技術總結
本發(fā)明公開了一種大的正溫度系數(shù)的氧化硅薄膜及其沉積方法。本發(fā)明提供的氧化硅薄膜的沉積方法包括如下步驟：采用磁控濺射的方法在襯底上濺射即得到所述氧化硅薄膜；所述磁控濺射采用的工作氣體為氨氣和氬氣的混合氣體。本發(fā)明濺射過程中無毒無污染，工藝簡單，工作氣體中充入一定量氨氣后得到的氧化硅薄膜中還含有氫原子和氨基等基團，它使得在同樣的厚度下含有這些基團的薄膜比那些不含有這些基團的薄膜具有更大的正溫度系數(shù)。

技術研發(fā)人員：曾飛;李起;潘峰;傅肅磊;王光月
受保護的技術使用者：清華大學
文檔號碼：201610946312
技術研發(fā)日：2016.11.02
技術公布日：2017.02.22