本發(fā)明屬于磁性材料的表面處理技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種用于釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法。
背景技術(shù)：
釹鐵硼鐵氧體作為稀土永磁材料，具有優(yōu)異的磁性能，良好的機械加工特性和相對低廉的價格，在自動化、計算機、家電、通訊等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。但釹鐵硼鐵氧體材料化學穩(wěn)定性差，在使用環(huán)境中易于氧化，而且在濕熱條件下會發(fā)生嚴重的化學腐蝕，惡化磁性能并影響磁體的使用壽命。
目前解決釹鐵硼鐵氧體腐蝕問題的主要方法是在磁體表面沉積一層防腐蝕層，主要的處理工藝有電鍍法或化學鍍等表面處理工藝，但這兩種工藝均有明顯的缺陷，就是在生產(chǎn)過程中有大量的廢水產(chǎn)生，并且這類廢水的處理難度高危害大。使用電鍍時電能消耗大，不利于節(jié)能，不符合環(huán)保及節(jié)能要求。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種新的釹鐵硼鐵氧體防腐處理的新方法，該方法在生產(chǎn)過程中沒有大量的污水產(chǎn)生，并且同電鍍相比用電量要小。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：
釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法，其步驟是首先是前處理，將釹鐵硼鐵氧體進行除油，出光，漂洗、活化，再漂洗等處理，以保證釹鐵硼鐵氧體的外表面清潔和光滑。
其次是在釹鐵硼鐵氧體表面采用離子注入方式先注入錫然后再注入防腐材質(zhì)；然后在釹鐵硼鐵氧體表面形成金屬氧化層或鍍層或防腐層。
所述的防腐材質(zhì)為金屬鎳。
所述離子注入用能量為42-45KeV量級；
所述共絡(luò)層厚度為15-40nm。
所述錫的注入量為10mg/cm2-20mg/cm2，、鎳的注入量為25mg/cm2-40mg/cm2。
本發(fā)明技術(shù)方案同現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：
通過本處理工藝，通過將防腐蝕劑直接滲入到釹鐵硼鐵氧體的表面體內(nèi)部，防腐層不會脫落，加上其它的防腐蝕方式，明顯提高釹鐵硼鐵氧體的耐腐蝕性能，并且在生產(chǎn)過程環(huán)境污染小，符合國家節(jié)能環(huán)保要求。
具體實施方式
以下具體描述本發(fā)明的實施方式。
首先取釹鐵硼鐵氧體的坯體，也可以根據(jù)需要選取其它型號或形狀的釹鐵硼鐵氧體材料，對釹鐵硼鐵氧體的坯體進行前處理，將釹鐵硼鐵氧體進行除油，出光，漂洗、活化，再漂洗等處理，以保證釹鐵硼鐵氧體的外表面清潔和光滑。
其次是在釹鐵硼鐵氧體表面采用離子注入方式先注入錫然后再注入防腐材質(zhì)；然后在釹鐵硼鐵氧體表面形成金屬氧化層或鍍層或防腐層。
所述的防腐材質(zhì)為金屬鎳。
所述離子注入用能量為42-45KeV量級.。
所述共絡(luò)層厚度為15-40nm。
所述錫的注入量為10mg/cm2-20mg/cm2，、鎳的注入量為25mg/cm2-40mg/cm2。
本發(fā)明的所述離子注入用能量為42-45KeV量級；具體注入能量的選用是根據(jù)材料的用途或確定的注入厚度來選用的，在本發(fā)明中注入非晶態(tài)物質(zhì)的厚度為15-40nm，當材料使用的環(huán)境不惡劣或要求等級不高時選擇注入的厚度低，因此注入用的能量也相應(yīng)降低；當材料使用的環(huán)境惡劣，注入的厚度要厚，因此注入的能量也相應(yīng)提高。在本發(fā)明中所使用的注入能量、注入厚度及單位用量均不是最終定量，只是相對較佳的數(shù)據(jù)，根據(jù)實際需要可以進行調(diào)整，比如注入能量可能會達到100KeV量級甚至是120KeV量級；注入厚度也可能會達到75nm；單位注入用量也可能會達到80mg/cm2。但本專利所要求的最低數(shù)據(jù)為基本數(shù)據(jù)，若低于最低數(shù)據(jù)則防腐蝕性能無法達到最佳。