本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置。

背景技術(shù)：

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。目前實現(xiàn)量產(chǎn)的OLED制造技術(shù)均是采用真空蒸鍍的方法制備OLED材料薄膜。

真空蒸鍍法是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射至基板表面而凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。蒸發(fā)源是蒸發(fā)裝置的關(guān)鍵部件，按照蒸發(fā)源的形狀可分為點蒸發(fā)源、線蒸發(fā)源、面蒸發(fā)源等，根據(jù)蒸發(fā)源加熱方式的不同，蒸發(fā)源又可以分為，電阻加熱蒸發(fā)源、電子束加熱蒸發(fā)源、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源(High Frequency Induced Cell，HFIC)、以及激光束加熱蒸發(fā)源等。其中，電阻加熱蒸發(fā)源蒸鍍法就是使用鉭(Ta)等高熔點金屬做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源如加熱絲，通入直流電加熱，對蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，可用于熔點不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，因其設(shè)備構(gòu)造簡單、造價便宜、使用可靠，目前在實際生產(chǎn)中大量應(yīng)用。HFIC蒸鍍法是將裝有蒸發(fā)材料的坩堝放在銅(Cu)等金屬感應(yīng)線圈中央，使感應(yīng)線圈內(nèi)通入高頻電流，在高頻帶內(nèi)磁場的感應(yīng)下產(chǎn)生強(qiáng)大的渦流損失和磁滯損失，使蒸發(fā)材料升溫，直至汽化蒸發(fā)。HFIC所具有的特點是，蒸發(fā)速率大，蒸發(fā)材料為金屬時蒸發(fā)材料可產(chǎn)生熱量，適用于特殊材料的應(yīng)用，因此HFIC是普通電阻加熱蒸發(fā)源的重要補(bǔ)充。

如圖1所示，現(xiàn)有一種高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置，包括外坩堝(Outer Crucible)10、位于外坩堝10內(nèi)的內(nèi)坩堝(Inner Crucible)20、套設(shè)于外坩堝10外圍的感應(yīng)線圈30、設(shè)于感應(yīng)線圈30與外坩堝10之間的熱保溫層(Thermal Insulator)40、設(shè)于外坩堝10下方的熱電偶(Thermal Couple)50、及與所述感應(yīng)線圈30連接的射頻發(fā)生器60，其中所述外坩堝10采用導(dǎo)電性且耐高溫的材料，而所述內(nèi)坩堝20必須采用耐高溫性的化學(xué)性能穩(wěn)定的材料，以防止加熱過程中與蒸發(fā)材料之間發(fā)生反應(yīng)，使用過程中，感應(yīng)線圈30接受到來自射頻發(fā)生器60發(fā)射的交變電流而產(chǎn)生感應(yīng)磁場，外坩堝10在該感應(yīng)磁場下產(chǎn)生感應(yīng)電流而生成熱量，從而對內(nèi)坩堝20及放置內(nèi)坩堝20中的蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱，另外，該高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置還設(shè)置有工藝?yán)鋮s水(Process Cooling Water，PCW)通道以在使用時對感應(yīng)線圈30進(jìn)行冷卻。

隨著基板尺寸的增大，內(nèi)坩堝20的尺寸也隨之增大，上述高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置在使用過程中將存在以下不足之處：

1、位于遠(yuǎn)離內(nèi)坩堝20壁的蒸發(fā)材料難以充分加熱，從而產(chǎn)生局部加熱速率不均勻的現(xiàn)象；

2、位于靠近內(nèi)坩堝20壁的蒸發(fā)材料會因過加熱而裂化。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置，通過在內(nèi)坩堝內(nèi)設(shè)置具有導(dǎo)電性的射頻誘導(dǎo)加熱部件對蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱，能夠有效避免蒸發(fā)材料局部加熱速率不均勻、及局部過加熱而裂化的現(xiàn)象發(fā)生。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置，包括用于承載蒸發(fā)材料的內(nèi)坩堝、套設(shè)于內(nèi)坩堝外圍的感應(yīng)線圈、與所述感應(yīng)線圈連接的射頻發(fā)生器、及設(shè)于內(nèi)坩堝內(nèi)的射頻誘導(dǎo)加熱部件；

所述感應(yīng)線圈用于接收射頻發(fā)生器發(fā)射的交變電流而產(chǎn)生感應(yīng)磁場；所述射頻誘導(dǎo)加熱部件包括感應(yīng)內(nèi)核體，所述感應(yīng)內(nèi)核體具有導(dǎo)電性，在感應(yīng)線圈的感應(yīng)磁場中產(chǎn)生感應(yīng)電流并生成熱量，從而對蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱。

所述射頻誘導(dǎo)加熱部件還包括包覆電應(yīng)內(nèi)核體外表面的熱傳導(dǎo)層；

所述感應(yīng)內(nèi)核體的材料為鉭、或石墨，所述所述熱傳導(dǎo)層的材料為氧化鋁、氮化硼、或鈦。

所述射頻誘導(dǎo)加熱部件整體為實心、或空心結(jié)構(gòu)。

所述射頻誘導(dǎo)加熱部件整體為圓柱狀、或板狀。

所述的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置還包括設(shè)于內(nèi)坩堝與感應(yīng)線圈之間的外坩堝，所述內(nèi)坩堝位于外坩堝內(nèi)。

所述的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置還包括設(shè)于所述感應(yīng)線圈與外坩堝之間的熱保溫層。

所述外坩堝的材料為鉭、或石墨；所述內(nèi)坩堝的材料為氧化鋁、或氮化硼。

所述的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置還包括設(shè)于所述外坩堝下方的熱電偶。

所述感應(yīng)線圈的材料為銅。

所述的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置，使用過程中，通過工藝?yán)鋮s水對感應(yīng)線圈進(jìn)行冷卻，具體通過在其外側(cè)設(shè)置冷卻水通道并向冷卻水通道內(nèi)通入工藝?yán)鋮s水而對感應(yīng)線圈進(jìn)行冷卻；或者，

所述感應(yīng)線圈為螺旋環(huán)繞的中空管，通過向所述感應(yīng)線圈內(nèi)通入工藝?yán)鋮s水而對感應(yīng)線圈進(jìn)行冷卻。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置，包括用于承載蒸發(fā)材料的內(nèi)坩堝、套設(shè)于內(nèi)坩堝外圍的感應(yīng)線圈、與所述感應(yīng)線圈連接的射頻發(fā)生器、及設(shè)于內(nèi)坩堝內(nèi)的射頻誘導(dǎo)加熱部件；所述感應(yīng)線圈用于接收射頻發(fā)生器發(fā)射的交變電流而產(chǎn)生感應(yīng)磁場；所述射頻誘導(dǎo)加熱部件包括具有導(dǎo)電性的感應(yīng)內(nèi)核體，所述感應(yīng)內(nèi)核體在感應(yīng)線圈的感應(yīng)磁場中產(chǎn)生感應(yīng)電流并生成熱量，從而對蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱，與現(xiàn)有的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置相比，能夠有效分散內(nèi)坩堝中蒸發(fā)材料的加熱區(qū)域，從而有效避免蒸發(fā)材料局部加熱速率不均勻、及靠近內(nèi)坩堝壁的蒸發(fā)材料局部過加熱而裂化的問題。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的一種高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置的示意圖；

圖2為本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置的示意圖；

圖3為本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置為一種點蒸發(fā)源裝置時的俯視示意圖；

圖4為本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置為一種線蒸發(fā)源裝置時的俯視示意圖；

圖5A為本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置的感應(yīng)線圈的一實施例的局部剖面圖；

圖5B為本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置的感應(yīng)線圈的第二實施例的局部剖面圖。

具體實施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖2，本發(fā)明提供一種高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置，包括用于承載蒸發(fā)材料的內(nèi)坩堝1、套設(shè)于內(nèi)坩堝1外圍的感應(yīng)線圈2、與所述感應(yīng)線圈2連接的射頻發(fā)生器3、及設(shè)于內(nèi)坩堝1內(nèi)的射頻誘導(dǎo)加熱部件(High Frequency Induced Heater)6；

所述感應(yīng)線圈2用于接收射頻發(fā)生器3發(fā)射的交變電流而產(chǎn)生感應(yīng)磁場；所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6包括感應(yīng)內(nèi)核體61，所述感應(yīng)內(nèi)核體61具有導(dǎo)電性，在感應(yīng)線圈2的感應(yīng)磁場中產(chǎn)生感應(yīng)電流并生成熱量，從而對蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱。

本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置，通過在內(nèi)坩堝1內(nèi)設(shè)置射頻誘導(dǎo)加熱部件6而對蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱，與現(xiàn)有的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置僅通過內(nèi)坩堝壁傳導(dǎo)熱量而對蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱相比，能夠有效分散內(nèi)坩堝1中蒸發(fā)材料的加熱區(qū)域，能夠有效避免蒸發(fā)材料局部加熱速率不均勻、及靠近內(nèi)坩堝壁的蒸發(fā)材料局部過加熱而裂化的問題。

具體地，為避免所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6的感應(yīng)內(nèi)核體61直接與蒸發(fā)材料接觸而在加熱過程中對蒸發(fā)材料造成污染，所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6還包括包覆電應(yīng)內(nèi)核體61外表面的熱傳導(dǎo)層62。

所述感應(yīng)內(nèi)核體61的材料為鉭、或石墨等耐高溫、具有導(dǎo)電性的材料；所述所述熱傳導(dǎo)層62的材料為耐高溫、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的氧化鋁(Al₂O₃)、氮化硼(BN)、或鈦(Ti)等材料。

具體地，所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6整體可以為實心結(jié)構(gòu)，或者也可以為空心結(jié)構(gòu)。

具體地，所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6的形狀根據(jù)高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置的整體形狀而進(jìn)行設(shè)計，可在為點蒸發(fā)源裝置、線蒸發(fā)源裝置、或面蒸發(fā)源裝置的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置中應(yīng)用。

例如，如圖3所示，本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置為點蒸發(fā)源裝置，所述內(nèi)坩堝1的水平橫截面呈圓形，此時所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6呈圓柱狀而設(shè)于內(nèi)坩堝1內(nèi)，當(dāng)然此時所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6也可以為其他適應(yīng)內(nèi)坩堝1形狀的形狀。

再例如，如圖4所示，本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置為線蒸發(fā)源裝置，所述內(nèi)坩堝1的水平橫截面呈長方形，所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6呈板狀，當(dāng)然此時所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6也可以為其他適應(yīng)內(nèi)坩堝1形狀的形狀。

具體地，本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置還包括設(shè)于內(nèi)坩堝1與感應(yīng)線圈2之間的外坩堝4、設(shè)于所述感應(yīng)線圈2與外坩堝4之間的熱保溫層5、及設(shè)于所述外坩堝4下方的熱電偶7，所述內(nèi)坩堝1位于外坩堝4內(nèi)。

具體地，所述外坩堝4的材料為鉭、或石墨等耐高溫、具有導(dǎo)電性的材料；所述內(nèi)坩堝1的材料為氧化鋁等耐高溫的材料；所述熱保溫層5的材料為氧化鋁等隔熱絕緣材料，從而起到保溫隔熱的作用。

具體地，本發(fā)明的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置在使用過程中，所述射頻誘導(dǎo)加熱部件6可以與外坩堝4共同對蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱，當(dāng)然也可以獨立對蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱。

具體地，所述感應(yīng)線圈2的材料為銅等金屬材料。

具體地，使用過程中，通過工藝?yán)鋮s水(PCW)對感應(yīng)線圈2進(jìn)行冷卻；具體，請參閱圖5A，可通過在感應(yīng)線圈2外側(cè)設(shè)置冷卻水通道8并向冷卻水通道8內(nèi)通入工藝?yán)鋮s水而對感應(yīng)線圈2進(jìn)行冷卻；或者，

請參閱圖5B，所述感應(yīng)線圈2本身為螺旋環(huán)繞的中空管，通過向所述感應(yīng)線圈2內(nèi)通入工藝?yán)鋮s水而對感應(yīng)線圈2進(jìn)行冷卻。

綜上所述，本發(fā)明提供的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置，包括用于承載蒸發(fā)材料的內(nèi)坩堝、套設(shè)于內(nèi)坩堝外圍的感應(yīng)線圈、與所述感應(yīng)線圈連接的射頻發(fā)生器、及設(shè)于內(nèi)坩堝內(nèi)的射頻誘導(dǎo)加熱部件；所述感應(yīng)線圈用于接收射頻發(fā)生器發(fā)射的交變電流而產(chǎn)生感應(yīng)磁場；所述射頻誘導(dǎo)加熱部件包括具有導(dǎo)電性的感應(yīng)內(nèi)核體，所述感應(yīng)內(nèi)核體在感應(yīng)線圈的感應(yīng)磁場中產(chǎn)生感應(yīng)電流并生成熱量，從而對蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱，與現(xiàn)有的高頻感應(yīng)蒸發(fā)源裝置相比，能夠有效分散內(nèi)坩堝中蒸發(fā)材料的加熱區(qū)域，從而有效避免蒸發(fā)材料局部加熱速率不均勻、及靠近內(nèi)坩堝壁的蒸發(fā)材料局部過加熱而裂化的問題。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。