技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種提高摻雜類金剛石膜層質(zhì)量的方法，在工件上等離子體化學(xué)氣相沉積摻雜類金剛膜層之前，在所述工件周圍設(shè)置屏蔽裝置，所述屏蔽裝置具有開口，且所述開口正對等離子體出口；在等離子體化學(xué)氣相沉積摻雜類金剛膜層過中，所述屏蔽裝置不隨所述工件旋轉(zhuǎn)，但與所述工件等電位。本實施例提供的方法，主要是在沉積過程中，通過在旋轉(zhuǎn)的工件周圍設(shè)置，使其屏幕工件圓周附近等離子體密分布極度不均勻的位置，只接收正對等離子體出口位置的等離子體密度強(qiáng)的離子沉積，最終獲得的膜層均勻性和膜層結(jié)合力等有著大幅的提升，非常適合工業(yè)化大批量生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：廖斌;歐陽曉平;張旭;吳先映;韓然;張豐收
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京師范大學(xué)
文檔號碼：201610990847
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.10
技術(shù)公布日：2017.05.31