1.一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：設(shè)置有鑄造系統(tǒng)及用于鑄造系統(tǒng)控制的控制系統(tǒng)，在所述鑄造系統(tǒng)內(nèi)設(shè)置有加熱裝置(4)、密閉裝置、浸入式射管(6)及模具(7)，所述密閉裝置設(shè)置在加熱裝置(4)的進(jìn)料口處，加熱裝置(4)的出料口與浸入式射管(6)的進(jìn)口相連接，浸入式射管(6)的出口與模具(7)的注料口相連接；在加熱裝置(4)的加熱腔內(nèi)部設(shè)置有溫度探測(cè)器(1)，所述控制系統(tǒng)分別與溫度探測(cè)器(1)和鑄造系統(tǒng)的加熱電路相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：在所述密閉裝置內(nèi)設(shè)置有澆口盤(pán)(3)和用于密閉澆口盤(pán)(3)澆口的澆口塞(2)，所述澆口盤(pán)(3)遮蓋設(shè)置在加熱裝置(4)的進(jìn)料口處，且在空間位置上至上而下密閉裝置、加熱裝置(4)、浸入式射管(6)及模具(7)依次設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：所述溫度探測(cè)器(1)至少有兩個(gè)，且分別設(shè)置在加熱裝置(4)的加熱腔與密閉裝置連接處及加熱裝置(4)的加熱腔與浸入式射管(6)的進(jìn)口連接處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：所述浸入式射管(6)為上大下小的漏斗狀結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：在所述控制系統(tǒng)內(nèi)設(shè)置有模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、中央處理器、數(shù)模轉(zhuǎn)換電路、顯示電路及調(diào)節(jié)電路，所述溫度探測(cè)器(1)連接模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，模數(shù)轉(zhuǎn)換電路連接中央處理器，中央處理器分別與顯示電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路相連接，模數(shù)轉(zhuǎn)換電路連接調(diào)節(jié)電路，調(diào)節(jié)電路與加熱電路相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：在所述調(diào)節(jié)電路內(nèi)設(shè)置有PLC控制電路、調(diào)溫開(kāi)關(guān)、交流接觸器及加熱器控制開(kāi)關(guān)，所述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路連接PLC控制電路，PLC控制電路分別與調(diào)溫開(kāi)關(guān)和交流接觸器相連接，交流接觸器連接加熱器控制開(kāi)關(guān)，調(diào)溫開(kāi)關(guān)設(shè)置在加熱電路的溫度調(diào)節(jié)電路上，加熱器控制開(kāi)關(guān)設(shè)置在加熱電路的供電電路上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：所述顯示電路采用觸摸顯示電路結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：所述顯示電路采用觸摸顯示電路結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：所述中央處理器采用STM32F7x9 Cortex-M7超高性能MCU。
10.根據(jù)權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的一種帶溫度檢測(cè)功能的低溫鑄造系統(tǒng)，其特征在于：所述中央處理器采用STM32F7x9 Cortex-M7超高性能MCU。