本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及晶圓的化學氣相沉淀腔。

背景技術：

低壓化學氣相沉淀是指將沉淀腔中抽成低壓狀態(tài)，將反應氣體置入沉淀腔中，反應氣體擴散至沉淀腔中的晶圓表面，在晶圓表面附近的反應區(qū)發(fā)生反應形成薄膜。現(xiàn)有的低壓化學沉淀腔的結構設計不合理，反應氣體不能均勻的擴散至晶圓表面，導致形成的薄膜厚度不均勻。

技術實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術存在的上述問題，申請人進行研究及改進，提供一種低壓化學氣相沉淀腔，采用伸入式的導氣管導氣方式，提高反應氣體的擴散均勻性，提高薄膜的成型均勻度。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用如下方案：

一種低壓化學氣相沉淀腔，包括腔體，所述腔體中內置有導氣管及支撐架，所述導氣管包括進氣主管及安裝于進氣主管上的多根導氣分管，所述支撐架上設有多個間隔布置的晶圓夾持頭，所述導氣分管置于上下相鄰的晶圓之間。

作為上述技術方案的進一步改進：

所述導氣分管的管壁及端部均設有通氣孔。

本發(fā)明的技術效果在于：

本發(fā)明將反應氣體利用導氣分管導入至相鄰的晶圓之間，大大提高反應氣體的分散均勻性，進而提高成型薄膜的均勻度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結構示意圖。

圖2為本發(fā)明中導氣分管的局部剖視圖。

圖中：1、腔體；2、支撐架；3、進氣主管；4、導氣分管；5、晶圓；6、通氣孔。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步說明。

如圖1、圖2所示，本實施例的低壓化學氣相沉淀腔，包括腔體1，腔體1中內置有導氣管及支撐架2，導氣管包括進氣主管3及安裝于進氣主管3上的多根導氣分管4，支撐架2上設有多個間隔布置的晶圓夾持頭，導氣分管4置于上下相鄰的晶圓5之間，導氣分管4的管壁及端部均設有通氣孔6。使用時，胸進氣主管3中通入反應氣體，反應氣體從導氣分管4的通氣孔6中導出至晶圓5之間，從而將反應氣體均勻地擴散至晶圓5的表面。

以上所舉實施例為本發(fā)明的較佳實施方式，僅用來方便說明本發(fā)明，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，任何所屬技術領域中具有通常知識者，若在不脫離本發(fā)明所提技術特征的范圍內，利用本發(fā)明所揭示技術內容所作出局部改動或修飾的等效實施例，并且未脫離本發(fā)明的技術特征內容，均仍屬于本發(fā)明技術特征的范圍內。