本發(fā)明涉及原子氧密度傳感器技術(shù)領域，尤其涉及一種鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的制備方法。

背景技術(shù)：

在近地軌道空間環(huán)境原子氧探測技術(shù)中，鋨膜電阻型原子氧通量密度傳感器是綜合性能最佳的探測方案。該傳感器相較其他測試方法(如石英晶體微天平等)和其他測試介質(zhì)(如銀和石墨)優(yōu)勢明顯，具有反應速率較慢，反應速率呈線性、測量誤差小等優(yōu)點，適合長期暴露在空間環(huán)境中進行探測。

目前，鋨膜電阻型原子氧通量密度傳感器中所用的鋨膜通常是采用電鍍或等離子體蒸鍍等方法制備。然而，采用電鍍、等離子體蒸鍍等方法制備出的鋨膜或容易開裂或厚度太小且表面不更平整，影響鋨膜電阻型原子氧密度傳感器的性能，并且工藝復雜、操作繁瑣，難以滿足原子氧探測的使用要求。因此，目前亟需一種表面光滑平整、無微裂紋且厚度較大的鋨膜線制備工藝，從而滿足我國航天空間原子氧環(huán)境探測的需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，克服以上背景技術(shù)中提到的不足和缺陷，提供一種鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的制備方法，通過該制備方法制備得到的傳感器芯片中鋨膜表面平整、無微裂紋且厚度較大。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的技術(shù)方案為：

一種鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的制備方法，包括以下步驟：

(1)將基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板分別依次在丙酮、酒精和去離子水中超聲振蕩清洗；

(2)將經(jīng)清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上，將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板蓋在基片上，通過磁控濺射的方法在基片上沉積一層鋨膜線，所述磁控濺射的單位面積功率控制在3.54W/cm²-14.15W/cm²，濺射時間控制在2-6h；

(3)取出鋨膜線掩膜板并將經(jīng)清洗后的電極掩膜板蓋在沉積有鋨膜線的基片上，通過磁控濺射的方法在鋨膜線的兩端沉積銅膜或金膜，所述磁控濺射的單位面積功率控制在3.54W/cm²-14.15W/cm²，濺射時間控制在2-6h；

(4)對沉積有鋨膜線并且沉積有銅膜或金膜的基片在真空條件下進行低溫熱處理，所述低溫熱處理的處理溫度控制在200-500℃，保溫時間控制在5-15h，然后隨爐冷卻，即得鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片。

傳統(tǒng)的電鍍鋨膜技術(shù)中，電鍍液成分復雜，金屬鋨與一般玻璃、陶瓷、金屬的結(jié)合性能并不理想，對于制備一定厚度的金屬鋨膜，控制不當容易引發(fā)多種問題，如氫脆，不但會加快腐蝕，而且會導致鍍層與基體間的結(jié)合力降低，從而限制了采用電鍍方法制備鋨膜線的厚度，大大降低鋨膜的服役性能?，F(xiàn)有采用電鍍方法得到的鋨膜線的實際厚度通常在3μm以下。此外，電鍍技術(shù)操作繁瑣，在電鍍過程中易形成大量廢水廢氣，處理不當會污染環(huán)境。

本發(fā)明通過在氮化鋁陶瓷或氧化鋁陶瓷基片上依次濺射鋨膜和電極膜(銅膜或金膜)，進行低溫熱處理，采用上述的磁控濺射功率、熱處理溫度和保溫時間，得到厚度在5μm-200μm的表面光滑平整無微裂紋的鋨膜線，操作簡單易于控制，成本低且重復性好，可批量生產(chǎn)。該鋨膜線制備時以絕緣的氮化鋁陶瓷或氧化鋁陶瓷片為襯底，在上面利用掩膜板，用磁控濺射的方法直接制備出鋨膜線，然后用同樣的方法在鋨膜線兩端制備出一層銅膜或金膜用于接出信號，鋨膜線寬度在0.5mm以下，厚度在5μm-200μm之間，銅膜或金膜的厚度在2μm-50μm之間。采用掩膜板的方法較現(xiàn)有的光刻的方法制備鋨膜線優(yōu)勢明顯，不僅完全可以達到所需精度要求，而且大大降低了操作的復雜性。同時，該鋨膜線表面光滑平整無微裂紋，有效地提高了空間環(huán)境原子氧探測的精度，延長了在軌空間原子氧探測器的使用壽命。

此外，本發(fā)明通過對沉積了鋨膜和電極膜的基片進行熱處理，有效改善了鋨膜的質(zhì)量，消除了鋨原子晶體內(nèi)部的缺陷，提高了鋨膜表面的平整度，進而提高了鋨膜的抗原子氧氧化的能力，使得鋨膜線的電阻與原子氧濃度之間的線性關(guān)系加強，提高了測量精度。

作為對上述技術(shù)方案的進一步改進：

優(yōu)選的，所述步驟(2)中，所述磁控濺射的單位面積功率控制在5.31W/cm²-5.66W/cm²，濺射時間控制在3-5h；所述步驟(3)中，所述磁控濺射的單位面積功率控制在4.24W/cm²-4.60W/cm²，濺射時間控制在3-5h；所述步驟(4)中，所述低溫熱處理的處理溫度控制在250-350℃，保溫時間控制在9-11h。在此更加優(yōu)選的工藝條件下可獲得更厚且無裂紋的鋨膜線。

優(yōu)選的，所述步驟(2)中，所述將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板蓋在經(jīng)清洗后的基片上具體是指：將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板用雙面膠粘合在經(jīng)清洗后的基片上；所述步驟(3)中，所述將經(jīng)清洗后的電極掩膜板蓋在沉積有鋨膜線的基片上具體是指：將經(jīng)清洗后的電極掩膜板蓋用雙面膠粘合在沉積有鋨膜線的基片上。

優(yōu)選的，所述基片為氧化鋁陶瓷片或氮化鋁陶瓷片，基片的長度、寬度和厚度分別為30mm、20mm和1.5mm，基片的表面粗糙度<0.5μm。

優(yōu)選的，所述步驟(2)中，所述鋨膜線的厚度5μm-200μm。通過本發(fā)明的方法得到的鋨膜線的厚度可達5μm-200μm，相比于現(xiàn)有采用電鍍法得到的鋨膜線的實際厚度(1μm-3μm)，本發(fā)明的效果更好。

優(yōu)選的，所述步驟(3)中，所述銅膜或金膜的厚度2μm-50μm。

優(yōu)選的，所述鋨膜線掩膜板為不銹鋼板，鋨膜線掩膜板的厚度為0.3mm，鋨膜線槽的寬度為0.3mm，遮擋條寬度為0.7mm，鋨膜線槽單根長度≥10mm，鋨膜線槽根數(shù)≥24根。

優(yōu)選的，所述電極掩膜板為不銹鋼板，電極掩膜板的厚度為0.3mm，電極掩膜板上電極孔的長度為6mm，寬度為5mm，所述電極孔的數(shù)量為多個，多個電極孔分布在電極掩膜板的兩側(cè)，電極孔與鋨膜線掩膜板上鋨膜線槽兩端的位置相對應。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：

(1)與目前采用電鍍技術(shù)實際制備效果最好的1μm-3μm厚度鋨膜線相比，本發(fā)明通過在氮化鋁陶瓷或氧化鋁陶瓷基片上依次濺射鋨膜和電極膜(銅膜或金膜)，進行熱處理，采用特定的工藝參數(shù)，得到厚度在5μm-200μm之間，表面光滑平整無微裂紋的鋨膜線。鋨膜線的寬度在0.5mm以下，銅膜或金膜的厚度在2μm-50μm之間。而且該方法操作簡單易于控制，成本低且重復性好，可批量生產(chǎn)。

(2)本發(fā)明對沉積有鋨膜線并且沉積有銅膜或金膜的基片進行熱處理，熱處理對于改善鋨膜的質(zhì)量有很大貢獻，其不僅可以將晶體內(nèi)部一些缺陷如位錯、孔洞等消除，還可以提高鋨膜表面的平整度，改善濺射態(tài)表面的不利影響，從而大大提高鋨膜的抗原子氧氧化的能力，使得鋨膜線的電阻與原子氧濃度之間的線性關(guān)系加強，提高測量精度。

(3)采用本發(fā)明掩膜板的方法較現(xiàn)有的光刻的方法制備鋨膜線優(yōu)勢明顯，不僅完全可以達到所需精度要求，而且大大降低操作的復雜性。采用本發(fā)明的方法制備的鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的鋨膜電阻傳感器體積小，工作壽命長，方便在軌航天器各個方向上對原子氧實施監(jiān)測。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例1所得傳感器芯片樣品截面的掃描電鏡圖(SEM)。

圖2為本發(fā)明所得傳感器芯片熱處理前后鋨膜的表面形貌掃面電鏡圖。

圖3為本發(fā)明的鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片熱處理前后的產(chǎn)品照片，圖中，左側(cè)為熱處理前的照片，右側(cè)為熱處理后的照片。

圖4為本發(fā)明的制備方法中所用鋨膜線掩膜板的照片。

圖5為本發(fā)明的制備方法中所用電極掩膜板的照片。

圖6為本發(fā)明的制備方法中所用基片固定板的照片。

圖7為本發(fā)明的制備方法中所用鋨膜線掩膜板與基片固定板復合后的照片。

圖8為本發(fā)明的制備方法中所用電極掩膜板與基片固定板復合后的照片。

具體實施方式

為了便于理解本發(fā)明，下文將結(jié)合說明書附圖和較佳的實施例對本發(fā)明作更全面、細致地描述，但本發(fā)明的保護范圍并不限于以下具體的實施例。

除非另有定義，下文中所使用的所有專業(yè)術(shù)語與本領域技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中所使用的專業(yè)術(shù)語只是為了描述具體實施例的目的，并不是旨在限制本發(fā)明的保護范圍。

除非另有特別說明，本發(fā)明中用到的各種原材料、試劑、儀器和設備等均可通過市場購買得到或者可通過現(xiàn)有方法制備得到。

實施例1：

本發(fā)明鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的制備方法的一種實施例，該制備方法包括以下步驟：

(1)預處理

將氧化鋁陶瓷基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板分別依次在丙酮、酒精和去離子水中超聲振蕩清洗，洗凈氧化鋁陶瓷基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板上的灰塵、指紋及有機污物等。其中，氧化鋁陶瓷基片的長度、寬度和厚度分別為30mm、20mm和1.5mm，基片的表面粗糙度<0.5μm。鋨膜線掩膜板和電極掩膜板均為不銹鋼板，鋨膜線掩膜板的厚度為0.3mm，鋨膜線槽的寬度為0.3mm，遮擋條寬度為0.7mm，鋨膜線槽單根長度≥10mm，鋨膜線槽根數(shù)≥24根；電極掩膜板的厚度為0.3mm，電極掩膜板上電極孔的長度為6mm，寬度為5mm，電極孔的數(shù)量為四個，四個電極孔兩兩分布在電極掩膜板的兩側(cè)，電極孔與鋨膜線掩膜板上鋨膜線槽兩端的位置相對應。

(2)基片上鍍鋨膜

用雙面膠將經(jīng)清洗后的氧化鋁陶瓷基片固定在基片固定板上，然后將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板蓋在氧化鋁陶瓷基片上，采用磁控濺射儀在氧化鋁陶瓷基片上沉積一層鋨膜線，其中，磁控濺射的單位面積功率為7.07W/cm²，濺射時間為3h，制得的鋨膜線的單根長度為10-12mm，根數(shù)≥24根。

(3)在鋨膜線兩端沉積電極膜

取出鋨膜線掩膜板并用雙面膠將經(jīng)清洗后的電極掩膜板與基片固定板粘合在一起，使電極掩膜板蓋在沉積有鋨膜線的氧化鋁陶瓷基片上，采用磁控濺射儀在鋨膜線的兩端沉積銅膜作為電極。其中，磁控濺射的單位面積功率為7.07W/cm²，濺射時間為2h，銅膜的大小為長6mm，寬5mm，銅膜與鋨膜線的兩端部分重疊，銅膜的厚度為3μm。

(4)低溫熱處理

將沉積有鋨膜線并且沉積有銅膜的基片在真空條件下進行低溫熱處理，控制處理溫度為500℃，控制保溫時間為6h，低溫熱處理完成后隨爐冷卻，即得到鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片。該鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片樣品截面的掃描電鏡圖如圖1所示。圖1中顆粒狀的為氮化鋁基體，條紋狀的為鋨膜?？梢钥闯?，鋨膜與氮化鋁基體均結(jié)合良好，界面間隙很小，表面光滑平整無微裂紋。經(jīng)測量知，其鋨膜厚度約為10μm。熱處理前后的鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的產(chǎn)品照片如圖3所示，其中，圖3左圖為熱處理前的產(chǎn)品照片，右圖為熱處理后的產(chǎn)品照片。上述步驟中所用鋨膜線掩膜板的照片如圖4所示，所用電極掩膜板的照片如圖5所示，所用基片固定板的照片如圖6所示，鋨膜線掩膜板與基片固定板復合后的照片如圖7所示，電極掩膜板與基片固定板復合后的照片如圖8所示。

采用上述同樣的方法，只是將鋨膜的濺射時間延長到5h，得鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片。該芯片熱處理前后的鋨膜表面形貌掃描電鏡圖如圖2所示。圖2中，a和b為熱處理前鋨膜的表面形貌(a放大2000倍；b放大10000倍)，c和d為熱處理后鋨膜的表面形貌(c放大2000倍；d放大10000倍)。由圖2可明顯看出，樣品熱處理前(圖2中a和b)表面顆粒狀凸起明顯，有明顯孔隙空洞；而熱處理后(圖2中c和d)表面顆粒狀表面凸起程度減小，無明顯孔隙空洞，說明經(jīng)熱處理后的鋨膜表面更加均勻，空洞間隙等缺陷大大減少，極大地提高了濺射鋨膜的質(zhì)量。

性能測試：

對該傳感器芯片的膜基結(jié)合性能進行測試，測試采用的方法為膠帶提拉法和抗熱震測試。其中，膠帶提拉測試所用測試膠帶為3M 250膠帶(25.9mm×25m)，粘著力參數(shù)為0.71N/mm。具體實施方法是將粘性已知的膠帶粘到鋨膜上，擠凈空氣后保持5分鐘，之后以約60°的角度迅速提拉，觀察鋨膜與基體的附著情況?？篃嵴饻y試是對鋨膜結(jié)構(gòu)在變溫環(huán)境下進行。冷卻方式采用液氮冷卻，液氮溫度可達-196℃。加熱方式采用電阻式加熱臺，試驗中設定的溫度為200℃。在每個熱震周期結(jié)束后觀察鋨膜的宏觀結(jié)構(gòu)變化，記錄鋨膜出現(xiàn)裂紋時間?？偟臒嵴鹬芷跀?shù)為102次。具體測試結(jié)果如表1所示。

實施例2：

本發(fā)明鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的制備方法的一種實施例，該制備方法包括以下步驟：

(1)預處理

將氮化鋁陶瓷基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板分別依次在丙酮、酒精和去離子水中超聲振蕩清洗，洗凈氮化鋁陶瓷基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板上的灰塵、指紋及有機污物等。其中，氧化鋁陶瓷基片的長度、寬度和厚度分別為30mm、20mm和1.5mm，基片的表面粗糙度<0.5μm。鋨膜線掩膜板和電極掩膜板均為不銹鋼板，鋨膜線掩膜板的厚度為0.3mm，鋨膜線槽的寬度為0.3mm，遮擋條寬度為0.7mm，鋨膜線槽單根長度≥10mm，鋨膜線槽根數(shù)≥24根；電極掩膜板的厚度為0.3mm，電極掩膜板上電極孔的長度為6mm，寬度為5mm，電極孔的數(shù)量為四個，四個電極孔兩兩分布在電極掩膜板的兩側(cè)，電極孔與鋨膜線掩膜板上鋨膜線槽兩端的位置相對應。

(2)基片上鍍鋨膜

用雙面膠將經(jīng)清洗后的氮化鋁陶瓷基片固定在基片固定板上，然后將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板蓋在氮化鋁陶瓷基片上，采用磁控濺射儀在氮化鋁陶瓷基片上沉積一層鋨膜線，其中，磁控濺射的單位面積功率為5.31W/cm²，濺射時間為5h，制得的鋨膜線的單根長度為10-12mm，根數(shù)≥24根。

(3)在鋨膜線兩端沉積電極膜

取出鋨膜線掩膜板并用雙面膠將經(jīng)清洗后的電極掩膜板與基片固定板粘合在一起，使電極掩膜板蓋在沉積有鋨膜線的氮化鋁陶瓷基片上，采用磁控濺射儀在鋨膜線的兩端沉積銅膜作為電極。其中，磁控濺射的單位面積功率為4.24W/cm²，濺射時間為3h，銅膜的大小為長6mm，寬5mm，銅膜與鋨膜線的兩端部分重疊，銅膜的厚度為5μm。

(4)低溫熱處理

將沉積有鋨膜線并且沉積有銅膜的基片在真空條件下進行低溫熱處理，控制處理溫度為250-350℃，控制保溫時間為10h，低溫熱處理完成后隨爐冷卻，即得到鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片。所得鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片中鋨膜線的厚度約為12μm，表面光滑平整無微裂紋，膜基結(jié)合緊密。效果比實施例1更好(鋨膜線的厚度更大)。

性能測試：

對該傳感器芯片的膜基結(jié)合性能進行測試，測試采用的方法與實施例1相同。具體測試結(jié)果如表1所示。

對比例1：

一種鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的制備方法，包括以下步驟：

(1)預處理

將氧化鋁陶瓷基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板分別依次在丙酮、酒精和去離子水中超聲振蕩清洗，洗凈氧化鋁陶瓷基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板上的灰塵、指紋及有機污物等。其中，氧化鋁陶瓷基片的長度、寬度和厚度分別為30mm、20mm和1.5mm，基片的表面粗糙度<0.5μm。鋨膜線掩膜板和電極掩膜板均為不銹鋼板，鋨膜線掩膜板的厚度為0.3mm，鋨膜線槽的寬度為0.3mm，遮擋條寬度為0.7mm，鋨膜線槽單根長度≥10mm，鋨膜線槽根數(shù)≥24根；電極掩膜板的厚度為0.3mm，電極掩膜板上電極孔的長度為6mm，寬度為5mm，電極孔的數(shù)量為四個，四個電極孔兩兩分布在電極掩膜板的兩側(cè)，電極孔與鋨膜線掩膜板上鋨膜線槽兩端的位置相對應。

(2)基片上鍍鋨膜

用雙面膠將經(jīng)清洗后的氧化鋁陶瓷基片固定在基片固定板上，然后將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板蓋在氧化鋁陶瓷基片上，采用磁控濺射儀在氧化鋁陶瓷基片上沉積一層鋨膜線，其中，磁控濺射的單位面積功率為3.0W/cm²，濺射時間為3h，制得的鋨膜線的單根長度為10-12mm，根數(shù)≥24根。

(3)在鋨膜線兩端沉積電極膜

取出鋨膜線掩膜板并用雙面膠將經(jīng)清洗后的電極掩膜板與基片固定板粘合在一起，使電極掩膜板蓋在沉積有鋨膜線的氧化鋁陶瓷基片上，采用磁控濺射儀在鋨膜線的兩端沉積銅膜作為電極。其中，磁控濺射的單位面積功率為3.0W/cm²，濺射時間為2h，銅膜的大小為長6mm，寬5mm，銅膜與鋨膜線的兩端部分重疊，銅膜的厚度為5-50μm。

(4)低溫熱處理

將沉積有鋨膜線并且沉積有銅膜的基片在真空條件下進行低溫熱處理，控制處理溫度為180℃，控制保溫時間為4h，低溫熱處理完成后隨爐冷卻，即得到鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片。所得鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片中鋨膜線的厚度約為3μm，表面光滑平整無微裂紋。

性能測試：

對該傳感器芯片的膜基結(jié)合性能進行測試，測試采用的方法與實施例1相同。具體測試結(jié)果如表1所示。

對比例2：

一種鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片的制備方法，包括以下步驟：

(1)預處理

將氧化鋁陶瓷基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板分別依次在丙酮、酒精和去離子水中超聲振蕩清洗，洗凈氧化鋁陶瓷基片、基片固定板、鋨膜線掩膜板和電極掩膜板上的灰塵、指紋及有機污物等。其中，氧化鋁陶瓷基片的長度、寬度和厚度分別為30mm、20mm和1.5mm，基片的表面粗糙度<0.5μm。鋨膜線掩膜板和電極掩膜板均為不銹鋼板，鋨膜線掩膜板的厚度為0.3mm，鋨膜線槽的寬度為0.3mm，遮擋條寬度為0.7mm，鋨膜線槽單根長度≥10mm，鋨膜線槽根數(shù)≥24根；電極掩膜板的厚度為0.3mm，電極掩膜板上電極孔的長度為6mm，寬度為5mm，電極孔的數(shù)量為四個，四個電極孔兩兩分布在電極掩膜板的兩側(cè)，電極孔與鋨膜線掩膜板上鋨膜線槽兩端的位置相對應。

(2)基片上鍍鋨膜

用雙面膠將經(jīng)清洗后的氧化鋁陶瓷基片固定在基片固定板上，然后將經(jīng)清洗后的鋨膜線掩膜板蓋在氧化鋁陶瓷基片上，采用磁控濺射儀在氧化鋁陶瓷基片上沉積一層鋨膜線，其中，磁控濺射的單位面積功率為20.0W/cm²，制得的鋨膜線的單根長度為10-12mm，根數(shù)≥24根。

(3)在鋨膜線兩端沉積電極膜

取出鋨膜線掩膜板并用雙面膠將經(jīng)清洗后的電極掩膜板與基片固定板粘合在一起，使電極掩膜板蓋在沉積有鋨膜線的氧化鋁陶瓷基片上，采用磁控濺射儀在鋨膜線的兩端沉積銅膜作為電極。其中，磁控濺射的單位面積功率為20.0W/cm²，銅膜的大小為長6mm，寬5mm，銅膜與鋨膜線的兩端部分重疊，銅膜的厚度為5-10μm。

(4)低溫熱處理

將沉積有鋨膜線并且沉積有銅膜的基片在真空條件下進行低溫熱處理，控制處理溫度為600℃，控制保溫時間為18h，低溫熱處理完成后隨爐冷卻，即得到鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片。所得鋨膜電阻型原子氧密度傳感器芯片中鋨膜線的厚度為3-8μm，表面部分鋨膜線出現(xiàn)脫落。

性能測試：

對該傳感器芯片的膜基結(jié)合性能進行測試，測試采用的方法與實施例1相同。具體測試結(jié)果如表1所示。

表1各實施例及對比例所得原子氧密度傳感器芯片的性能對比

由表1可見，采用實施例1實施例2的工藝條件得到的鋨膜厚度較大、膜基結(jié)合緊密不易出現(xiàn)剝落，且經(jīng)熱震實驗未出現(xiàn)裂紋。而對比例1和2中未采用上述工藝條件所制備的鋨膜厚度不大，且與基體結(jié)合不夠牢固，在變溫環(huán)境下容易開裂剝落。這說明在本發(fā)明申請中實施例1和2的工藝條件下制備出的鋨膜的效果更佳。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。