1.一種超低阻值晶片電阻器用銅鎳系合金粉，其特征在于：該合金粉由以下組分組成：Ni 35-45wt％，Mn＜1wt％，F(xiàn)e＜1wt％，余量為Cu。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低阻值晶片電阻器用銅鎳系合金粉，其特征在于：它由以下質(zhì)量百分比的組分組成：Ni38-40wt％，Mn 0.1-0.8wt％，F(xiàn)e 0.1-0.8wt％，余量為Cu。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低阻值晶片電阻器用銅鎳系合金粉，其特征在于：該合金粉由蒸發(fā)-冷凝法制備而成，其Ni、Fe、Mn固溶到Cu的晶格中，形成元素分布均勻的固溶體合金粉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低阻值晶片電阻器用銅鎳系合金粉，其特征在于：所述的合金粉的平均粒徑為0.3-3μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低阻值晶片電阻器用銅鎳系合金粉，其特征在于：所述的合金粉的氧含量≤4000ppm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低阻值晶片電阻器用銅鎳系合金粉，其特征在于：所述的合金粉的碳含量≤800ppm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低阻值晶片電阻器用銅鎳系合金粉，其特征在于：所述的合金粉的雜質(zhì)含量≤500ppm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超低阻值晶片電阻器用銅鎳系合金粉，其特征在于：所述的合金粉的熔點(diǎn)范圍為1254-1352℃。