技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了高質(zhì)量a面氮化鋁薄膜及其制備方法與應用。該方法包括如下步驟：(1)在襯底表面制備二硫化鉬涂層，得到二硫化鉬覆蓋的襯底；(2)在所述二硫化鉬覆蓋的襯底上沉積氧化鋅，得到氧化鋅緩沖層薄膜覆蓋的襯底；(3)利用反應濺射，在所述氧化鋅緩沖層薄膜覆蓋的襯底上沉積氮化鋁薄膜，即可得到所述a面氮化鋁薄膜。由于采用二硫化鉬襯底和氧化鋅緩沖層，本發(fā)明制備得到的a面氮化鋁薄膜，掃描其(1120)面搖擺曲線半高寬可低于1°，具有低的螺型和刃型位錯密度，a面氮化鋁晶體質(zhì)量有明顯提高；有效地緩解了氮化鋁層與襯底層之間的晶格失配和熱膨脹系數(shù)失配的問題；可用于制備高頻、大功率、高機電耦合系數(shù)的SAW器件。

技術(shù)研發(fā)人員：曾飛;傅肅磊;李起;潘峰;彭晶晶
受保護的技術(shù)使用者：清華大學
文檔號碼：201610898631
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.14
技術(shù)公布日：2017.03.15