本實(shí)用新型涉及一種布?xì)庋b置及旋轉(zhuǎn)陰極。

背景技術(shù)：

旋轉(zhuǎn)磁控濺射陰極是目前大面積真空鍍膜的重要設(shè)備之一。旋轉(zhuǎn)磁控濺射陰極的原理是一根表面附有濺射耙材或整根都是濺射耙材的中空管，繞懸掛在管中間靜止不動(dòng)的磁鐵陣列旋轉(zhuǎn)，控制工藝過程中的等離子體合理分布，由此耙穿過靜止的等離子體區(qū)域，并且整個(gè)工藝過程中都有耙材濺射。一個(gè)理想的旋轉(zhuǎn)磁控濺射陰極需要耙管旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，工藝過程中靶管內(nèi)部需要冷卻水冷卻，濺射過程中對旋轉(zhuǎn)的靶管輸入電功率，冷卻水和真空都需要旋轉(zhuǎn)密封，耙材利用率(高達(dá)90％)，這就意味著更長時(shí)間的濺射過程和更少的維護(hù)；更好的水冷效果可以實(shí)現(xiàn)高功率密度濺射。

在現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)磁控濺射陰極中，因磁鐵組件中磁鐵個(gè)體之間磁場強(qiáng)度的差異，造成耙面強(qiáng)度不均勻，鍍膜產(chǎn)品的均勻性難以得到保證，耙材也因刻蝕不均勻，造成耙材利用率低，現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)磁控濺射陰極耙面磁場強(qiáng)度不可調(diào)節(jié)或調(diào)解機(jī)構(gòu)復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的之一是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種。

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

靶面磁場強(qiáng)度可調(diào)節(jié)的旋轉(zhuǎn)陰極，其特征在于，包括：

靶管，所述靶管具有管腔；

冷卻水管，所述冷卻水管設(shè)置于所述管腔內(nèi)；

磁鐵組件，所述磁鐵組件位置可調(diào)整地設(shè)置于所述管腔內(nèi)；

調(diào)整裝置，所述調(diào)整裝置設(shè)置于所述管腔內(nèi)，用于驅(qū)動(dòng)所述磁鐵組件移動(dòng)以調(diào)整所述磁鐵組件與所述靶管內(nèi)壁之間的間隙大小。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述調(diào)整裝置與所述磁鐵組件螺紋配合；所述調(diào)整裝置可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置于所述管腔內(nèi)。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述調(diào)整裝置為螺釘，所述螺釘貫穿所述冷卻水管，并與所述冷卻水管螺紋配合；所述螺釘與所述磁鐵組件螺紋配合；所述磁鐵組件位于所述冷卻水管下方；所述螺釘上設(shè)置有第一螺母，所述第一螺母位于所述冷卻水管與所述磁鐵組件之間。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述調(diào)整裝置為螺桿，所述螺桿貫穿所述冷卻水管，并與所述冷卻水管螺紋配合；所述螺桿與所述磁鐵組件螺紋配合；所述磁鐵組件位于所述冷卻水管下方；所述螺桿上套裝有雙螺母。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述雙螺母位于所述冷卻水管上方。

針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本實(shí)用新型中的一種耙面磁場強(qiáng)度可調(diào)節(jié)的旋轉(zhuǎn)陰極，可精確簡便調(diào)節(jié)耙面磁場強(qiáng)度，提高耙面磁場強(qiáng)度的均勻性，提高耙材的利用率，實(shí)現(xiàn)鍍膜產(chǎn)品均勻性的要求。本實(shí)用新型實(shí)用新型調(diào)節(jié)耙管表面的磁場強(qiáng)度就是通過螺紋機(jī)構(gòu)調(diào)節(jié)磁鐵陣列組件與靶管內(nèi)表面的間隙B的大小，與現(xiàn)有的許多磁場強(qiáng)度調(diào)節(jié)方法相比，本實(shí)用新型的方法結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，調(diào)節(jié)精度高，提高耙面磁場強(qiáng)度的均勻性。本實(shí)用新型實(shí)用新型提高耙材的利用率，實(shí)現(xiàn)鍍膜產(chǎn)品均勻性的要求，節(jié)約生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型實(shí)用新型可精確簡便調(diào)節(jié)耙面特定區(qū)域和沿整根靶材的長度方向磁場強(qiáng)度，可改變局部區(qū)域和整根靶管的濺射離子能量和濺射速率，實(shí)現(xiàn)要求的濺射工藝。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型中的旋轉(zhuǎn)陰極結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1中的A-A剖視示意圖。

圖3為實(shí)施例1中的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為實(shí)施例2中的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合實(shí)施例和附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。

實(shí)施例1

如圖1、圖2和圖3所示，靶面磁場強(qiáng)度可調(diào)節(jié)的旋轉(zhuǎn)陰極，包括陰極安裝板10。陰極安裝板10上設(shè)置有前端頭組件12和后端頭組件13。靶管1兩端分別與前端頭組件12和后端頭組件13連接。所述靶管1具有管腔11。所述冷卻水管2設(shè)置于所述管腔11內(nèi)。所述磁鐵組件3位置可調(diào)整地設(shè)置于所述管腔11內(nèi)。調(diào)整裝置設(shè)置于所述管腔11內(nèi)，用于驅(qū)動(dòng)所述磁鐵組件3移動(dòng)以調(diào)整所述磁鐵組件3與所述靶管1內(nèi)壁之間的間隙大小。根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述調(diào)整裝置與所述磁鐵組件3螺紋配合；所述調(diào)整裝置可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置于所述管腔11內(nèi)。在如圖所示的示例中，所述調(diào)整裝置為螺釘4，所述螺釘4貫穿所述冷卻水管2，并與所述冷卻水管2螺紋配合；所述螺釘4與所述磁鐵組件3螺紋配合；所述磁鐵組件3位于所述冷卻水管2下方；所述螺釘4上設(shè)置有第一螺母5，所述第一螺母5位于所述冷卻水管2與所述磁鐵組件3之間。

本實(shí)施例中，旋轉(zhuǎn)第一螺母5后，增大其與冷卻水管2之間的距離，再旋擰螺釘4可調(diào)整磁鐵組件3與冷卻水管2之間的間隙，以此可調(diào)整靶面磁場強(qiáng)度。

實(shí)施例2

如圖4所示，靶面磁場強(qiáng)度可調(diào)節(jié)的旋轉(zhuǎn)陰極，包括靶管1、冷卻水管2、磁鐵組件3和調(diào)整裝置。所述靶管1具有管腔11。所述冷卻水管2設(shè)置于所述管腔11內(nèi)。所述磁鐵組件3位置可調(diào)整地設(shè)置于所述管腔11內(nèi)。所述調(diào)整裝置設(shè)置于所述管腔11內(nèi)，用于驅(qū)動(dòng)所述磁鐵組件3移動(dòng)以調(diào)整所述磁鐵組件3與所述靶管1內(nèi)壁之間的間隙大小。根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述調(diào)整裝置與所述磁鐵組件3螺紋配合；所述調(diào)整裝置可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置于所述管腔11內(nèi)。在如圖所示的示例中，所述調(diào)整裝置為螺桿6，所述螺桿6貫穿所述冷卻水管2，并與所述冷卻水管2螺紋配合；所述螺桿6與所述磁鐵組件3螺紋配合；所述磁鐵組件3位于所述冷卻水管2下方。所述螺桿6上設(shè)置有法蘭面螺母7。螺母固定塊8套裝在法蘭面螺母7上。螺母固定塊8與冷卻水管2可拆卸連接，比如通過螺栓、螺釘或銷子連接。其余結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。

本實(shí)施例中，螺母固定塊8用于固定法蘭面螺母7，螺母固定塊8套住法蘭面螺母7時(shí)，法蘭面螺母7不能轉(zhuǎn)動(dòng)。拆除螺母固定塊8后，通過法蘭面螺母7可旋擰螺桿6，進(jìn)而調(diào)整磁鐵組件3的位置，增大或減小其與冷卻水管2之間的距離B，以此可調(diào)整靶面磁場強(qiáng)度。

針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本實(shí)用新型中的一種耙面磁場強(qiáng)度可調(diào)節(jié)的旋轉(zhuǎn)陰極，可精確簡便調(diào)節(jié)耙面磁場強(qiáng)度，提高耙面磁場強(qiáng)度的均勻性，提高耙材的利用率，實(shí)現(xiàn)鍍膜產(chǎn)品均勻性的要求。本實(shí)用新型實(shí)用新型調(diào)節(jié)耙管表面的磁場強(qiáng)度就是通過螺紋機(jī)構(gòu)調(diào)節(jié)磁鐵陣列組件與靶管內(nèi)表面的間隙B的大小，與現(xiàn)有的許多磁場強(qiáng)度調(diào)節(jié)方法相比，本實(shí)用新型的方法結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，調(diào)節(jié)精度高，提高耙面磁場強(qiáng)度的均勻性。本實(shí)用新型實(shí)用新型提高耙材的利用率，實(shí)現(xiàn)鍍膜產(chǎn)品均勻性的要求，節(jié)約生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型實(shí)用新型可精確簡便調(diào)節(jié)耙面特定區(qū)域和沿整根靶材的長度方向磁場強(qiáng)度，可改變局部區(qū)域和整根靶管的濺射離子能量和濺射速率，實(shí)現(xiàn)要求的濺射工藝。

本實(shí)用新型中的實(shí)施例僅用于對本實(shí)用新型進(jìn)行說明，并不構(gòu)成對權(quán)利要求范圍的限制，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其他實(shí)質(zhì)上等同的替代，均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)。