本發(fā)明涉及一種釩氧化物薄膜制備方法。
背景技術(shù)：
熱致變色材料在不同環(huán)境溫度中材料顏色會發(fā)牛相應(yīng)變化。例如半導(dǎo)體、液晶和金屬導(dǎo)體等。能在臨界溫度下發(fā)生這種顏色變化效應(yīng)的大多是有機(jī)物，也有部分無機(jī)物，其中釩氧化物薄膜就是這種材料。釩具有多種化合價，因此釩氧化物具有多種結(jié)構(gòu)形式。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提出一種釩氧化物薄膜制備方法。
一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：
（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；
（2）將真李室的壓強(qiáng)抽低至千分之一Pa；
（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；
（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強(qiáng)達(dá)1Pa；
（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃。
優(yōu)選地，所述釩金屬靶直徑為70mm。
優(yōu)選地，所述沉積時間為40min。
優(yōu)選地，所述步驟（5）的溫度變化為從室溫變化至400℃。
本發(fā)明所述工藝制備的薄膜，具有低的透過值，雙振蕩的經(jīng)典模型與實(shí)驗(yàn)測量透過結(jié)果符合得很好。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1。
一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：
（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；
（2）將真李室的壓強(qiáng)抽低至千分之一Pa；
（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；
（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強(qiáng)達(dá)1Pa；
（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃。
實(shí)施例2。
一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：
（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；
（2）將真李室的壓強(qiáng)抽低至千分之一Pa；
（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；
（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強(qiáng)達(dá)1Pa；
（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃；
（6）所述釩金屬靶直徑為70mm。
實(shí)施例3。
一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：
（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；
（2）將真李室的壓強(qiáng)抽低至千分之一Pa；
（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；
（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強(qiáng)達(dá)1Pa；
（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃；
（6）所述釩金屬靶直徑為70mm；
（7）所述沉積時間為40min。
實(shí)施例3。
一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：
（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；
（2）將真李室的壓強(qiáng)抽低至千分之一Pa；
（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；
（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強(qiáng)達(dá)1Pa；
（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃；
（6）所述釩金屬靶直徑為70mm；
（7）所述沉積時間為40min；
（8）所述步驟（5）的溫度變化為從室溫變化至400℃。