本發(fā)明涉及干蝕刻領域，具體是干蝕刻清洗剝離防護液。

背景技術：

金屬蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。金屬蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。

通常所指金屬蝕刻也稱光化學金屬蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯影后，將要金屬蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在金屬蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經過不斷改良和工藝設備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密金屬蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，金屬蝕刻更是不可或缺的技術。

在鋁金屬干蝕刻的技術上，鋁金屬的表面損壞是一個嚴重的問題，工業(yè)上現在有幾種方式防止或減少鋁金屬的腐蝕，一是用溫和的材料做防護劑，但通常無法徹底清除殘余物質，二是用反腐劑，但通常的反腐劑材料是有毒性的，三是在清洗剝離過程中加PH控制材料減少腐蝕程度，但這樣處理程度就會比較復雜了。目前還沒有一種天然的化學產品 ，即可以達到防止或減少鋁金屬在干蝕刻過程中的腐蝕，又可以達到環(huán)保要求的干蝕刻清洗剝離專用的成分、生產工藝都比較簡單的防護產品。

技術實現要素：

本發(fā)明正是針對以上技術問題，提供一種天然的化學產品，即可以達到防止或減少鋁金屬在干蝕刻過程中的腐蝕，又可以達到環(huán)保要求的干蝕刻清洗剝離專用的成分、生產工藝都比較簡單的防護產品。

干蝕刻清洗剝離防護液，主要由四烷基季胺、油酸、有機溶劑組成，其中，各組份之間的比例為四烷基季胺：油酸：有機溶劑=25～30：0.1～8：65～70。有機溶劑為兩種有機溶劑混合組成。有機溶劑為二甲基亞砜與二乙二醇丁醚混合組成。干蝕刻清洗剝離防護液的使用溫度為50℃～90℃。

本發(fā)明還提供干蝕刻清洗剝離防護液的制備方法，包括以下步驟：1、制備混合溶液，將四烷基季胺加入器皿，邊攪拌邊加入有機溶劑；2、添加油酸，在步驟1中的混合溶液中加入油酸，然后通風攪拌30分鐘；3、將步驟2中的混合溶液經過0.2μm過濾。

本發(fā)明所述干蝕刻清洗剝離防護液的有益效果主要有：在干蝕刻清洗劑或剝離液中可以很簡單地消除或減少鋁金屬的腐蝕，而且不會對環(huán)境造成不良影響，同時配方簡單，易混合，而且成本低廉，使用溫度易控。

經試驗證明，將某些具有-COOH功能基團的其他有機酸取代本發(fā)明所述的油酸，雖然也能達到部分要求，但由于其來源及與金屬之間的結合等多方面原因，綜合性能比采用本發(fā)明所述油酸要稍差，因此，本發(fā)明選用油酸作為防護液主要成分。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。

實施例

將甲基亞砜：二乙二醇丁醚：四烷基季胺：油酸按50：20：28：2的比例準備好，先將甲基亞砜與二乙二醇丁醚制備成混合溶劑，充分混合后，在具有通風設備的非金屬單一材質混合槽中倒入四烷基季胺，然后將混合溶液邊攪拌邊加入，最后將油酸在通風攪拌的情況下加入混合槽，繼續(xù)通風攪拌30分鐘后，經0.2μm過濾后包裝待用。

經試驗，該干蝕刻清洗剝離防護液安全無毒，即可以達到防止或減少鋁金屬在干蝕刻過程中的腐蝕，又可以達到環(huán)保要求，同時配方簡單，易混合，而且成本低廉，使用溫度易控。