本實用新型涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，更為詳細(xì)地涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中提高根據(jù)晶元與研磨墊的接觸的機(jī)械研磨效率，并且實現(xiàn)晶元與研磨墊的穩(wěn)定的接觸面。

背景技術(shù)：

通常，化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)工藝是一種以如下形式使得基板的表面平坦的工藝：以晶元等基板接觸于旋轉(zhuǎn)的研磨平板上的狀態(tài)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的同時進(jìn)行機(jī)械研磨，從而達(dá)到預(yù)先規(guī)定的厚度。

為此，如圖1及圖2所示，化學(xué)機(jī)械研磨裝置以使得研磨墊11覆蓋于研磨平板10上的狀態(tài)通過由驅(qū)動軸12所傳遞的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力進(jìn)行自轉(zhuǎn)11r，同時通過研磨頭20向研磨墊11的表面加壓晶元W并使晶元W旋轉(zhuǎn)，從而平坦地對晶元的表面進(jìn)行研磨。為此，設(shè)置有使得調(diào)節(jié)盤(conditioning disk)31旋轉(zhuǎn)30r的同時進(jìn)行改質(zhì)的調(diào)節(jié)器(conditioner)30，并且通過研磨液供給部40將執(zhí)行化學(xué)研磨的研磨液供給至研磨墊11的表面，所述調(diào)節(jié)盤31以規(guī)定的加壓力對研磨墊的表面進(jìn)行加壓。

但是，由于晶元W的往返移動沖程(stroke)規(guī)定為只沿一個方向進(jìn)行往返移動，因此，晶元W和研磨墊11的表面接觸的形態(tài)及位置具有始終設(shè)定為一定的特性。換句話說，如圖2及圖3所示，雖然在研磨墊11上沿著圓周方向形成的槽11a起到將由研磨液供給部40所供給的研磨液向晶元W供給從而進(jìn)行化學(xué)研磨的作用，但是成為槽11a與晶元W接觸的同時不能均勻地進(jìn)行晶元W的機(jī)械研磨的原因。

為了解決所述問題，如圖2及圖3所示，在進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝的期間，將研磨頭20沿著以20d標(biāo)示的研磨墊11的半徑方向?qū)⒕г猈進(jìn)行往返移動，引導(dǎo)晶元W與槽11a在互不相同的位置上接觸。

但是，由于根據(jù)研磨墊11的旋轉(zhuǎn)方向的槽11a的行進(jìn)方向11r與研磨頭20的晶元W始終形成一定的接觸角接觸，因此，存在因為研磨墊11的槽11a而使晶元W的研磨品質(zhì)下降的問題。

并且，隨著晶元W的研磨面與研磨墊11以較高的摩擦力作用的狀態(tài)相接觸，如圖4所示，引起研磨墊11的行進(jìn)方向11r的研磨頭20的后方側(cè)25翹起來的傾斜問題，還存在晶元W的研磨面得到不均勻地研磨的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型用于解決如上所述的問題，其目的在于，在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中，晶元的研磨面與研磨墊的槽以各種角度接觸的同時，提高晶元的研磨面的研磨品質(zhì)。

此外，本實用新型的目的在于，在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中，使以較高的摩擦狀態(tài)接觸的晶元和研磨墊的接觸狀態(tài)保持穩(wěn)定，從而實現(xiàn)可靠的研磨品質(zhì)。

本實用新型為了達(dá)到如上所述的目的，提供一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置作為對晶元的研磨層進(jìn)行研磨的化學(xué)機(jī)械研磨裝置，其特征在于，包括：研磨平板，其上面覆蓋有與所述晶元的所述研磨層接觸的研磨墊，并進(jìn)行自轉(zhuǎn)；研磨頭，在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中以將所述晶元設(shè)置于下側(cè)的狀態(tài)進(jìn)行加壓并旋轉(zhuǎn)，并沿著具有所述研磨平板的半徑方向成分的方向進(jìn)行往返移動，所述往返移動路徑沿著包括互不相同的第一方向和第二方向在內(nèi)的兩個以上的方向進(jìn)行往返移動。

這是為了，在研磨頭在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中相對研磨墊沿著兩個以上的方向進(jìn)行往返移動的同時，通過位于研磨頭的下側(cè)的晶元與研磨墊接觸的同時進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，從而使得晶元的研磨面與研磨墊所接觸的接觸角變化。

如上所述，本實用新型可得到如下有利的效果：通過使晶元的研磨面與用于供給研磨液而形成于研磨墊的槽的接觸角和接觸位置變化,使得晶元研磨面進(jìn)行更為光滑且沒有方向性的研磨工藝，從而可提高研磨品質(zhì)，同時在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中，通過以較高的摩擦狀態(tài)接觸的晶元與研磨墊的摩擦接觸，可解決向下加壓晶元的研磨頭的后方翹起的傾斜問題。

在此，研磨頭往返移動的第一方向與第二方向設(shè)定為大于0度小于90度。

并且，所述研磨頭沿著所述第一方向進(jìn)行往返移動，相對所述第一方向每次以規(guī)定的角度大小漸進(jìn)地增大相對所述第一方向的傾斜角，直到到達(dá)所述第二方向時為止，變更往返移動路徑的同時進(jìn)行往返移動，當(dāng)所述研磨頭沿所述第二方向往返移動時，則重新以規(guī)定的角度大小漸進(jìn)地縮小相對所述第二方向的傾斜角，并可在變更往返移動路徑的同時進(jìn)行往返移動。在此，從第一方向到第二方向漸進(jìn)地增減的傾斜度的間距優(yōu)選設(shè)定為5度至10度。

如上所述，隨著研磨頭相對研磨墊從第一方向至第二方向漸進(jìn)地變更角度的同時進(jìn)行往返移動，晶元的研磨面進(jìn)行更為光滑且沒有方向性的研磨工藝，從而極大化地提高研磨品質(zhì)，同時可以確認(rèn)隨著晶元和研磨墊之間的摩擦接觸方向持續(xù)地變更，不會發(fā)生向下加壓晶元的研磨頭的后方翹起的傾斜問題。

此時，所述研磨頭越是沿著相對所述研磨墊的半徑方向傾斜角大的路徑進(jìn)行往返移動，往返移動沖程的長度越設(shè)置為更長。由此，可使沿著相對研磨墊的晶元的半徑方向的移動距離保持一定，并且可使因晶元與研磨墊的摩擦接觸所導(dǎo)致的研磨墊被磨損的區(qū)域保持一定。

另一方面，本實用新型提供一種化學(xué)機(jī)械研磨裝置，所述化學(xué)機(jī)械研磨裝置作為對晶元的研磨層進(jìn)行研磨的裝置，其特征在于，包括：研磨平板，其上面覆蓋有與所述晶元的所述研磨層接觸的研磨墊，并進(jìn)行自轉(zhuǎn)，在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中以規(guī)定的沖程大小進(jìn)行往返移動，所述往返移動路徑沿著包括互不相同的第三方向和第四方向在內(nèi)的兩個以上的方向進(jìn)行往返移動；研磨頭，在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中以將所述晶元設(shè)置于下側(cè)的狀態(tài)進(jìn)行加壓并旋轉(zhuǎn)。

這是為了，與研磨頭在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中相對研磨墊沿著兩個以上的方向進(jìn)行往返移動類似，研磨平板在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中沿著兩個以上的方向進(jìn)行往返移動，從而使位于研磨頭的下側(cè)的晶元與研磨墊的接觸角不設(shè)定為某一個并使所述接觸角變化。

由此，可獲得的有利效果在于，在晶元的研磨面與用于供給研磨液而形成于研磨墊的槽的接觸角和接觸位置變化的同時，晶元研磨面進(jìn)行更為光滑且沒有方向性的研磨工藝，從而可提高研磨品質(zhì)，同時可以解決在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中向下加壓晶元的研磨頭的后方翹起的傾斜問題。

同樣地，所述第三方向與所述第四方向之間的角度設(shè)定為大于0度小于90度。

并且，所述研磨平板沿著所述第三方向進(jìn)行往返移動，相對所述第三方向每次以規(guī)定的角度大小漸進(jìn)地增大相對所述第三方向的傾斜角，直到到達(dá)所述第四方向時為止，變更往返移動路徑的同時進(jìn)行往返移動，當(dāng)所述研磨平板沿所述第四方向往返移動時，則重新以規(guī)定的角度大小漸進(jìn)地縮小相對所述第四方向傾斜角,并在變更往返移動路徑的同時進(jìn)行往返移動。在此，從第三方向到第四方向漸進(jìn)地增減的傾斜度的間距優(yōu)選設(shè)定為5度至10度。

如上所述，隨著研磨頭相對研磨墊從第三方向至第四方向漸進(jìn)地變更角度的同時進(jìn)行往返移動，晶元的研磨面進(jìn)行更為光滑且沒有方向性的研磨工藝，從而可極大化地提高研磨品質(zhì)，同時可以確認(rèn)隨著晶元和研磨墊之間的摩擦接觸方向持續(xù)變更，不會發(fā)生向下加壓晶元的研磨頭的后方翹起的傾斜問題。

本實用新型可構(gòu)成為，研磨平板在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中沿著包括第三方向和第四方向在內(nèi)的兩個以上的方向進(jìn)行往返移動，同時，研磨頭在化學(xué)機(jī)械工藝中沿著包括互不相同的第一方向和第二方向在內(nèi)的兩個以上的方向進(jìn)行往返移動。

在此，雖然第一方向和第二方向也可設(shè)置為與第三方向和第四方向一致，但可以設(shè)置為互不相同的角度。由此，隨著位于研磨頭的下側(cè)的晶元和研磨墊沿著具有兩個以上方向的方向摩擦接觸，可以得到提高研磨面的品質(zhì)的效果。

同樣，所述第一方向與第二方向之間的角度設(shè)定為大于0度小于90度。

最重要的是，所述研磨頭沿所述第一方向進(jìn)行往返移動，相對所述第一方向每次以規(guī)定的角度大小漸進(jìn)地增大相對所述第一方向的傾斜角，直到到達(dá)所述第二方向時為止，變更往返移動路徑的同時進(jìn)行往返移動，當(dāng)所述研磨頭沿所述第二方向往返移動時，則重新以規(guī)定的角度大小漸進(jìn)地縮小相對所述第二方向的傾斜角，并在變更往返移動路徑的同時進(jìn)行往返移動。

由此，晶元的研磨面得以沿第一方向與第三方向，及第二方向與第四方向混合的方向進(jìn)行往返移動，同時由于各方向漸進(jìn)地發(fā)生變化，因此，晶元的研磨面向多方向變化的同時與研磨墊摩擦接觸從而可提高研磨面的品質(zhì)，同時可以從根源上防止研磨頭在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中翹起的現(xiàn)象。

如所述說明，本實用新型可得到如下有利效果：研磨頭在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中相對研磨墊沿兩個以上的多種方向進(jìn)行往返移動，并且位于研磨頭下側(cè)的晶元與研磨墊接觸的同時進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，從而使得晶元的研磨面與研磨墊及形成于研磨墊的槽相接觸的接觸角變化，進(jìn)而晶元研磨面進(jìn)行更為光滑且沒有方向性的研磨工藝，從而可提高研磨品質(zhì)。

此外，本實用新型可得到如下有利效果：研磨頭沿第一方向與第二方向漸進(jìn)地變化傾斜角的同時進(jìn)行往返移動，同時研磨墊沿第三方向與第四方向漸進(jìn)地變化傾斜角的同時進(jìn)行往返移動，晶元研磨面進(jìn)行更為光滑且沒有方向性的研磨工藝，從而可極大化地提高研磨品質(zhì)，隨著晶元與研磨墊之間的摩擦接觸方向持續(xù)變更，即使使晶元的加壓力增加，也可以完全防止向下加壓晶元的研磨頭的后方翹起的傾斜問題。

換句話說，本實用新型可得到如下有利效果：晶元相對研磨墊并非只沿某一個方向進(jìn)行往返移動，通過使研磨墊的接觸角發(fā)生多種變化，從而可使化學(xué)機(jī)械研磨工藝中以較高的摩擦狀態(tài)接觸的晶元和研磨墊的接觸狀態(tài)保持穩(wěn)定，并可解決向下加壓晶元的研磨頭的后方翹起的傾斜問題。

附圖說明

圖1是示出一般的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的主視圖，

圖2是圖1的平面圖，

圖3是圖2的“A”部分的放大圖，

圖4是用于說明因位于研磨頭下側(cè)的晶元與研磨墊之間的摩擦而研磨頭的后方翹起的現(xiàn)象的圖，

圖5是示出根據(jù)本實用新型的一個實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖，

圖6a及圖6b作為圖5的“B”部分的放大圖，是用于說明研磨頭的往返移動狀態(tài)的圖，

圖7是示出研磨墊的槽接近往返移動的晶元的狀態(tài)的圖，

圖8是示出根據(jù)本實用新型的另一個實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對根據(jù)本實用新型的一個實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置100進(jìn)行詳細(xì)說明。但是，在對本實用新型進(jìn)行說明時，為了使得本實用新型的要旨清晰明了，省略對眾所周知的功能或構(gòu)成的具體的說明。

根據(jù)本實用新型的一個實施例的化學(xué)機(jī)械研磨裝置100包括：研磨平板，研磨墊11覆蓋于所述研磨平板，晶元W的研磨面以被研磨的形式接觸所述研磨墊11；研磨頭20，其以將晶元W設(shè)置于底面的狀態(tài)進(jìn)行加壓的同時，使晶元W進(jìn)行自轉(zhuǎn)20r；調(diào)節(jié)器30，其設(shè)置有調(diào)節(jié)盤31并對研磨墊11進(jìn)行改質(zhì)，所述調(diào)節(jié)盤31以加壓的狀態(tài)接觸于研磨墊11的表面的同時進(jìn)行旋轉(zhuǎn)30r；研磨液供給部40，其為了對晶元W進(jìn)行化學(xué)研磨而供給研磨液；研磨頭往返移動驅(qū)動部M1，其以使研磨頭20相對研磨墊按規(guī)定的沖程大小沿著包括第一方向20d1和第二方向20d2的多個方向進(jìn)行往返移動的形式進(jìn)行驅(qū)動。

如圖1所示，所述研磨平板以研磨墊11覆蓋于其上面的狀態(tài)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。據(jù)此，在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中，因研磨平板的自轉(zhuǎn)，研磨墊11也進(jìn)行自傳11r。

研磨墊11起到在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中與晶元W的研磨面接觸的同時，使晶元的研磨面得到機(jī)械研磨的作用。與此同時，研磨墊11也在與晶元W的研磨面摩擦接觸的同時被磨損研磨。

所述研磨頭20起到在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中以將晶元W設(shè)置于下側(cè)的狀態(tài)向研磨墊11對晶元W加壓的同時進(jìn)行自轉(zhuǎn)的作用。為此，在研磨頭20的內(nèi)部設(shè)置壓力室，從而通過對壓力室的壓力進(jìn)行調(diào)節(jié)，使晶元W向研磨墊11加壓的加壓力得到調(diào)節(jié)。

與此同時，研磨頭20在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中通過研磨頭往返移動驅(qū)動部M1以規(guī)定的沖程S1大小沿互不相同的軸方向變更的同時進(jìn)行往返移動20d1,20d2。在此，規(guī)定的沖程S1不僅包括局限于化學(xué)機(jī)械研磨工藝中的任意一個長度，還包括在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中變化的往返移動的長度。

更為具體地，研磨頭20的往返移動路徑S1是沿著第一方向20d1往返移動，所述第一方向20d1包括：從與研磨墊11的中心隔開的中心部的第一位置C向研磨墊11的半徑內(nèi)側(cè)移動然后回歸至第一位置C的路徑；從第一位置C向研磨墊11的半徑外側(cè)移動然后回歸至第一位置C的路徑。

并且，研磨頭20沿著第一方向20d1進(jìn)行第一往返移動路徑S1的往返移動后，沿著與第一方向20d1傾斜預(yù)先規(guī)定的角度(例如，20度至75度)大小的第二方向20d2的第一沖程大小的第二往返移動路徑(與S1具有ang1大小的夾角的路徑)進(jìn)行往返移動。此時也同樣地，沿著第二方向20d2的第二沖程進(jìn)行往返移動,所述第二方向20d2包括：從與研磨墊11的中心隔開的中心部的第一位置C向研磨墊11的半徑內(nèi)側(cè)移動然后回歸至第一位置C的路徑；從第一位置C向研磨墊11的半徑外側(cè)移動然后回歸至第一位置C的路徑。

在此，雖然第一位置C設(shè)置在沿著第一方向20d1移動的第一往返移動路徑S1的中央部，同時設(shè)置在沿著第二方向20d2移動的第二往返移動路徑(與S1具有ang1大小的夾角的路徑)的中央部，但并非一定局限于一個半徑長度(從研磨墊的中心沿著半徑方向的距離)，且可以設(shè)置為多種位置。

并且，雖然實現(xiàn)第一方向20d1與第二方向20d2的方向轉(zhuǎn)換的位置也可以是第一位置C，但也可以在往返移動路徑(S1及與S1具有ang1大小的夾角的路徑)的末端實現(xiàn)。圖中雖然例示了向第一方向20d1與第二方向20d2的兩個方向?qū)崿F(xiàn)方向轉(zhuǎn)換的構(gòu)成，但也可以設(shè)置為沿著傾斜三個以上的預(yù)先規(guī)定的角度大小的往返移動路徑S1、…進(jìn)行往返移動。

并且，第一方向20d1與第二方向20d2的夾角ang1設(shè)置為0度～90度之間的數(shù)值，且優(yōu)選設(shè)置為20度至75度。

此外，雖然第一方向20d1與第二方向20d2的往返移動的沖程可以設(shè)置為相同，但也可以設(shè)置為互不相同。例如，如果第一方向20d1是沿著從研磨墊11的中心向圓周末端的研磨墊11的半徑方向進(jìn)行往返移動的路徑的方向，則可以將沿著第二方向20d2的第二往返移動路徑(與S1具有ang1大小的夾角的路徑)設(shè)置為比第一往返移動路徑S1更長。由此，即使第二往返移動路徑(與S1具有ang1大小的夾角的路徑)以與研磨墊11的半徑方向傾斜的形式移動，也可以使通過研磨頭20得到加壓的晶元W的研磨墊11的半徑方向的長度保持一定，因而可以使研磨墊11的磨損面積保持在一定范圍內(nèi)。

如上所述，本實用新型中，研磨頭20并非只沿著一個方向進(jìn)行往返移動，而是以沿著相互錯開的角度ang1大小的不同的兩個以上的多個方向進(jìn)行往返移動的形式構(gòu)成，位于研磨頭20的下側(cè)的晶元W與研磨墊11接觸的同時進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，通過使晶元W的研磨面與研磨墊11及形成于研磨墊11的槽11a接觸的接觸角11x1、11x2變化，從而可以使晶元研磨面以更為光滑且沒有方向性的狀態(tài)進(jìn)行研磨工藝，并提高研磨品質(zhì)。

不僅如此，如上所構(gòu)成的化學(xué)機(jī)械研磨裝置100可以得到如下效果：晶元W相對研磨墊11并非只沿一個方向進(jìn)行往返移動，而是沿兩個以上的方向20d1、20d2進(jìn)行往返移動，從而在只沿一個方向進(jìn)行往返移動時，推動研磨頭20的力的方向作用為一個，從而不會發(fā)生研磨頭20的后方25翹起的傾斜問題，并且能夠以均勻的加壓力向研磨墊11對位于研磨頭20底面的晶元W進(jìn)行加壓。

另外，如果研磨頭20沿著第一方向20d1的第一往返移動路徑S1進(jìn)行往返移動，雖然可以馬上轉(zhuǎn)換路徑沿著第二方向20d2的第二往返移動路徑(與S1具有ang1大小的夾角的路徑)進(jìn)行往返移動，但根據(jù)本實用新型的另一實施形態(tài)，研磨頭20可以以反復(fù)進(jìn)行如下形式的形態(tài)進(jìn)行往返移動：所述研磨頭20沿第一方向20d1進(jìn)行往返移動后，每次以規(guī)定的角度大小漸進(jìn)地加大相對第一方向20d1的傾斜角ang1的同時到達(dá)第二方向20d2，沿第二方向20d2進(jìn)行往返移動后以規(guī)定的傾斜角大小漸進(jìn)地到達(dá)第一方向20d1。

在此，雖然漸進(jìn)地變化的傾斜角設(shè)定為5度至10度，但并不限定于此。優(yōu)選地，以沿第一方向20d1進(jìn)行往返移動的研磨頭20到沿第二方向20d2進(jìn)行往返移動為止達(dá)到3至10回的形式設(shè)定傾斜角。

如上所述，隨著研磨頭20相對研磨墊11從第一方向20d1的第一往返移動路徑S1到第二方向20d2漸進(jìn)地增減相對第一方向20d1的傾斜角的同時進(jìn)行往返移動，晶元研磨面進(jìn)行更為光滑且沒有方向性的研磨工藝，從而可極大化地提高研磨品質(zhì)，同時隨著晶元與研磨墊之間的摩擦接觸方向持續(xù)地變更11x1、11x2，可更為明確地防止向下加壓晶元的研磨頭的后方翹起的傾斜問題。

另一方面，根據(jù)本實用新型的另一個實施形態(tài)的化學(xué)機(jī)械研磨裝置200，如圖8所示，研磨頭20沿著以具有第一夾角ang1的形式交叉排列的第一方向20d1的第一往返移動路徑S1與第二方向20d2的第二往返移動路徑進(jìn)行往返移動的同時，研磨平板10也沿著以具有第二夾角ang2的形式交叉排列的第三方向10d1的第三往返移動路徑S2與第四方向10d2的第四往返移動路徑(與S2具有ang2程度的夾角的路徑)進(jìn)行往返移動。

如上所述，以研磨頭20與研磨平板10各自獨立進(jìn)行往返移動的形式設(shè)置，即使將各自的往返移動路徑設(shè)置為較小，也可以得到能夠?qū)⑾鄬ρ心|11的晶元W的往返移動路徑S1+S2控制為更長的優(yōu)點。這可以通過將第一方向20d1與第三方向10d1設(shè)定為相同的方向來使其效果極大化。

此時，研磨平板10也是越沿著相對研磨墊11的半徑方向夾角較大的路徑進(jìn)行往返移動，往返移動沖程的長度設(shè)置為越長。由此，可以使相對研磨墊11的晶元的半徑方向的移動距離保持一定，并可以使因晶元與研磨墊的摩擦接觸所導(dǎo)致的研磨墊被磨損的區(qū)域保持一定。

不僅如此，可獲得如下效果：研磨頭20的第一往返移動路徑S1及第二往返移動路徑與研磨平板10的第三往返移動路徑S2及第四往返移動路徑設(shè)定為具有不同的夾角ang1、ang2，或以每當(dāng)往返移動時所述路徑S1、S2...之間的夾角不斷變化的形式構(gòu)成，從而在晶元W與研磨墊11的接觸方向持續(xù)變化的同時，可以使晶元W的研磨面與研磨墊11的接觸方向發(fā)生變更，且可以達(dá)到均勻地對研磨面進(jìn)行研磨的效果。

特別是，使得研磨頭20為了從第一方向20d1到達(dá)第二方向20d2而漸進(jìn)地增減傾斜角的周期和從第一方向20d1到達(dá)第二方向20d2時為止的往返移動次數(shù)設(shè)定為不同；使得研磨平板10為了從第三方向10d1到達(dá)第四方向10d2而漸進(jìn)地增減傾斜角的周期和從第三方向10d1到達(dá)第四方向10d2時為止的往返移動次數(shù)設(shè)定為不同，從而可使研磨墊11與晶元W的接觸形態(tài)發(fā)生多種變化。

如上所述，研磨頭20沿著第一方向20d1與第二方向20d2漸進(jìn)地變化傾斜角的同時進(jìn)行往返移動，同時研磨墊10沿著第三方向10d1與第四方向10d2漸進(jìn)地變化傾斜角的同時進(jìn)行往返移動，據(jù)此，可獲得的效果在于，晶元研磨面進(jìn)行更為光滑且沒有方向性的研磨工藝，從而可極大化地提高研磨品質(zhì)，并且隨著晶元與研磨墊之間的摩擦接觸方向持續(xù)變更，即使增加晶元的加壓力，也可以完全防止向下加壓晶元的研磨頭的后方翹起的傾斜問題。

以上，對本實用新型的優(yōu)選實施例進(jìn)行了舉例說明，但本實用新型的范圍并非僅限定于如上所述的特定實施例，在權(quán)利要求所記載的范疇內(nèi)可進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?/p>

在圖中所例示的實施例中，雖然以只使研磨頭20進(jìn)行往返移動，或使研磨頭20與研磨平板10同時進(jìn)行往返移動的構(gòu)成為例進(jìn)行了說明，但本實用新型并不局限于此，包括只使研磨平板10進(jìn)行往返移動的構(gòu)成，且對使研磨頭20與研磨平板10中任意一個以上進(jìn)行往返移動的構(gòu)成均適用。

標(biāo)號說明

10：研磨平板 11：研磨墊

11x：研磨墊磨損量 20：研磨頭

30：調(diào)節(jié)器 40：研磨液供給部

M1：研磨頭往返移動驅(qū)動部 M2：研磨平板往返移動驅(qū)動部

S1：第一往返移動路徑 S2：第三往返移動路徑