于，所述窗膜的膜層結(jié)構(gòu)由內(nèi)向外依次為：
柔性透明PET基材層(1)，厚度為23微米～50微米，其可見(jiàn)光透光率≥89％，霧度≤1.5；
第一高折射率層(2)，厚度為30nm～32nm，折射率為2.36，所述第一高折射率層(2)由Nb2O5構(gòu)成；
第一金屬氧化物層(3)，厚度為3nm～6nm的，所述第一金屬氧化物層(3)由ZnO:Al構(gòu)成；
第一銀合金層(4)，厚度為8nm～10nm，所述第一銀合金層(4)由96％的Ag，4％的Cu構(gòu)成；
第一阻隔層(5)，厚度為0.5nm～0.8nm，所述第一阻隔層(5)由Ti構(gòu)成；
第二高折射率層(6)，厚度為66nm～70nm，折射率為2.36，所述第二高折射率層(6)由Nb2O5構(gòu)成；
第二金屬氧化物層(7)，厚度為6nm～8nm，所述第二金屬氧化物層(7)由ZnO:Sn構(gòu)成；
第二銀合金層(8)，厚度為11nm～13nm，所述第二銀合金層(8)由98％的Ag，2％的Pd構(gòu)成；
第二阻隔層(9)，厚度為1.5nm～2nm，所述第二阻隔層(9)由Si構(gòu)成；
第三高折射率層(10)，厚度為66nm～70nm，折射率為2.36，所述第三高折射率層(10)由Nb2O5構(gòu)成；
第三金屬氧化物層(11)，厚度為3nm～6nm，所述第三金屬氧化物層(11)由ZnO:Al構(gòu)成；
第三銀合金層(12)，厚度為9nm～11nm，所述第三銀合金層(12)由96％的Ag，4％的Cu構(gòu)成；
第三阻隔層(13)，厚度為0.5nm～0.8nm，所述第三阻隔層(13)由Ti構(gòu)成；
第四高折射率層(14)，厚度為36nm～38nm，折射率為2.36，所述第四高折射率層(14)由Nb2O5構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜，其特征在于，所述第一金屬氧化物層(3)的厚度小于等于所述第一銀合金層(4)的厚度的2/3；所述第二金屬氧化物層(7)的厚度小于等于所述第二銀合金層(8)的厚度的2/3；所述第三金屬氧化物層(11)的厚度小于等于所述第三銀合金層(12)的厚度的2/3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜，其特征在于，所述第一阻隔層(5)的厚度小于等于所述第一銀合金層(4)的厚度的1/5；所述第二阻隔層(9)的厚度小于等于所述第二銀合金層(8)的厚度的1/5；所述第三阻隔層(13)的厚度小于等于所述第三銀合金層(12)的厚度的1/5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜，其特征在于，所述柔性透明PET基材層(1)的厚度為23微米；所述第一高折射率層(2)的厚度為31nm；所述第一金屬氧化物層(3)的厚度為5nm；所述第一銀合金層(4)的厚度為9nm；所述第一阻隔層(5)的厚度為0.6nm；所述第二高折射率層(6)的厚度為68nm；所述第二金屬氧化物層(7)的厚度為7nm；所述第二銀合金層(8)厚度為12nm；所述第二阻隔層(9)的厚度為1.7nm；所述第三高折射率層(10)的厚度為68nm；所述第三金屬氧化物層(11)的厚度為5nm；所述第三銀合金層(12)的厚度為10nm；所述第三阻隔層(13)的厚度為0.6nm；所述第四高折射率層(14)的厚度為37nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜，其特征在于，所述藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜在可見(jiàn)光范圍的透光率為61％、在波長(zhǎng)為780nm～2500nm的紅外光范圍的透光率為5.1％、在波長(zhǎng)為950nm波長(zhǎng)處的紅外阻隔率為96％、在波長(zhǎng)為1400nm波長(zhǎng)處的紅外阻隔率為99.2％。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)提供柔性透明PET膜作為所述柔性透明PET基材層(1)；
(2)通過(guò)雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射的方式在所述柔性透明PET基材層(1)上沉積所述第一高折射率層(2)；
(3)通過(guò)單旋轉(zhuǎn)陰極、直流反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第一高折射率層(2)上沉積所述第一金屬氧化物層(3)；
(4)通過(guò)單平面陰極、直流反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第一金屬氧化物層(3)上沉積所述第一銀合金層(4)；
(5)通過(guò)單平面陰極、直流反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第一銀合金層(4)上沉積所述第一阻隔層(5)；
(6)通過(guò)雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第一阻隔層(5)上沉積所述第二高折射率層(6)；
(7)通過(guò)單旋轉(zhuǎn)陰極、直流反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第二高折射率層(6)上沉積所述第二金屬氧化物層(7)；
(8)通過(guò)單平面陰極、直流反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第二金屬氧化物層(7)上沉積所述第二銀合金層(8)；
(9)通過(guò)單平面陰極、直流反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第二銀合金層(8)上沉積所述第二阻隔層(9)；
(10)通過(guò)雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第二阻隔層(9)上沉積所述第三高折射率層(10)；
(11)通過(guò)單旋轉(zhuǎn)陰極、直流反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第三高折射率層(10)上沉積第三金屬氧化物層(11)；
(12)通過(guò)單平面陰極、直流反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第三金屬氧化物層(11)上沉積第三銀合金層(12)；
(13)通過(guò)單平面陰極、直流反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第三銀合金層(12)上沉積第三阻隔Ti層(13)；
(14)通過(guò)雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射的方式在所述第三阻隔層(13)上沉積第四高折射率層(14)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜的制備方法，其特征在于，在磁控濺射沉積鍍膜時(shí)，所有腔室內(nèi)的溫度分別恒定在-15℃～15℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)、步驟(3)、步驟(6)、步驟(7)、步驟(10)、步驟(11)、步驟(14)均包括：相應(yīng)腔室中通入體積比為10:1～100:1的氬氣和氧氣的混合氣體，設(shè)定濺射真空度10-6Torr，鍍膜穩(wěn)定氣壓為10-3Torr；雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射功率為20Kw～50Kw；單旋轉(zhuǎn)陰極、直流反應(yīng)磁控濺射功率為2Kw～5Kw。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的藍(lán)綠色三銀低輻射節(jié)能窗膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)、步驟(5)、步驟(8)、步驟(9)、步驟(12)、步驟(13)均包括：相應(yīng)腔室中通入純度不小于99.99％的氬氣，設(shè)定濺射真空度10-6Torr，鍍膜穩(wěn)定氣壓為10-3Torr；單平面陰極、直流反應(yīng)磁控濺射功率為0.5Kw～8Kw。