1.一種濺射裝置，其在真空室內(nèi)在被成膜部件上形成膜，該濺射裝置的特征在于，其具備：
陰極，其設置有靶材；
氣體供給部，其向真空室內(nèi)供給氣體；
發(fā)光強度檢測器，其對形成膜時產(chǎn)生的等離子體的發(fā)光強度進行檢測；
多個光導入部，它們將所述等離子體的光導入到所述發(fā)光強度檢測器；和
切換開關部，其用于將所述發(fā)光強度檢測器選擇性地與所述多個光導入部中的任一個連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其特征在于，
該濺射裝置具備控制機構(gòu)，所述控制機構(gòu)對來自所述氣體供給部的氣體的供給量進行控制，使得由所述發(fā)光強度檢測器檢測出的發(fā)光強度成為預先設定的發(fā)光強度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其特征在于，
所述濺射裝置具備開關控制機構(gòu)，所述開關控制機構(gòu)對所述切換開關部進行控制，使得所述發(fā)光強度檢測器周期性地與多個所述光導入部中的任一個依次連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射裝置，其特征在于，
所述濺射裝置具備開關控制機構(gòu)，所述開關控制機構(gòu)對所述切換開關部進行控制，使得所述發(fā)光強度檢測器周期性地與多個所述光導入部中的任一個依次連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的濺射裝置，其特征在于，
所述光導入部具有準直結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射裝置，其特征在于，
所述光導入部具備：導入部件，其具有貫通孔；和準直透鏡，其被設置于所述貫通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射裝置，其特征在于，
所述光導入部具備：導入部件，其具有貫通孔；和連接部，其與光纖連接，所述光纖將所述等離子體的光向所述發(fā)光強度檢測部引導，
所述貫通孔的靠所述連接部側(cè)的直徑小于所述等離子體的光入射的一側(cè)的直徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濺射裝置，其特征在于，
在所述導入部件與所述連接部之間具備防附著部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射裝置，其特征在于，
所述光導入部具備吹掃用氣體導入部，該吹掃用氣體導入部用于向所述導入部件的內(nèi)部導入吹掃用氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的濺射裝置，其特征在于，
所述切換開關部具有切換端子，所述切換端子用于將所述發(fā)光強度檢測器連接于校正光源。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的濺射裝置，其特征在于，
所述控制機構(gòu)具備滯后特性取得單元，所述滯后特性取得單元自動地增減氣體而自動取得當時的指定波長的發(fā)光強度，并將該發(fā)光強度以圖表化的方式顯示在與控制機構(gòu)的CPU部連接的顯示器上。
12.一種膜的制造方法，在該膜的制造方法中采用濺射法在被成膜部件上形成膜，該膜的制造方法的特征在于，包括如下工序：
將被成膜部件設置在真空室內(nèi)的工序；
對導入到所述真空室內(nèi)的氣體流量進行調(diào)整的工序；和
對設置有靶材的陰極施加電壓而產(chǎn)生等離子體的工序，
利用一個發(fā)光強度檢測器在多處依次檢測所述等離子體的發(fā)光強度，并對所述氣體流量進行調(diào)整，使得檢測結(jié)果成為規(guī)定的發(fā)光強度。
13.一種電子器件的制造方法，該電子器件的制造方法至少具有如下工序：在真空室內(nèi)采用濺射法形成膜的工序；以及按照從由蒸鍍、CVD、涂布構(gòu)成的組中選擇的至少一種方法形成膜的工序，該電子器件的制造方法的特征在于，
在采用所述濺射法形成膜的工序中，
利用一個發(fā)光強度檢測器在多處依次檢測等離子體的發(fā)光強度，并對向所述真空室導入的氣體流量進行調(diào)整，使得檢測結(jié)果成為規(guī)定的發(fā)光強度。