本發(fā)明實(shí)施例涉及蒸鍍技術(shù)，尤其涉及一種蒸鍍?cè)O(shè)備。

背景技術(shù)：

蒸鍍是將待成膜的物質(zhì)置于真空中進(jìn)行蒸發(fā)或升華，使之在工件或基板表面析出的過程。將蒸鍍材料加熱并鍍到基板上稱為真空蒸鍍，或叫真空鍍膜。真空鍍膜工藝大量應(yīng)用于設(shè)備(如顯示面板)的制造過程中。

在顯示面板的蒸鍍制程中，掩膜版被用來對(duì)玻璃基板特定區(qū)域進(jìn)行遮擋，以使蒸鍍材料在未遮擋區(qū)域析出成膜。理論上掩膜版表面應(yīng)與玻璃基板平行，此時(shí)蒸鍍結(jié)果與掩膜版應(yīng)完全對(duì)應(yīng)，和設(shè)計(jì)相符。

但實(shí)際情況是，由于掩膜版的邊緣被固定于支撐架上，掩膜版極薄(厚度為數(shù)十微米)且受力不平衡，其中央?yún)^(qū)域會(huì)產(chǎn)生不可忽略的形變。在該變形的影響下，玻璃基板上得到的膜與預(yù)期情況產(chǎn)生偏差，進(jìn)而使得蒸鍍?cè)O(shè)備的蒸鍍效果不佳。此外，蒸鍍?cè)O(shè)備在固定掩膜版的過程中，如果掩膜版在豎直方向上受力的變化很大，則掩膜會(huì)以很大的速度撞擊玻璃基板，因而造成玻璃基板的損傷以及掩膜版的受損。再者，如果掩膜版在水平方向上受到力的作用，還會(huì)造成位于玻璃基板上PS柱的擦傷問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，以實(shí)現(xiàn)防止掩膜版因中央?yún)^(qū)域受力不平衡產(chǎn)生形變的不良現(xiàn)象產(chǎn)生，解決掩膜版在豎直方向上和水平方向上存在的受力問題，提高蒸鍍?cè)O(shè)備的蒸鍍效果的目的。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種蒸鍍?cè)O(shè)備，該蒸鍍?cè)O(shè)備包括：蒸鍍腔室，以及掩膜版支撐線圈，所述掩膜版支撐線圈至少包括相對(duì)設(shè)置的第一線圈和第二線圈，所述第一線圈和所述第二線圈之間包括掩膜版設(shè)置區(qū)域，所述第一線圈和所述第二線圈上分別通入第一電流和第二電流，以使在所述掩膜版設(shè)置區(qū)域內(nèi)形成的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻。

本發(fā)明實(shí)施例利用掩膜版支撐線圈在掩膜版設(shè)置區(qū)域內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)，以使位于該掩膜版設(shè)置區(qū)域內(nèi)的掩膜版的中央?yún)^(qū)域受力平衡，解決了現(xiàn)有的蒸鍍?cè)O(shè)備中支撐架從掩膜版的邊緣固定該掩膜版，掩膜版因中央?yún)^(qū)域受力不平衡易發(fā)生形變，進(jìn)而影響蒸鍍效果的問題，實(shí)現(xiàn)了防止掩膜版因中央?yún)^(qū)域受力不平衡而發(fā)生形變的不良現(xiàn)象產(chǎn)生，提高蒸鍍?cè)O(shè)備的蒸鍍效果的目的。同時(shí)本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版在定位的過程中，豎直方向上受力的變化較小，水平方向上受力幾乎為零，掩膜不會(huì)以很大的速度撞擊玻璃基板，避免了掩膜版的受損以及PS柱的擦傷問題。

附圖說明

圖1a為現(xiàn)有的一種蒸鍍?cè)O(shè)備在蒸鍍過程中理想的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為現(xiàn)有的一種蒸鍍?cè)O(shè)備在蒸鍍過程中實(shí)際的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種掩膜版支撐線圈的形狀示意圖；

圖4a和圖4b為掩膜版支撐線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)需滿足條件的推導(dǎo)示意圖；

圖5a、圖5b以及圖5c為利用仿真的方法得到的亥姆霍茲線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布情況示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為掩膜版搬運(yùn)線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻的磁場(chǎng)需滿足條件的推導(dǎo)示意圖；

圖8a、圖8b以及圖8c為利用仿真的方法得到的反亥姆霍茲線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布情況示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10a、圖10b以及圖10c為掩膜版位于圖9中提供的蒸鍍?cè)O(shè)備中因磁場(chǎng)的存在而產(chǎn)生的加速度的分布情況示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種掩膜版支撐線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種掩膜版支撐線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種掩膜版支撐線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種掩膜版支撐線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖18為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種掩膜版支撐線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖19為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種掩膜版搬運(yùn)線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

圖1a為現(xiàn)有的一種蒸鍍?cè)O(shè)備在蒸鍍過程中理想的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b為現(xiàn)有的一種蒸鍍?cè)O(shè)備在蒸鍍過程中實(shí)際的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖1a和圖1b，該蒸鍍?cè)O(shè)備包括蒸鍍腔室(未示出)，支撐架11和掩膜版12，掩膜版12的邊緣被固定于支撐架11上，在掩膜版12位于玻璃基板13的一側(cè)。蒸鍍?cè)?4位于掩膜版12遠(yuǎn)離玻璃基板13的另一側(cè)。其中掩膜版12為鏤空結(jié)構(gòu)，其對(duì)玻璃基板13特定區(qū)域131進(jìn)行遮擋，并將玻璃基板13待蒸鍍區(qū)132暴露出來，以使蒸鍍材料從蒸鍍?cè)?4中噴出后在待蒸鍍區(qū)132析出成膜。對(duì)比圖1a和圖1b，在實(shí)際使用中，由于掩膜版12的邊緣被固定于支撐架11上，掩膜版12中央?yún)^(qū)域在豎直方向(即Z軸)方向上僅受到重力作用。在重力的作用下，掩膜版12會(huì)產(chǎn)生不可忽略的形變，使得掩膜版12和玻璃基板13之間存在縫隙。當(dāng)蒸鍍材料在玻璃基板13待蒸鍍區(qū)132析出成膜時(shí)，會(huì)在掩膜版12和玻璃基板13之間的縫隙少量析出，進(jìn)而使得蒸鍍?cè)O(shè)備的蒸鍍效果不佳。

若利用現(xiàn)有的蒸鍍?cè)O(shè)備通過蒸鍍形成紅、綠、藍(lán)像素陣列的各膜層，由于各膜層在蒸鍍過程中均會(huì)出現(xiàn)上述偏差，會(huì)使得顯示面板像素單元邊緣交疊。無疑,這將影響顯示面板的顯示效果，甚至使得顯示面板報(bào)廢。此外，蒸鍍?cè)O(shè)備在固定掩膜版的過程中，如果掩膜版在豎直方向上受力的變化很大，則掩膜會(huì)以很大的速度撞擊玻璃基板，因而造成玻璃基板的損傷以及掩膜版的受損。再者，如果掩膜版在水平方向上收到力的作用，還會(huì)造成位于玻璃基板上PS柱的擦傷問題。

圖2為本發(fā)明提供的一種蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖2，該蒸鍍?cè)O(shè)備包括蒸鍍腔室(圖中未示出)，以及掩膜版支撐線圈20。掩膜版支撐線圈20至少包括相對(duì)設(shè)置的第一線圈21和第二線圈22，第一線圈21和第二線圈22之間包括掩膜版設(shè)置區(qū)域30，第一線圈21和第二線圈22上分別通入第一電流和第二電流，以使在掩膜版設(shè)置區(qū)域30內(nèi)形成的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻。

可選地，參見圖2，該蒸鍍?cè)O(shè)備還包括掩膜版31，掩膜版31的材料為鐵磁材料。鐵磁材料的掩膜版31在該掩膜版設(shè)置區(qū)域30會(huì)受到來自掩膜版支撐線圈20的吸引力的作用。掩膜版31在吸引力和重力的共同作用下，或者掩膜版31在吸引力、支撐架對(duì)掩膜版31支撐力和重力的共同作用下，掩膜版31各位置處均受力平衡。這樣可以有效杜絕掩膜版31應(yīng)受力不平衡而發(fā)生形變的不良現(xiàn)象產(chǎn)生。

可選地，掩膜版支撐線圈包含的所有線圈的電流方向均與第一繞行方向相同。這里第一繞行方向可以為順時(shí)針方向，也可以為逆時(shí)針方向。進(jìn)一步地，掩膜版支撐線圈包含的各線圈上的電流值與各線圈自身的匝數(shù)的乘積相等。掩膜版支撐線圈中各線圈的軸線重合。示例性地，由于圖2中掩膜版支撐線圈20僅包括第一線圈21和第二線圈22，第一線圈21上的第一電流和第二線圈22上的第二電流的電流方向均與第一繞行方向相同。在圖2中，第一繞行方向?yàn)槟鏁r(shí)針方向。第一線圈21上的第一電流與第一線圈21的匝數(shù)的乘積與第二線圈22上的第二電流與第二線圈22的匝數(shù)的乘積相等。第一線圈21和第二線圈22的軸線重合。

掩膜版支撐線圈中各線圈的形狀可以為對(duì)稱圖形，也可以為非對(duì)稱圖形。當(dāng)掩膜版支撐線圈中各線圈的形狀為對(duì)稱圖形時(shí)，各線圈的形狀可以為圓形、多邊形、橢圓形等。如圖2中，第一線圈21和第二線圈22的形狀均為圓形。圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種掩膜版支撐線圈的形狀示意圖。該掩膜版支撐線圈20中各線圈的形狀還可以為圖3中給出的跑道形。

需要說明的是，由于掩膜版支撐線圈20中各線圈的形狀不同，為了使得掩膜版支撐線圈20在掩膜版設(shè)置區(qū)域30內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)，需要滿足的條件不同。下面以掩膜版支撐線圈20僅包括圓形的第一線圈21和圓形的第二線圈22為例，對(duì)掩膜版支撐線圈20產(chǎn)生磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)需要滿足的條件進(jìn)行推導(dǎo)。為了計(jì)算簡(jiǎn)便，這里僅以掩膜版支撐線圈20在第二線圈22的軸線處產(chǎn)生的磁場(chǎng)為例進(jìn)行推導(dǎo)。

圖4a和圖4b為掩膜版支撐線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)需滿足條件的推導(dǎo)示意圖。參見4a，以第二線圈22的軸線所在直線為Z軸，對(duì)于第二線圈22在軸線(Z軸)上A點(diǎn)處形成的磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B_z1′為：

其中，μ₀為真空磁導(dǎo)率，z_A為A點(diǎn)距第二線圈22所在平面的距離，R₁為第二線圈22的半徑，I₁為第二線圈22上的第二電流和第二線圈22匝數(shù)的乘積。

進(jìn)一步，參見圖4b，考慮該掩膜版支撐線圈20僅包括第一線圈21和第二線圈22，且第一線圈21和第二線圈22的形狀均為圓形。第一線圈21的半徑和第二線圈22的半徑相等，均為R₁。第一電流的電流值與第一線圈的匝數(shù)的乘積和第二電流的電流值與第二線圈的匝數(shù)的乘積均為I₁。第一線圈21和第二線圈22的軸線重合。第二線圈22(或第一線圈21)的軸線與第一線圈21所在平面相交于一點(diǎn)C,該軸線與第二線圈22所在平面相交于一點(diǎn)D。其中線段CD的長(zhǎng)度即為第一線圈21和第二線圈22之間的距離。線段CD的中點(diǎn)為O。以O(shè)為坐標(biāo)原點(diǎn)，以任意一條平行于第二線圈22(或第一線圈21)所在平面的直線為X軸，以第二線圈22(或第一線圈21)的軸線所在直線為Z軸建立直角坐標(biāo)系。則對(duì)于該掩膜版支撐線圈20在軸線上B點(diǎn)處形成的磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B_z2為

其中，d₁為第一線圈21和第二線圈22之間距離的一半，z_B為B點(diǎn)與O點(diǎn)的之間的距離。

由于B_z2為偶函數(shù)。為了使得掩膜版支撐線圈20形成的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度在Z＝0位置附近均勻，令z趨于0時(shí)，得到即當(dāng)?shù)谝痪€圈21的半徑R₁、第二線圈22的半徑R₁以及第一線圈21和所述第二線圈22之間的距離2d₁均相等時(shí)，掩膜版支撐線圈20所形成的磁場(chǎng)存在磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻區(qū)域。此時(shí)，該第一線圈21和第二線圈22共同構(gòu)成亥姆霍茲線圈。

下面利用仿真的方法對(duì)亥姆霍茲線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布情況進(jìn)行研究。令圖4b中，第一線圈21的半徑R₁、第二線圈22的半徑R₁以及第一線圈21和第二線圈22之間的距離2d₁均為1.732m，向第一線圈21和第二線圈22分別通入特定大小的第一電流和第二電流，該第一線圈21和第二線圈22之間形成的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布示意圖如圖5a、圖5b以及圖5c所示。在圖5a和圖5b中縱軸表示亥姆霍茲線圈的軸向方向(即第一線圈21或第二線圈22的軸向方向)，對(duì)應(yīng)圖4b中Z軸方向。在圖5a和圖5c中橫軸表示亥姆霍茲線圈的徑向方向，對(duì)應(yīng)圖4b中X軸方向，該徑向方向與軸向方向垂直。在圖5a中曲線上的數(shù)值以及圖5b的橫坐標(biāo)和圖5c的縱坐標(biāo)均表示磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，單位為特斯拉(T)。

從圖5a可以發(fā)現(xiàn)，第一線圈21和第二線圈22中間存在磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的區(qū)域。圖5b為圖4b中與Z軸平行且距Z軸0.4m(即X＝0.4m)的線段EF上的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布示意圖。從圖5b可以發(fā)現(xiàn)，在Z＝-0.5m到Z＝0.5m處磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度基本保持不變。圖5c為Z(Z＞0)取不同值時(shí)，磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度沿徑向的分布的示意圖。從圖5c可以發(fā)現(xiàn)，對(duì)于任一Z值，磁場(chǎng)強(qiáng)度沿徑向方向雖然存在微小的變化(當(dāng)Z＝z1時(shí)，磁場(chǎng)強(qiáng)度沿徑向方向最大變化量約為0.05T,該變化量遠(yuǎn)小于Z＝z1時(shí)任一位置處的磁場(chǎng)強(qiáng)度)，在誤差允許的范圍內(nèi)，該磁場(chǎng)強(qiáng)度的微小變化可以忽略。

上述仿真數(shù)據(jù)說明，對(duì)第一線圈21和第二線圈22上分別通入第一電流和第二電流，確實(shí)可以在較大區(qū)域內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)，可以將該磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的區(qū)域用作為掩膜版設(shè)置區(qū)域30。

在具體使用時(shí)，可以根據(jù)掩膜版31的重量和尺寸，以及掩膜版支撐線圈20中線圈的個(gè)數(shù)、形狀、尺寸等，選擇合適大小的第一電流和第二電流，使得放置于掩膜版設(shè)置區(qū)域30內(nèi)的掩膜版31受到等于或略小于重力的吸引力，以使位于該掩膜版31的受力平衡，這樣可以解決現(xiàn)有的蒸鍍?cè)O(shè)備中支撐架11從掩膜版31的邊緣固定該掩膜版31，掩膜版31因受力不平衡易發(fā)生形變，進(jìn)而影響蒸鍍效果的問題，實(shí)現(xiàn)了防止掩膜版31產(chǎn)生形變，提高蒸鍍?cè)O(shè)備的蒸鍍效果的目的。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，考慮到現(xiàn)有的蒸鍍?cè)O(shè)備在蒸鍍前時(shí)，往往先將玻璃基板固定，然后在磁鐵陣列的控制下將掩膜版吸引至玻璃基板附近的目標(biāo)位置，以使掩膜版與玻璃基板相接觸，然后進(jìn)行蒸鍍。在實(shí)際操作中，在利于磁鐵陣列將掩膜版吸引目標(biāo)位置處的過程中，隨著掩膜版位置的不斷變化，掩膜版與磁鐵陣列之間的距離不斷變化，掩膜版受到來自磁鐵陣列的吸引力隨著掩膜版與磁鐵陣列之間的距離的變化成指數(shù)形式增加。通常當(dāng)掩膜版板運(yùn)動(dòng)至距磁鐵陣列10mm時(shí)，掩膜版受到來自磁鐵陣列的吸引力約為掩膜版重力的100倍以上。在這樣大的吸引力的作用下，掩膜版的加速度極大，最終使得掩膜版以極大的速度撞擊到玻璃基板，這會(huì)造成掩膜版褶皺。另外若玻璃基板上包括柱狀隔墊物(photo-spacer)，這會(huì)造成柱狀隔墊物擦傷，影響顯示面板的顯示效果。

眾所周知，鐵磁材料在不均勻磁場(chǎng)B中受力F與鐵磁材料中的磁矩m和磁場(chǎng)梯度滿足函數(shù)

由上式可知，鐵磁材料在不均勻磁場(chǎng)中的受力不僅和磁感應(yīng)強(qiáng)度有關(guān)，還和該處的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度有關(guān)。為了使得掩膜版能夠以恒定速度或接近于恒定速度移動(dòng)到目標(biāo)位置處，可選地，可以設(shè)置該蒸鍍?cè)O(shè)備還包括掩膜版搬運(yùn)線圈，通過向該掩膜版搬運(yùn)線圈輸入特定大小的電流，使得在掩膜版設(shè)置區(qū)域內(nèi)形成的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻，以控制掩膜版的移動(dòng)速度。還需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版在定位的過程中，豎直方向上受力的變化較小，水平方向上受力幾乎為零，掩膜不會(huì)以很大的速度撞擊玻璃基板，避免了掩膜版的受損以及PS柱的擦傷問題。

圖6為本發(fā)明提供的另一種蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，參見圖6，該蒸鍍?cè)O(shè)備還包括至少一組掩膜版搬運(yùn)線圈40(圖6中示例性地僅包括一組掩膜版搬運(yùn)線圈)。該掩膜版搬運(yùn)線圈40包括相對(duì)設(shè)置的第三線圈41和第四線圈42，第三線圈41和第四線圈42上分別通入第三電流和第四電流，以使在掩膜版設(shè)置區(qū)域30內(nèi)形成的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻。

可選地，第三電流的方向與第一繞行方向相同，第四電流的方向與第一繞行方向相反。第三電流的電流值與第三線圈41的匝數(shù)的乘積等于第四電流的電流值與第四線圈42的匝數(shù)的乘積。第三線圈41和第四線圈42的軸線重合。掩膜版搬運(yùn)線圈20和掩膜版支撐線圈40的軸線重合。

同樣地，掩膜版搬運(yùn)線圈40中第三線圈41和第四線圈42的形狀可以為對(duì)稱圖形，也可以為非對(duì)稱圖形。當(dāng)?shù)谌€圈41和第四線圈42為對(duì)稱圖形時(shí)，第三線圈41和第四線圈42的形狀可以為圓形、多邊形、橢圓形或跑道形等。

需要說明的是，由于掩膜版搬運(yùn)線圈40中第三線圈41和第四線圈42的形狀不同，為了使得掩膜版搬運(yùn)線圈40在掩膜版設(shè)置區(qū)域30內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻的磁場(chǎng)，需要滿足的條件不同。下面以第三線圈41和第四線圈42為圓形為例，對(duì)掩膜版搬運(yùn)線圈40產(chǎn)生磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻的磁場(chǎng)需要滿足的條件進(jìn)行推導(dǎo)。為了計(jì)算簡(jiǎn)便，這里僅以掩膜版搬運(yùn)線圈40在第三線圈41的軸線處產(chǎn)生的磁場(chǎng)為例進(jìn)行推導(dǎo)。

圖7為掩膜版搬運(yùn)線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻的磁場(chǎng)需滿足條件的推導(dǎo)示意圖。參見圖7，考慮該掩膜版搬運(yùn)線圈40中第三線圈41和第四線圈42的半徑相等，均為R₂。第三電流的電流值與第三線圈41的匝數(shù)的乘積和第四電流的電流值與第四線圈42的匝數(shù)的乘積均為I₂。第三線圈41和第四線圈42的軸線重合。第三線圈41(或第四線圈42)的軸線與第三線圈41所在平面相交于一點(diǎn)G,該軸線與第四線圈42所在平面相交于一點(diǎn)H。其中線段GH的長(zhǎng)度即為第三線圈41和第四線圈42之間距離。線段GH的中點(diǎn)為O。以O(shè)為坐標(biāo)原點(diǎn)，以任意一條平行于第三線圈41(或第四線圈42)所在平面的直線為X軸，以第三線圈41(或第四線圈42)的軸線所在直線為Z軸建立直角坐標(biāo)系。則對(duì)于該掩膜版搬運(yùn)線圈40在軸線上C點(diǎn)處形成的磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B_z3為：

其中，μ₀為真空磁導(dǎo)率，d₂為第三線圈41和第四線圈42之間距離的一半，z_C為C點(diǎn)與O點(diǎn)的距離。

由于B_z3為奇函數(shù)。為了使得磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度在Z＝0附近均勻，令z趨于0時(shí)，得到即當(dāng)?shù)谌€圈41和第四線圈42之間的距離2d₂等于第三線圈41(或第四線圈42)半徑R₂的倍時(shí)，掩膜版搬運(yùn)線圈40所形成的磁場(chǎng)存在磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻的區(qū)域。此時(shí)，該第三線圈41和第四線圈42共同構(gòu)成反亥姆霍茲線圈。

下面利用仿真的方法對(duì)反亥姆霍茲線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度分布情況進(jìn)行分析。參見圖7，令第三線圈41的半徑R₂和第四線圈42的半徑R₂均為1m，第三線圈41和第四線圈42之間的距離2d₂為1.732m，向第三線圈41和第四線圈42分別通入特定大小的第三電流和第四電流，該第三線圈41和第四線圈42之間形成的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度分布示意圖如圖8a、圖8b以及圖8c所示。在圖8a和圖8b中縱軸表示反亥姆霍茲線圈的軸向方向(即第三線圈41或第四線圈42的軸向方向)，對(duì)應(yīng)圖7中Z軸方向。在圖8a和圖8c中橫軸表示反亥姆霍茲線圈的徑向方向，對(duì)于圖7中X軸方向，該徑向方向與軸向方向垂直。在圖8a中曲線上的數(shù)值以及圖8b的橫坐標(biāo)和圖8c的縱坐標(biāo)均表示磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度，單位為毫特斯拉每米(mT/m)。

從圖8a可以發(fā)現(xiàn)，第三線圈41和第四線圈42中間存在磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻的區(qū)域。圖8b對(duì)應(yīng)圖7中與Z軸平行且距Z軸0.4m(即X＝0.4m)的線段KJ上的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度分布示意圖。從圖8b可以發(fā)現(xiàn)，在Z＝-0.5m到Z＝0.5m處磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度變化平緩。圖8c表示Z＝0時(shí)，磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度沿徑向分布的示意圖。從圖8c可以發(fā)現(xiàn)，磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度沿徑向方向雖然存在微小的變化，但在誤差允許的范圍內(nèi)，該磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度的微小變化可以忽略。

上述仿真數(shù)據(jù)說明，對(duì)第三線圈41和第四線圈42上分別通入第三電流和第四電流，確實(shí)可以在較大區(qū)域內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻的磁場(chǎng)。

令圖9中第一線圈21和第二線圈22的半徑R₁為1.732m、第三線圈41以及第四線圈42的半徑R₂均為1m，第三線圈41和第四線圈42之間的距離d₁和第一線圈21和第二線圈22之間的距離d₂均為1.732m，第一線圈21和第三線圈41位于同一平面中，第二線圈22和第四線圈42位于同一平面中。則掩膜版31在圖9中提供的蒸鍍?cè)O(shè)備中各位置處因磁場(chǎng)而產(chǎn)生的加速度的分布情況如圖10a、圖10b和圖10c所示。在圖10a和圖10b中縱軸表示掩膜版搬運(yùn)線圈40(或掩膜版支撐線圈20)的軸向方向，對(duì)應(yīng)圖9中Z軸方向。在圖10a和圖10c中橫軸表示掩膜版搬運(yùn)線圈40(或掩膜版支撐線圈20)的徑向方向，對(duì)應(yīng)圖9中X軸方向，該徑向方向與軸向方向垂直。在圖10a中曲線上的數(shù)值以及圖10b的橫坐標(biāo)和圖10c的縱坐標(biāo)均表示掩膜版31在該位置處因磁場(chǎng)而產(chǎn)生的沿Z軸方向的加速度，單位均為米每二次方秒(m/s²)。

從圖10a可以發(fā)現(xiàn)，掩膜版31在第三線圈41和第四線圈42之間特定區(qū)域內(nèi)加速度極為均勻。圖10b為圖9中與Z軸平行且距Z軸0.4m(即X＝0.4m)線段LM上的加速度的分布示意圖。從圖10b可以發(fā)現(xiàn)，軸線方向(即Z軸方向)上，掩膜版31加速度在較大范圍內(nèi)近似為線性分布且接近重力加速度。圖10c表示Z(Z＞0)取不同值時(shí)加速度沿徑向分布的示意圖。從圖10c可以發(fā)現(xiàn)，隨著X值的不斷增大，離軸線(Z軸)較近處的加速度幾乎無變化。離軸線(X軸)較遠(yuǎn)處的加速度雖然存在變化，但是加速度變化很小。需要說明的是圖10c中Z值增加3cm(對(duì)應(yīng)從Z＝z4增加至Z＝z7)時(shí)，加速度的變化量?jī)H為重力加速度的0.15倍，無疑，這對(duì)于控制掩膜版31的移動(dòng)速度十分有利。

本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案通過在蒸鍍?cè)O(shè)備內(nèi)設(shè)置掩膜版支撐線圈和掩膜版搬運(yùn)線圈，可以使得在掩膜版處于靜止?fàn)顟B(tài)時(shí)，由于掩膜版支撐線圈可以在掩膜版設(shè)置區(qū)域內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)，使得掩膜版受到的來自掩膜版支撐線圈的吸引力等于或略大于掩膜版重力。這樣可以使得掩膜版受力平衡，避免出現(xiàn)掩膜版因受力不平衡而發(fā)生形變的不良現(xiàn)象產(chǎn)生。在掩膜版處于運(yùn)動(dòng)狀態(tài)時(shí)，通過控制掩膜版搬運(yùn)線圈上的電流大小，可以達(dá)到控制掩膜版運(yùn)動(dòng)的加速度大小，進(jìn)而控制掩膜版的移動(dòng)速度，以防掩膜版以極大速度的撞擊到玻璃基板上，造成掩膜版褶皺或玻璃基板內(nèi)部柱狀隔墊物擦傷的不良現(xiàn)象出現(xiàn)，影響蒸鍍效果或顯示效果。同時(shí)本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版在定位的過程中，豎直方向上受力的變化較小，水平方向上受力幾乎為零，掩膜不會(huì)以很大的速度撞擊玻璃基板，避免了掩膜版的受損以及PS柱的擦傷問題。

在具體設(shè)計(jì)時(shí)，掩膜版支撐線圈和掩膜版搬運(yùn)線圈的尺寸以及位置關(guān)系可以有多種。例如，如圖9中，設(shè)置掩膜版支撐線圈20中第一線圈21和第二線圈22之間的距離d₁等于掩膜版搬運(yùn)線圈40中第三線圈41和第四線圈42之間的距離d₂，第一線圈21和第三線圈41位于同一平面，第二線圈22和第四線圈42位于同一平面，這僅是本發(fā)明的一個(gè)具體示例，而非對(duì)本發(fā)明的限制?？蛇x地，如圖11，還可以設(shè)置第一線圈21的半徑R₁、第二線圈22的半徑R₁、第三線圈41的半徑R₂和第四線圈42的半徑R₂均相同，并且第一線圈21、第二線圈22、第三線圈41和第四線圈42位于不同平面。

在實(shí)際蒸鍍中，參見圖11，掩膜版31的形狀有多種，如圓形、方形、多邊形、橢圓形或跑道形等。在蒸鍍時(shí)，需要根據(jù)掩膜版31的尺寸和形狀選擇合適尺寸和形狀的掩膜版支撐線圈20和掩膜版搬運(yùn)線圈40，以確保掩膜版31全部落入磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻且磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻的區(qū)域內(nèi)。示例性地，若掩膜版31的形狀為矩形，需確保第三線圈41的半徑R₂大于掩膜版31的長(zhǎng)邊m的邊長(zhǎng)。

在具體設(shè)計(jì)時(shí)，掩膜版支撐線圈20和掩膜版搬運(yùn)線圈40上的電流可以相等也可以不相等。考慮到掩膜版支撐線圈20(或掩膜版搬運(yùn)線圈40)上電流越大，該掩膜版支撐線圈20(或掩膜版搬運(yùn)線圈40)上產(chǎn)生熱量越多。若掩膜版支撐線圈20(或掩膜版搬運(yùn)線圈40)長(zhǎng)時(shí)間工作，易燒毀該掩膜版支撐線圈20(或掩膜版搬運(yùn)線圈40)。因此,可選地,為該掩膜版支撐線圈20和掩膜版搬運(yùn)線圈40配以冷卻設(shè)備。為了便于更好的冷卻，可選地，第一電流的電流值和第三電流的電流值的比值大于或等于0.1且小于或等于10。典型地，第一電流的電流值等于第三電流的電流值。

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種蒸鍍?cè)O(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。與圖9和圖11相比，該掩膜版支撐線圈中第一線圈和第二線圈的形狀為正四邊形。參見圖12，該掩膜版支撐線圈20中第一線圈21和第二線圈22的形狀為正四邊形。第一線圈21的邊長(zhǎng)與第二線圈22的邊長(zhǎng)相等，且第一線圈21和第二線圈22之間的距離等于第一線圈21的邊長(zhǎng)的0.5445倍。

參見圖12，這里設(shè)置第一線圈21和第二線圈22之間的距離等于第一線圈21的邊長(zhǎng)的0.5445倍的原因是，令第一線圈21和第二線圈22的邊長(zhǎng)均為a₁，第一線圈21和第二線圈22之間的距離為d₃。第一電流的電流值與第一線圈的匝數(shù)的乘積和第二電流的電流值與第二線圈的匝數(shù)的乘積均為I₃。掩膜版支撐線圈20的軸線(即第一線圈21的軸線或第二線圈的軸線22)與第一線圈21所在平面的交點(diǎn)為Q。掩膜版支撐線圈20的軸線與第二線圈22所在平面的交點(diǎn)為N。點(diǎn)Q和點(diǎn)N連線的中點(diǎn)為點(diǎn)O。掩膜版支撐線圈20的軸線上任意一點(diǎn)P處磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度B_z4為

其中，μ₀為真空磁導(dǎo)率，z_P為點(diǎn)P與點(diǎn)O之間的距離。

由于B_z4為偶函數(shù)。為了使得Z＝0位置附近磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻，令Z趨于0時(shí)，得到d₃≈0.5445a₁。即當(dāng)?shù)谝痪€圈21和第二線圈31之間的距離d₃等于第一線圈21的邊長(zhǎng)a₁的0.5445倍時(shí)，掩膜版支撐線圈20可以形成磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)。

繼續(xù)參見圖12，蒸鍍?cè)O(shè)備還可以包括一組掩膜版搬運(yùn)線圈40。該掩膜版搬運(yùn)線圈40中第三線圈41和第四線圈42的形狀為正四邊形，且第三線圈41和第四線圈42的邊長(zhǎng)相等；第三線圈41和第四線圈42之間的距離等于第三線圈41邊長(zhǎng)的0.94585倍。其中，第三線圈41和第一線圈21位于同一平面上，第四線圈42和第二線圈22位于同一平面上。即第一線圈21和第二線圈22之間的距離等于第三線圈41和第四線圈42之間的距離。

這里設(shè)置第三線圈41和第四線圈42之間的距離等于第三線圈41邊長(zhǎng)的0.94585倍的原因是，令第三線圈41和第四線圈42的邊長(zhǎng)均為a₂，第三線圈41和第四線圈42之間的距離為d₃。第三電流的電流值與第三線圈的匝數(shù)的乘積和第四電流的電流值與第四線圈的匝數(shù)的乘積均為I₄。掩膜版搬運(yùn)線圈40的軸線(即第三線圈41或第四線圈42的軸線)與第三線圈41所在平面的交點(diǎn)為Q。掩膜版搬運(yùn)線圈40的軸線與第四線圈42所在平面的交點(diǎn)為N。點(diǎn)Q和點(diǎn)N連線的中點(diǎn)為點(diǎn)O。掩膜版搬運(yùn)線圈40的軸線上任意一點(diǎn)P處磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度B_z5為

其中，μ₀為真空磁導(dǎo)率，z_P為點(diǎn)P與點(diǎn)O之間的距離。

由于B_z5為奇函數(shù)。為了使得磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度在Z＝0附近均勻，令Z趨于0時(shí)，得到d₃≈0.94585a₂。即當(dāng)?shù)谌€圈41和第四線圈42之間的距離d₃等于第三線圈41邊長(zhǎng)a₂的0.94585倍時(shí)，掩膜版搬運(yùn)線圈40所形成的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻。

同理，圖12中設(shè)置掩膜版支撐線圈20中第一線圈21和第二線圈22之間的距離等于掩膜版搬運(yùn)線圈40中第三線圈41和第四線圈42之間的距離，第一線圈21和第三線圈41位于同一平面，第二線圈22和第四線圈42位于同一平面，這僅是本發(fā)明的一個(gè)具體示例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。在具體設(shè)計(jì)時(shí)，掩膜版支撐線圈20和掩膜版搬運(yùn)線圈40的尺寸以及位置關(guān)系可以有多種。可選地，如圖13所示，第一線圈21的邊長(zhǎng)a₁、第二線圈22的邊長(zhǎng)a₁、第三線圈41的邊長(zhǎng)a₂和第四線圈42的邊長(zhǎng)a₂相同，并且第一線圈21、第二線圈22、第三線圈41和第四線圈42位于不同平面。

在實(shí)際蒸鍍中，掩膜版31的形狀有多種，如圓形、方形、多邊形等。在蒸鍍時(shí)，需要根據(jù)掩膜版31的尺寸和形狀選擇合適尺寸和形狀的掩膜版支撐線圈20和掩膜版搬運(yùn)線圈40，以確保掩膜版31全部落入磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻且磁場(chǎng)強(qiáng)度梯度均勻的區(qū)域內(nèi)。示例性地，若掩膜版31的形狀為矩形；采用圖13中提供的蒸鍍?cè)O(shè)備時(shí)，需確保第三線圈41的邊長(zhǎng)a₂大于掩膜版31的長(zhǎng)邊的邊長(zhǎng)m。

進(jìn)一步地，為了防止掩膜版支撐線圈20(或掩膜版搬運(yùn)線圈40)因長(zhǎng)時(shí)間工作而易燒毀。可選地，為該掩膜版支撐線圈20和掩膜版搬運(yùn)線圈40配以冷卻設(shè)備。為了便于更好的冷卻，可以設(shè)置第一電流的電流值和第三電流的電流值的比值大于或等于0.1且小于或等于10。典型地，第一電流的電流值等于第三電流的電流值。

在上述各技術(shù)方案提供的蒸鍍?cè)O(shè)備中掩膜版支撐線圈均包括兩個(gè)線圈。在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，掩膜版支撐線圈可以包括三個(gè)線圈、四個(gè)線圈、五個(gè)線圈或者更多的線圈。下面就幾種典型的掩膜版支撐線圈進(jìn)行說明。

圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種掩膜版支撐線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。與上述各技術(shù)方案相比，圖14中提供的蒸鍍?cè)O(shè)備中掩膜版支撐線圈20共包括三個(gè)線圈。具體地，參見圖14，該掩膜版支撐線圈20包括第一線圈21、第二線圈22和第五線圈23；第五線圈23設(shè)置于第一線圈21和第二線圈22之間，且與第一線圈21和第二線圈22同軸設(shè)置；第五線圈23上通入第五電流，以配合第一線圈21和第二線圈22，在掩膜版設(shè)置區(qū)域30內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)。

圖14中第一線圈21、第二線圈22和第五線圈23的形狀為圓形，這僅是本發(fā)明的一個(gè)具體示例，而非對(duì)本發(fā)明的限制，在具體設(shè)置時(shí)，該掩膜版支撐線圈中各線圈形狀可以為圓形、多邊形、橢圓形或跑道形等。參見圖15，該掩膜版支撐線圈20中第一線圈21、第二線圈22和第五線圈23的形狀均為正四邊形。進(jìn)一步地，可以設(shè)置第一線圈21、第二線圈22和第五線圈23的邊長(zhǎng)相等；第一線圈21和第五線圈23之間的距離以及第二線圈22和第五線圈23之間的距離均等于第一線圈21(或第二線圈22或第五線圈23)的邊長(zhǎng)的0.4106倍。

圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種掩膜版支撐線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。與上述各技術(shù)方案相比，圖16中提供的蒸鍍?cè)O(shè)備中掩膜版支撐線圈20共包括四個(gè)線圈。具體地，參見圖16，該掩膜版支撐線圈20包括第一線圈21、第二線圈22、第五線圈23和第六線圈24；第五線圈23和第六線圈24設(shè)置于第一線圈21和第二線圈22之間，且與第一線圈21和第二線圈22同軸設(shè)置；第一線圈21、第五線圈23、第六線圈24和第二線圈22沿軸向依次排列；第五線圈23上通入第五電流，第六線圈24上通入第六電流，以配合第一線圈21和第二線圈22，在掩膜版設(shè)置區(qū)域30內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)。

同樣地，在具體設(shè)置時(shí)，該掩膜版支撐線圈中各線圈可以為圓形、多邊形、橢圓形或跑道形等?？蛇x地，參見圖16，若第一線圈21、第二線圈22、第五線圈23和第六線圈24的形狀均為圓形，可以設(shè)置第一線圈21、第二線圈22、第五線圈23和第六線圈24的半徑相等；第一線圈21和第五線圈23之間的距離以及第六線圈26和第二線圈22之間的距離均等于第一線圈21的半徑的0.6966倍，第五線圈23和第六線圈24之間的距離等于第一線圈21的半徑的0.4864倍。在本申請(qǐng)上述實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，第一線圈21、第二線圈22、第五線圈23和第六線圈24的匝數(shù)相同，各線圈所通入的電流大小滿足：第一電流、第五電流、第六電流、以及第二電流的比值為9:4:4:9。

參見圖17，若第一線圈21、第二線圈22、第五線圈23和第六線圈24的形狀均為正四邊形，可以設(shè)置第一線圈21、第二線圈22、第五線圈23和第六線圈24的邊長(zhǎng)相等；第一線圈21和第五線圈23之間的距離以及第六線圈24和第二線圈22之間的距離均等于第一線圈21的邊長(zhǎng)的0.3774倍，第五線23圈和第六線圈24之間的距離等于第一線圈21的半徑的0.2562倍。

圖18為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種掩膜版支撐線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。與上述各技術(shù)方案相比，圖18中提供的蒸鍍?cè)O(shè)備中掩膜版支撐線圈20共包括五個(gè)線圈。具體地，參見圖18，該掩膜版支撐線圈20包括第一線圈21、第二線圈22、第五線圈23、第六線圈24和第七線圈25；第五線圈23、第六線圈24和第七線圈25設(shè)置于第一線圈21和第二線圈22之間，且與第一線圈21和第二線圈22同軸設(shè)置；第一線圈21、第五線圈23、第六線圈24、第七線圈25和第二線圈22沿軸向依次排列；第五線圈23上通入第五電流，第六線圈24上通入第六電流，第七線25圈上通入第七電流，以配合第一線圈21和第二線圈22，在掩膜版設(shè)置區(qū)域30內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)。

同樣地，在具體設(shè)置時(shí)，該掩膜版支撐線圈中各線圈的形狀可以為圓形、多邊形、橢圓形或跑道形等。示例性地，參見圖18，若第一線圈21、第五線圈13、第六線圈24、第七線圈25和第二線圈22的形狀均為正四邊形，可以設(shè)置第一線圈21、第五線圈23、第六線圈24、第七線圈25和第二線圈22的邊長(zhǎng)相等；第一線圈21和第五線圈23之間的距離、第五線圈23和第六線圈24之間的距離、第六線圈24和第七線圈25之間的距離以及第七線圈25和第二線圈22之間的距離等于第一線圈21的邊長(zhǎng)的0.25倍。

需要說明的是，掩膜版支撐線圈包括的線圈的個(gè)數(shù)越多，掩膜版設(shè)置區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度越均勻。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)該理解，本申請(qǐng)實(shí)施例的掩膜版支撐線圈包括的線圈的個(gè)數(shù)可以不限于三個(gè)，四個(gè)或者五個(gè)，各線圈的尺寸，線圈上所加載的電流以及線圈之間的距離也可以根據(jù)線圈的個(gè)數(shù)不同進(jìn)行設(shè)置，從而構(gòu)成一組亥姆霍茲線圈，確保為掩膜版設(shè)置區(qū)域提供均勻的磁場(chǎng)強(qiáng)度。

在上述各技術(shù)方案中僅提供了蒸鍍?cè)O(shè)備包括一組掩膜版搬運(yùn)線圈的情況。在實(shí)際設(shè)置中，蒸鍍?cè)O(shè)備中還可以包括兩組或兩組以上的掩膜版搬運(yùn)線圈。圖19中示例性地給出一種包括兩組掩膜版搬運(yùn)線圈的蒸鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖19，該蒸鍍?cè)O(shè)備包括第一組掩膜版搬運(yùn)線圈401和第二組掩膜版搬運(yùn)線圈402。第一組掩膜版搬運(yùn)線圈401和第二組掩膜版搬運(yùn)線圈402的軸線重合。在第一組掩膜版搬運(yùn)線圈401中，第三線圈41和第四線圈42的形狀為圓形，且第三線圈41和第四線圈42的半徑均等于第三線圈41和第四線圈42之間的距離的0.74倍。在第二組掩膜版搬運(yùn)線圈402中，第三線圈41和第四線圈42的形狀為圓形，且第三線圈41和第四線圈42的半徑均等于第三線圈41和第四線圈42之間的距離的0.27倍。第一組掩膜版搬運(yùn)線圈401中的第三線圈41和第二組掩膜版搬運(yùn)線圈402中的第三線圈41位于同一平面上，且第一組掩膜版搬運(yùn)線圈401中的第四線圈42和第二組掩膜版搬運(yùn)線圈402中的第四線圈42位于同一平面上。

蒸鍍?cè)O(shè)備中，包括的掩膜版搬運(yùn)線圈的組數(shù)越多，掩膜版設(shè)置區(qū)域中磁場(chǎng)的磁場(chǎng)梯度越均勻。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)該理解，本申請(qǐng)實(shí)施例的掩膜版搬運(yùn)線圈的組數(shù)可以不限于一組或者兩組，其還可以是由同軸設(shè)置的線圈間距離相等，半徑逐漸減小的多組反亥姆霍茲線圈相互嵌套構(gòu)成，從而確保為掩膜版設(shè)置區(qū)域提供均勻的磁場(chǎng)梯度。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供了多種掩膜版支撐線圈，以及多種掩膜版搬運(yùn)線圈。在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，可以選擇任意一種掩膜版支撐線圈以及任意一種掩膜版搬運(yùn)線圈組合形成包括掩膜版支撐線圈和掩膜版搬運(yùn)線圈的蒸鍍?cè)O(shè)備。

可選地，上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，該蒸鍍?cè)O(shè)備還可以包括冷卻設(shè)備，以對(duì)掩膜版支撐線圈和掩膜版搬運(yùn)線圈進(jìn)行冷卻,或者冷卻設(shè)備設(shè)置為只對(duì)掩膜版支撐線圈或掩膜版搬運(yùn)線圈的其中之一進(jìn)行冷卻，本申請(qǐng)對(duì)此不作限定，具體視情況而定。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例利用掩膜版支撐線圈在掩膜版設(shè)置區(qū)域內(nèi)形成磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻的磁場(chǎng)，以使位于該掩膜版設(shè)置區(qū)域內(nèi)的掩膜版的中央?yún)^(qū)域受力平衡，解決了現(xiàn)有的蒸鍍?cè)O(shè)備中支撐架從掩膜版的邊緣固定該掩膜版，掩膜版因中央?yún)^(qū)域受力不平衡易發(fā)生形變，進(jìn)而影響蒸鍍效果的問題，實(shí)現(xiàn)了防止掩膜版因中央?yún)^(qū)域受力不平衡而發(fā)生形變的不良現(xiàn)象產(chǎn)生，提高蒸鍍?cè)O(shè)備的蒸鍍效果的目的。同時(shí)本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜版在定位的過程中，豎直方向上受力的變化較小，水平方向上受力幾乎為零，掩膜不會(huì)以很大的速度撞擊玻璃基板，避免了掩膜版的受損以及PS柱的擦傷問題。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。