本發(fā)明涉及粗糙化處理銅箔、覆銅層疊板和印刷電路板。

背景技術(shù)：

作為適合形成細(xì)距電路的印刷電路板銅箔，提出了作為粗糙化處理面具備經(jīng)過(guò)氧化處理和還原處理(以下有時(shí)統(tǒng)稱(chēng)為氧化還原處理)而形成的微細(xì)凹凸的粗糙化處理銅箔。

例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1(國(guó)際公開(kāi)第2014/126193號(hào))中公開(kāi)了一種表面處理銅箔，其在表面具備由最大長(zhǎng)度為500nm以下的針狀的微細(xì)凹凸所形成的粗糙化處理層，所述針狀的微細(xì)凹凸由銅復(fù)合化合物構(gòu)成。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2(國(guó)際公開(kāi)第2015/040998號(hào))中公開(kāi)了一種銅箔，其在至少一面具備：具有由銅復(fù)合化合物構(gòu)成的最大長(zhǎng)度為500nm以下大小的針狀的凸?fàn)畈克纬傻奈⒓?xì)凹凸的粗糙化處理層、和在該粗糙化處理層的表面的硅烷偶聯(lián)劑處理層。根據(jù)這些文獻(xiàn)的粗糙化處理銅箔，利用由粗糙化處理層的微細(xì)凹凸帶來(lái)的錨固效果而能夠得到與絕緣樹(shù)脂基材之間的良好的密合性，同時(shí)能夠形成具備良好的蝕刻因子的細(xì)距電路。專(zhuān)利文獻(xiàn)1和2中所公開(kāi)的具有微細(xì)凹凸的粗糙化處理層均是在進(jìn)行堿脫脂等預(yù)處理后，經(jīng)過(guò)氧化還原處理而形成的。由此形成的微細(xì)凹凸具有由銅復(fù)合化合物的針狀結(jié)晶構(gòu)成的特有的形狀，具備所述微細(xì)凹凸的粗糙化處理面一般比由微細(xì)銅粒的附著所形成的粗糙化處理面、通過(guò)蝕刻賦予了凹凸的粗糙化處理面還微細(xì)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2014/126193號(hào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：國(guó)際公開(kāi)第2015/040998號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

然而，針對(duì)具備通過(guò)氧化還原處理所形成的由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸的粗糙化處理面，期望更進(jìn)一步改善與絕緣樹(shù)脂的密合性和可靠性。

本發(fā)明人等此次得到如下見(jiàn)解：對(duì)于在至少一側(cè)具有具備由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸的粗糙化處理面的粗糙化處理銅箔，通過(guò)使針狀結(jié)晶的表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成，從而使與絕緣樹(shù)脂的密合性和可靠性(例如吸濕耐熱性)顯著地提高。

因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠顯著地提高與絕緣樹(shù)脂的密合性和可靠性(例如吸濕耐熱性)的粗糙化處理銅箔。

根據(jù)本發(fā)明的一方式，提供一種粗糙化處理銅箔，其在至少一側(cè)具有具備由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸的粗糙化處理面，所述針狀結(jié)晶的表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成。

根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種覆銅層疊板，其具備上述方式的粗糙化處理銅箔。

根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種印刷電路板，其具備上述方式的粗糙化處理銅箔。

附圖說(shuō)明

圖1是對(duì)構(gòu)成在例1中得到的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的微細(xì)凹凸的截面進(jìn)行拍攝而得到的截面sem圖像。

圖2是對(duì)構(gòu)成在例1中得到的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的微細(xì)凹凸(特別是針狀結(jié)晶)的截面進(jìn)行拍攝而得到的stem-haadf圖像。

圖3a是對(duì)構(gòu)成在例1中得到的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的微細(xì)凹凸(特別是針狀結(jié)晶)的截面進(jìn)行拍攝而得到的tem圖像。

圖3b是圖3所示的tem圖像的部分放大圖像。

圖4同時(shí)示出了：表示構(gòu)成在例1中得到的粗糙化處理銅箔的微細(xì)凹凸的針狀結(jié)晶的stem-haadf像、和有關(guān)在該圖像的附有圓圈標(biāo)記的針部分和銅箔主體的各部分所獲得的cu-l2,3端的eels的光譜。

圖5同時(shí)示出了：表示構(gòu)成在例1中得到的粗糙化處理銅箔的微細(xì)凹凸的針狀結(jié)晶的針前端部的stem-haadf像、和有關(guān)在該圖像的附有圓圈標(biāo)記的外周部分和芯的各部分所獲得的cu-l2,3端的eels的光譜。

圖6是示出構(gòu)成在例1中得到的粗糙化處理銅箔的微細(xì)凹凸的針狀結(jié)晶的針前端部的stem-haadf像、和該圖像的虛線框包圍的區(qū)域的stem-eels成像(氧和銅成像)的圖。

圖7同時(shí)示出了：表示構(gòu)成在例2中得到的粗糙化處理銅箔的微細(xì)凹凸的針狀結(jié)晶的針前端部的stem-haadf像、和有關(guān)在該圖像的附有圓圈標(biāo)記的外周散在部分、外周主要部分和芯部分的各部分所獲得的cu-l2,3端的eels的光譜。

圖8是示出有關(guān)銅氧化物的o-k端和cu-l2,3端的公知的eels光譜的圖。

具體實(shí)施方式

粗糙化處理銅箔

本發(fā)明的銅箔是粗糙化處理銅箔。該粗糙化處理銅箔在至少一側(cè)具有粗糙化處理面。粗糙化處理面具備由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸，所述微細(xì)凹凸是可以經(jīng)過(guò)氧化還原處理而形成的，典型的是，觀察到針狀結(jié)晶為相對(duì)于銅箔面在大致垂直和/或傾斜方向上叢生的形狀(例如草坪狀)。而且，該粗糙化處理面的針狀結(jié)晶的表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成。由此，對(duì)于具備由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸的粗糙化處理面，通過(guò)使針狀結(jié)晶的表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成，從而能夠顯著地提高與絕緣樹(shù)脂的密合性和可靠性(例如吸濕耐熱性)。特別是，對(duì)于與絕緣樹(shù)脂的密合性而言，本發(fā)明的粗糙化處理銅箔不僅在常態(tài)下的密合性?xún)?yōu)異，而且吸濕后、酸處理后的密合性也優(yōu)異，可以呈現(xiàn)出不依賴(lài)于工序經(jīng)歷的穩(wěn)定的高密合性。另外，對(duì)于可靠性而言，本發(fā)明的粗糙化處理銅箔能夠發(fā)揮即使在高濕度環(huán)境中長(zhǎng)期放置后、實(shí)施高溫處理(例如在回流爐中的處理)也完全或幾乎不發(fā)生銅箔的變形(例如膨脹)這樣優(yōu)異的吸濕耐熱性。關(guān)于該內(nèi)容，本發(fā)明人等進(jìn)行了確認(rèn)，如發(fā)現(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1中所公開(kāi)那樣的以往的粗糙化處理銅箔中的針狀結(jié)晶的表面的主要部分由cu金屬構(gòu)成，cu金屬和cu2o的混相僅局部散在。與此相對(duì)，本發(fā)明的粗糙化處理銅箔的針狀結(jié)晶由于其表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成，因此可以說(shuō)與以往的粗糙化處理銅箔相比，cu2o遍及成面狀地存在于針狀結(jié)晶的表面。而且，可認(rèn)為cu2o比cu金屬更易與絕緣樹(shù)脂產(chǎn)生化學(xué)結(jié)合。由此，可認(rèn)為由于更易與絕緣樹(shù)脂發(fā)生化學(xué)結(jié)合的cu2o遍及成面狀地存在于針狀結(jié)晶的表面，因此與絕緣樹(shù)脂的密合性、吸濕耐熱性等可靠性顯著提高。

如上所述，粗糙化處理面的微細(xì)凹凸由針狀結(jié)晶構(gòu)成。針狀結(jié)晶的高度(即從針狀結(jié)晶的根部沿垂直方向所測(cè)定的高度)優(yōu)選為50～400μm、更優(yōu)選為100～400μm、進(jìn)一步優(yōu)選為150～350μm。與以往的粗糙化處理銅箔中的針狀結(jié)晶相比，這樣的針狀結(jié)晶的高度是較低的。即使像這樣針狀結(jié)晶的高度較低，由于如上所述針狀結(jié)晶的表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成，因此反而可以實(shí)現(xiàn)高的密合性?？烧J(rèn)為像這樣針狀結(jié)晶的高度較低是因用于形成由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸的氧化還原處理所導(dǎo)致的，其中所述針狀結(jié)晶的表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成。另外，所述經(jīng)過(guò)氧化還原處理而形成的微細(xì)凹凸典型的是針狀結(jié)晶的前端呈圓形。特別是，從提高與絕緣樹(shù)脂的密合性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選針狀結(jié)晶無(wú)規(guī)則地密集而形成富含空隙的粗糙化層，更優(yōu)選富含空隙的粗糙化層具有針狀結(jié)晶密集成草坪狀的形態(tài)。

然而，針狀結(jié)晶的表面的cu金屬和cu2o的混相的存在可以通過(guò)利用使用了stem(掃描透射電子顯微鏡)的eels(電子能量損失譜分析)(以下稱(chēng)為stem-eels)而獲得cu-l端的電子能量損失譜并進(jìn)行鑒定來(lái)確認(rèn)。歸屬于cu金屬/cu2o混相的光譜的鑒定在后述的實(shí)施例中進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明，但作為原則，可以通過(guò)確認(rèn)滿(mǎn)足以下的i)～iv)來(lái)進(jìn)行。需要說(shuō)明的是，在以下的基準(zhǔn)中所標(biāo)記的“xev附近”(x為任意的值)的術(shù)語(yǔ)容許在x±5ev的范圍內(nèi)變動(dòng)。

i)在約938ev附近具有峰p938。

ii)在約959ev附近也具有峰p959。

iii)峰p938的強(qiáng)度i938與峰p959的強(qiáng)度i959為大致相同程度或近似(即i938≈i959)或比強(qiáng)度i938還高(即i938＜i959)。

iv)作為結(jié)果p938與p959之間形成谷。

針狀結(jié)晶的表面的cu金屬和cu2o的混相的厚度典型的是10nm以下，更典型的是1～5nm。為這樣的厚度時(shí)，針狀結(jié)晶與絕緣樹(shù)脂的反應(yīng)性提高，不僅在常態(tài)下的密合性提高，而且吸濕后、酸處理后的密合性也提高。該混相的厚度的下限值沒(méi)有特別限定，為1個(gè)原子大小或用分析設(shè)備能確認(rèn)的最小值。

另一方面，典型的是，與由該混相構(gòu)成的表面相比位于內(nèi)側(cè)的針狀結(jié)晶的內(nèi)部由cu金屬的單相構(gòu)成。針狀結(jié)晶的內(nèi)部由cu金屬的單相構(gòu)成可以通過(guò)利用stem-eels獲得cu-l端的電子能量損失譜并進(jìn)行鑒定來(lái)確認(rèn)。作為原則，歸屬于cu金屬的光譜的鑒定可以通過(guò)確認(rèn)滿(mǎn)足以下的1)～4)來(lái)進(jìn)行。

1)在約938ev附近具有峰p938。

2)在約959ev附近也具有峰p959。

3)峰p959的強(qiáng)度i959比峰p938的強(qiáng)度i938還高(即i938＜i959)。

4)在940～950ev附近進(jìn)一步具有2個(gè)峰。

本發(fā)明的粗糙化處理銅箔的厚度沒(méi)有特別限定，優(yōu)選0.1～35μm、更優(yōu)選為0.5～18μm。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的粗糙化處理銅箔不限于對(duì)通常的銅箔的表面進(jìn)行了粗糙化處理的粗糙化處理銅箔，也可以是對(duì)帶有載體的銅箔的銅箔表面進(jìn)行了粗糙化處理的粗糙化處理銅箔。

制造方法

本發(fā)明的粗糙化處理銅箔可以是通過(guò)任意方法制造而成的粗糙化處理銅箔，但優(yōu)選經(jīng)過(guò)氧化還原處理而制造。以下，對(duì)本發(fā)明的粗糙化處理銅箔的優(yōu)選的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。該優(yōu)選的制造方法包括：準(zhǔn)備銅箔的工序；和對(duì)上述表面依次進(jìn)行第1預(yù)處理、第2預(yù)處理、氧化處理和還原處理的粗糙化工序(氧化還原處理)。

(1)銅箔的準(zhǔn)備

作為用于制造粗糙化處理銅箔的銅箔，可以使用電解銅箔和壓延銅箔這兩種，更優(yōu)選為電解銅箔。另外，銅箔可以是未粗糙化的銅箔，也可以是實(shí)施了預(yù)粗糙化的銅箔。銅箔的厚度沒(méi)有特別限定，優(yōu)選0.1～35μm、更優(yōu)選為0.5～18μm。在以帶有載體的銅箔的形態(tài)準(zhǔn)備銅箔時(shí)，銅箔也可以是利用化學(xué)鍍銅法或電鍍銅法等濕式成膜法、濺射和化學(xué)蒸鍍等干式成膜法、或它們的組合所形成的銅箔。

進(jìn)行粗糙化處理的銅箔的表面優(yōu)選具有以jisb0601-2001為基準(zhǔn)測(cè)定的微觀不平度十點(diǎn)高度rzjis為1.5μm以下的表面、更優(yōu)選為1.3μm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為1.0μm以下。下限值沒(méi)有特別限定，例如為0.1μm以上。

(2)粗糙化處理(氧化還原處理)

優(yōu)選由此對(duì)上述銅箔的表面實(shí)施依次進(jìn)行第1預(yù)處理、第2預(yù)處理、氧化處理和還原處理的濕式的粗糙化處理。特別是，通過(guò)用使用了溶液的濕式法對(duì)銅箔的表面實(shí)施氧化處理，從而在銅箔表面形成含有cuo的銅化合物。然后，通過(guò)對(duì)該銅化合物進(jìn)行還原處理而使cuo轉(zhuǎn)化為cu金屬、cu2o，從而能夠在銅箔的表面形成由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸，該針狀結(jié)晶的內(nèi)部為cu金屬且表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成。此處，微細(xì)凹凸在用濕式法對(duì)銅箔的表面進(jìn)行氧化處理的階段，由以cuo作為主要成分的銅化合物形成。而且，在對(duì)該銅化合物進(jìn)行還原處理時(shí)，在大致維持由該銅化合物所形成的微細(xì)凹凸的形狀的同時(shí)，cuo轉(zhuǎn)化為cu金屬、cu2o，成為其表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成的微細(xì)凹凸。由此用濕式法對(duì)銅箔的表面實(shí)施適當(dāng)?shù)难趸幚砗髮?shí)施還原處理，從而能夠形成本發(fā)明特有的微細(xì)凹凸。

(2a)第1預(yù)處理

該第1預(yù)處理通過(guò)在將上述銅箔浸漬于硫酸系水溶液后進(jìn)行水洗來(lái)進(jìn)行。硫酸系水溶液的硫酸濃度沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為1～20質(zhì)量％。硫酸系水溶液也可以進(jìn)一步含有過(guò)氧化氫，在此情況下，硫酸系水溶液中的過(guò)氧化氫濃度優(yōu)選為1～5質(zhì)量％。硫酸系水溶液的液溫優(yōu)選為20～50℃。銅箔在硫酸系水溶液中的浸漬時(shí)間優(yōu)選為2秒～5分鐘。

(2b)第2預(yù)處理

該第2預(yù)處理通過(guò)將實(shí)施了上述第1預(yù)處理的銅箔浸漬于氫氧化鈉水溶液進(jìn)行堿脫脂處理后進(jìn)行水洗來(lái)進(jìn)行。氫氧化鈉水溶液的naoh濃度優(yōu)選為20～60g/l。氫氧化鈉水溶液的液溫優(yōu)選為30～60℃。在氫氧化鈉水溶液中的浸漬時(shí)間優(yōu)選為2秒～5分鐘。

(2c)氧化處理

使用氫氧化鈉溶液等堿性溶液對(duì)實(shí)施了上述第2預(yù)處理的銅箔進(jìn)行氧化處理。通過(guò)用堿性溶液對(duì)銅箔的表面進(jìn)行氧化，從而能夠在銅箔的表面形成由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸，所述針狀結(jié)晶由以cuo作為主要成分的銅復(fù)合化合物構(gòu)成。此時(shí)，堿性溶液的溫度優(yōu)選為60～85℃，堿性溶液的ph優(yōu)選為10～14、更優(yōu)選為12～14。另外，從氧化的觀點(diǎn)出發(fā)，堿性溶液優(yōu)選包含氯酸鹽、亞氯酸鹽、次氯酸鹽、高氯酸鹽，其濃度優(yōu)選100～500g/l。氧化處理優(yōu)選通過(guò)將銅箔浸漬于堿性溶液中來(lái)進(jìn)行，其浸漬時(shí)間(即氧化時(shí)間)優(yōu)選10秒～20分鐘、更優(yōu)選為30秒～10分鐘。

用于氧化處理的堿性溶液優(yōu)選進(jìn)一步包含氧化抑制劑。即，利用堿性溶液對(duì)銅箔的表面實(shí)施氧化處理時(shí)，有時(shí)該凸?fàn)畈窟^(guò)度地生長(zhǎng)，而超過(guò)期望的長(zhǎng)度，難以形成期望的微細(xì)凹凸。因此，為了形成上述微細(xì)凹凸，優(yōu)選使用包含能夠抑制銅箔表面的氧化的氧化抑制劑的堿性溶液。作為優(yōu)選的氧化抑制劑的例子，可列舉出氨基系硅烷偶聯(lián)劑。通過(guò)使用包含氨基系硅烷偶聯(lián)劑的堿性溶液對(duì)銅箔表面實(shí)施氧化處理，從而能夠使該堿性溶液中的氨基系硅烷偶聯(lián)劑吸附于銅箔的表面，抑制由堿性溶液導(dǎo)致的銅箔表面的氧化。其結(jié)果，能夠抑制氧化銅的針狀結(jié)晶的生長(zhǎng)，能夠形成具備極其微細(xì)的凹凸的期望的粗糙化處理面。作為氨基系硅烷偶聯(lián)劑的具體例，可列舉出：n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-n-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷等，特別優(yōu)選為n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷。這些均可溶解于堿性溶液中，穩(wěn)定地保持在堿性溶液中的同時(shí)發(fā)揮抑制上述的銅箔表面氧化的效果。堿性溶液中的氨基系硅烷偶聯(lián)劑(例如n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷)的優(yōu)選的濃度為0.01～20g/l、更優(yōu)選為0.02～20g/l。

(2d)還原處理

使用還原處理液對(duì)實(shí)施了上述氧化處理的銅箔(以下稱(chēng)為氧化處理銅箔)進(jìn)行還原處理。通過(guò)利用還原處理使cuo轉(zhuǎn)化為cu金屬、cu2o，從而可以在銅箔的表面形成由如下針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸，該針狀結(jié)晶的內(nèi)部為cu金屬且表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成。該還原處理通過(guò)使氧化處理銅箔接觸還原處理液來(lái)進(jìn)行即可，優(yōu)選通過(guò)使氧化處理銅箔浸漬于還原處理液中的方法、將還原處理液噴灑在氧化處理銅箔上的方法來(lái)進(jìn)行，其處理時(shí)間優(yōu)選2～60秒、更優(yōu)選為5～30秒。需要說(shuō)明的是，優(yōu)選的還原處理液為二甲胺硼烷水溶液，該水溶液優(yōu)選以10～40g/l的濃度含有二甲胺硼烷。另外，二甲胺硼烷水溶液優(yōu)選使用碳酸鈉和氫氧化鈉調(diào)整為ph12～14。此時(shí)的水溶液的溫度沒(méi)有特別限定，可以為室溫。由此進(jìn)行了還原處理的銅箔優(yōu)選進(jìn)行水洗、干燥。此時(shí)的干燥溫度優(yōu)選設(shè)為80～125℃、更優(yōu)選為110～120℃。干燥時(shí)間可以是3～60秒這樣的短時(shí)間，更優(yōu)選為5～30秒。

(3)硅烷偶聯(lián)劑處理

根據(jù)期望也可以對(duì)銅箔實(shí)施硅烷偶聯(lián)劑處理而形成硅烷偶聯(lián)劑層。由此能夠提高耐濕性、耐化學(xué)藥品性和與粘接劑等的密合性等。硅烷偶聯(lián)劑層可以通過(guò)對(duì)硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行適當(dāng)稀釋并涂布，使其干燥而形成。作為硅烷偶聯(lián)劑的例子，可列舉出：4-縮水甘油基丁基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等環(huán)氧基官能性硅烷偶聯(lián)劑、或3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2(氨乙基)3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性硅烷偶聯(lián)劑、或3-巰基丙基三甲氧基硅烷等巰基官能性硅烷偶聯(lián)劑或乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷等烯烴官能性硅烷偶聯(lián)劑、或3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等丙烯酸類(lèi)官能性硅烷偶聯(lián)劑、或咪唑硅烷等咪唑官能性硅烷偶聯(lián)劑、或三嗪硅烷等三嗪官能性硅烷偶聯(lián)劑等。

覆銅層疊板

本發(fā)明的粗糙化處理銅箔優(yōu)選用于制作印刷電路板用覆銅層疊板。即，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的方式，提供具備上述粗糙化處理銅箔的覆銅層疊板、或使用上述粗糙化處理銅箔而得到的覆銅層疊板。該覆銅層疊板具備本發(fā)明的粗糙化處理銅箔、和密合設(shè)置在該粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的樹(shù)脂層。粗糙化處理銅箔可以設(shè)置于樹(shù)脂層的單面，也可以設(shè)置于雙面。樹(shù)脂層包含樹(shù)脂，優(yōu)選包含絕緣性樹(shù)脂。樹(shù)脂層優(yōu)選為預(yù)浸料和/或樹(shù)脂片。預(yù)浸料是指使合成樹(shù)脂浸滲于合成樹(shù)脂板、玻璃板、玻璃織布、玻璃無(wú)紡布、紙等基材中而成的復(fù)合材料的統(tǒng)稱(chēng)。作為絕緣性樹(shù)脂的優(yōu)選的例子，可列舉出：環(huán)氧樹(shù)脂、氰酸酯樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂(bt樹(shù)脂)、聚苯醚樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂等。另外，作為構(gòu)成樹(shù)脂片的絕緣性樹(shù)脂的例子，可列舉出：環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂等絕緣樹(shù)脂。另外，從提高絕緣性等的觀點(diǎn)出發(fā)，樹(shù)脂層也可以含有由二氧化硅、氧化鋁等各種無(wú)機(jī)顆粒構(gòu)成的填料顆粒等。樹(shù)脂層的厚度沒(méi)有特別限定，優(yōu)選1～1000μm、更優(yōu)選為2～400μm、進(jìn)一步優(yōu)選為3～200μm。樹(shù)脂層也可由多層構(gòu)成。預(yù)浸料和/或樹(shù)脂片等樹(shù)脂層也可以隔著預(yù)先涂布于銅箔表面的底漆樹(shù)脂層而設(shè)置于粗糙化處理銅箔上。

印刷電路板

本發(fā)明的粗糙化處理銅箔優(yōu)選用于制作印刷電路板。即，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的方式，提供具備上述粗糙化處理銅箔的印刷電路板、或使用上述粗糙化處理銅箔而得到的印刷電路板。本方式的印刷電路板包含依次層疊樹(shù)脂層和銅層而成的層構(gòu)成。另外，對(duì)于樹(shù)脂層而言，有關(guān)覆銅層疊板如上所述。在任意情況下，印刷電路板均可采用公知的層構(gòu)成。作為有關(guān)印刷電路板的具體例，可列舉出：在預(yù)浸料的單面或雙面粘接本發(fā)明的粗糙化處理銅箔進(jìn)行固化而制成層疊體，在此基礎(chǔ)上進(jìn)行電路形成而得到的單面或雙面印刷電路板、對(duì)它們進(jìn)行多層化而成的多層印刷電路板等。另外，作為其它的具體例，還可列舉出在樹(shù)脂薄膜上設(shè)置本發(fā)明的粗糙化處理銅箔而形成電路的柔性印刷電路板、cof、tab帶等。進(jìn)而，作為其它的具體例，可列舉出：在本發(fā)明的粗糙化處理銅箔上涂布上述的樹(shù)脂層而形成帶有樹(shù)脂的銅箔(rcc)，將樹(shù)脂層作為絕緣粘接劑層層疊于上述的印刷基板后，將粗糙化處理銅箔作為布線層的全部或一部分通過(guò)模擬/半加成(msap)法、減成法等方法形成了電路的積層電路板、除去粗糙化處理銅箔并通過(guò)半加成(sap)法形成了電路的積層電路板、在半導(dǎo)體集成電路上交替地重復(fù)進(jìn)行帶有樹(shù)脂的銅箔的層疊和電路形成的晶圓上直接積層(directbuilduponwafer)等。

實(shí)施例

通過(guò)以下的例子對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步具體說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在以下的例子中，電解銅箔的“電極面”是指在制作電解銅箔時(shí)與陰極接觸側(cè)的面，而電解銅箔的“析出面”是指在制作電解銅箔時(shí)析出電解銅側(cè)的面、即未與陰極接觸側(cè)的面。

例1

本發(fā)明的粗糙化處理銅箔的制作以如下方式進(jìn)行。

(1)電解銅箔的制作

作為銅電解液使用以下所示的組成的硫酸銅溶液，陰極使用表面粗糙度ra為0.20μm的鈦制的旋轉(zhuǎn)電極，陽(yáng)極使用dsa(尺寸穩(wěn)定性陽(yáng)極)，以溶液溫度45℃、電流密度55a/dm²進(jìn)行電解，得到厚度18μm的電解銅箔。用后述的方法測(cè)定該電解銅箔的微觀不平度十點(diǎn)高度rzjis，結(jié)果是析出面為0.6μm、電極面為1.3μm。

＜硫酸銅溶液的組成＞

-銅濃度：80g/l

-硫酸濃度：260g/l

-雙(3-磺丙基)二硫化物濃度：30mg/l

-二烯丙基二甲基氯化銨聚合物濃度：50mg/l

-氯濃度：40mg/l

(2)粗糙化處理(氧化還原處理)

用以下所示的4階段的工藝對(duì)在上述中得到的電解銅箔的雙面進(jìn)行粗糙化處理(氧化還原處理)。即，依次進(jìn)行以下所示的第1預(yù)處理、第2預(yù)處理、氧化處理和還原處理。

(a)第1預(yù)處理

將在上述(1)中得到的電解銅箔在液溫40℃下浸漬于硫酸濃度為5質(zhì)量％的硫酸系水溶液中1分鐘，然后進(jìn)行水洗。

(b)第2預(yù)處理

將實(shí)施了第1預(yù)處理的電解銅箔在液溫40℃下浸漬于naoh濃度50g/l的氫氧化鈉水溶液中1分鐘，然后進(jìn)行水洗。

(c)氧化處理

對(duì)實(shí)施了上述預(yù)處理的電解銅箔進(jìn)行氧化處理。該氧化處理通過(guò)將該電解銅箔浸漬于液溫75℃、ph＝13、亞氯酸濃度為180g/l、n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷濃度為15g/l的氫氧化鈉溶液中2分鐘來(lái)進(jìn)行。由此，在電解銅箔的雙面形成由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸，所述針狀結(jié)晶由以cuo作為主要成分的銅復(fù)合化合物構(gòu)成。

(d)還原處理

對(duì)實(shí)施了上述氧化處理的電解銅箔進(jìn)行還原處理。該還原處理通過(guò)將利用上述氧化處理形成了微細(xì)凹凸的電解銅箔浸漬于使用碳酸鈉和氫氧化鈉調(diào)整為ph＝12的二甲胺硼烷濃度為20g/l的水溶液中1分鐘來(lái)進(jìn)行。此時(shí)的水溶液的溫度設(shè)為35℃。對(duì)由此進(jìn)行了還原處理的電解銅箔進(jìn)行水洗，在110℃下干燥10秒。通過(guò)這些工序，使電解銅箔的雙面的cuo還原成為cu金屬、cu2o，制成具有由銅復(fù)合化合物構(gòu)成的微細(xì)凹凸的粗糙化處理面，所述銅復(fù)合化合物其表面全部由cu金屬和cu2o的混相構(gòu)成。由此得到在至少一側(cè)具有具備由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸的粗糙化處理面的粗糙化處理銅箔。

(3)分析和評(píng)價(jià)

對(duì)于所制作的粗糙化處理銅箔樣品而言，進(jìn)行以下所示的分析和評(píng)價(jià)。

(a)粗糙化處理面(微細(xì)凹凸)的觀察

利用截面sem來(lái)觀察構(gòu)成粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面的微細(xì)凹凸(析出面?zhèn)?，結(jié)果得到圖1所示的截面sem圖像。如圖1所示，確認(rèn)了粗糙化處理面包含由無(wú)數(shù)的針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸。另外，利用透射電子顯微鏡(tem)(日本電子株式會(huì)社制、jem-arm200f)以20萬(wàn)倍的倍率來(lái)觀察微細(xì)凹凸(特別是針狀結(jié)晶)的截面，結(jié)果得到圖2所示的stem-haadf像。進(jìn)而，利用上述透射電子顯微鏡觀察微細(xì)凹凸(特別是針狀結(jié)晶)，結(jié)果得到圖3a和圖3b所示的tem圖像。圖3b是圖3a所示的tem圖像的部分放大圖像?；谟纱双@得的stem-haadf像測(cè)定針狀結(jié)晶的高度(相對(duì)于箔垂直的方向的長(zhǎng)度)。此時(shí)，將在1μm×1μm的區(qū)域測(cè)定10處所得的值的平均值作為各樣品中的針狀結(jié)晶高度。結(jié)果如表1所示。

(b)基于stem-eels的針狀結(jié)晶的組成分析

利用以下的步驟對(duì)構(gòu)成粗糙化處理銅箔樣品表面的微細(xì)凹凸的針狀結(jié)晶的組成進(jìn)行組成分析。

(b-1)試樣的預(yù)處理

在粗糙化處理銅箔的表面使用粘接劑進(jìn)行樹(shù)脂包埋后，利用超薄切片法制作用于eels測(cè)定的超薄切片。此時(shí)，目標(biāo)厚度為20nm。

(b-2)eels光譜的獲得

使用透射電子顯微鏡(tem)(日本電子株式會(huì)社制、jem-arm200f)利用電子能量損失譜分析(eels)而獲得所制作的試樣的cu-l端的電子能量損失譜。具體而言，在獲得包含粗糙化處理面的針狀結(jié)晶的部分的stem(掃描透射電子顯微鏡)-haadf像(高角度散射暗場(chǎng)像)(以下稱(chēng)為stem-haadf像)后，指定規(guī)定的位置來(lái)獲得電子能量損失譜。該測(cè)定針對(duì)在stem-haadf像中包含銅箔主體部分(即除了針狀結(jié)晶以外的銅箔的主要部分)、針狀結(jié)晶的內(nèi)部部分(即芯的部分)和針狀結(jié)晶的表面(即外周部分)的多處來(lái)進(jìn)行。stem觀察時(shí)的加速電壓為200kv，電子束光斑直徑為約0.15nm。獲得的能量區(qū)域?yàn)榫哂衏u-l端的包含900～1000ev的范圍。圖4中同時(shí)示出了：表示構(gòu)成粗糙化處理銅箔的微細(xì)凹凸的針狀結(jié)晶的stem-haadf像、和有關(guān)在該圖像的附有圓圈標(biāo)記的針部分和銅箔主體的各部分中獲得的cu-l2,3端的eels的光譜。另外，圖5中同時(shí)示出了：表示針狀結(jié)晶的針前端部的stem-haadf像、和有關(guān)在該圖像的附有圓圈標(biāo)記的外周部分和芯的各部分中獲得的cu-l2,3端的eels的光譜。特別是，對(duì)于針狀結(jié)晶的表面而言，對(duì)任意5點(diǎn)進(jìn)行測(cè)定，獲得各點(diǎn)的eels光譜。

(b-3)eels光譜數(shù)據(jù)的分析

對(duì)得到的cu-l端的電子能量損失譜的銅箔主體部分(即除了針狀結(jié)晶以外的銅箔的主要部分)的光譜和cu金屬的標(biāo)準(zhǔn)試樣的光譜進(jìn)行比較，只要cu-l端的能量位置偏移就根據(jù)需要進(jìn)行校正。通過(guò)使用后述的鑒定方法對(duì)由此根據(jù)需要校正了的光譜和由后述的峰特性而賦予特征的cu金屬、cu2o和cuo的標(biāo)準(zhǔn)的cu-l端的電子能量損失譜進(jìn)行比較，從而進(jìn)行測(cè)定位置處的組成的鑒定。而且，對(duì)于針狀結(jié)晶的表面而言，對(duì)所測(cè)定的5點(diǎn)的各點(diǎn)進(jìn)行eels光譜的鑒定，判斷它們?nèi)繛閏u金屬/cu2o混相。進(jìn)而，也進(jìn)行了針狀結(jié)晶的前端部的eels成像，結(jié)果如圖6所示，也確認(rèn)了整個(gè)最表層存在氧。綜合考慮這些結(jié)果，判斷針狀結(jié)晶的表面全部由cu金屬/cu2o混相構(gòu)成。

需要說(shuō)明的是，在eels光譜數(shù)據(jù)的分析中的cu金屬、cu2o和cuo的鑒定使用以下所示的步驟進(jìn)行。其中，值得留意的是，以下所示的能量值(ev)是以利用本實(shí)施例中使用的測(cè)定裝置所測(cè)定的值為基礎(chǔ)的，與公知文獻(xiàn)中所公開(kāi)的值之間最大可產(chǎn)生至5ev為止的偏差。因此，在以下的基準(zhǔn)中所標(biāo)記的“xev附近”(x為任意的值)的術(shù)語(yǔ)容許在x±5ev的范圍內(nèi)變動(dòng)。

＜cu金屬的光譜的鑒定＞

作為原則，歸屬于cu金屬的光譜的鑒定可以通過(guò)確認(rèn)滿(mǎn)足以下的1)～4)來(lái)進(jìn)行。

1)在約938ev附近具有峰p938。

2)在約959ev附近也具有峰p959。

3)峰p959的強(qiáng)度i959比峰p938的強(qiáng)度i938還高(即i938＜i959)。

4)在940～950ev附近進(jìn)一步具有2個(gè)峰。

＜cu2o的光譜的鑒定＞

作為原則，歸屬于cu2o的光譜的鑒定可以通過(guò)確認(rèn)滿(mǎn)足以下的5)～8)來(lái)進(jìn)行。

5)在約936ev附近具有峰p936。

6)在約957ev附近也具有峰p957。

7)峰p936的強(qiáng)度i936與峰p957的強(qiáng)度i957為大致相同程度或近似(即i936≈i957)。需要說(shuō)明的是，在i936＞i957的情況下鑒定為cuo。該2個(gè)峰的關(guān)系可以通過(guò)參照例如圖8所示的源自公知文獻(xiàn)(hofer&golob,ultramicroscopy21(1987)379)的cu2o和cuo的光譜中的、2個(gè)峰的強(qiáng)度比(根據(jù)在圖8中2個(gè)峰的上方的輔助線的傾斜度加以強(qiáng)調(diào))而更加直觀地理解。

8)作為結(jié)果p936與p957之間形成谷。

＜cu金屬/cu2o混相的鑒定＞

不過(guò)，cu金屬/cu2o混相復(fù)合了cu金屬的光譜和cu2o的光譜而在一定程度上繼承這些光譜的特征，同時(shí)也呈現(xiàn)出均難以進(jìn)行嚴(yán)格分類(lèi)的特有的光譜。具體而言，具有上述1)和2)中記載的峰p938和p959，同時(shí)上述3)的i959＞i938的峰強(qiáng)度比消失，且上述4)的940～950ev附近的2個(gè)峰也變得難以確定。另一方面，上述5)和6)中記載的峰p936和峰p957分別被引入至與它們能量位置接近的上述1)和2)中記載的峰p938和p959中，結(jié)果實(shí)質(zhì)上消失。作為替代，與上述3)不同，反而以依據(jù)上述7)的形態(tài)，峰p959的強(qiáng)度i959與峰p938的強(qiáng)度i938為大致相同程度或近似(即i938≈i959)，或如上述3)所述，峰p959的強(qiáng)度i959比峰p938的強(qiáng)度i938還高(即i938＜i959)。在任意情況下，作為結(jié)果，以依據(jù)上述8)的形態(tài)在p938與p959之間形成谷。歸納這些結(jié)果，作為原則，歸屬于cu金屬/cu2o混相的光譜的鑒定可以通過(guò)確認(rèn)滿(mǎn)足以下的i)～iv)來(lái)進(jìn)行。

i)在約938ev附近具有峰p938(與上述1)相同)

ii)在約959ev附近也具有峰p959(與上述2)相同)

iii)峰p938的強(qiáng)度i938與峰p959的強(qiáng)度i959為大致相同程度或近似(即i938≈i959)(代替上述3)以上述7)為準(zhǔn))或比強(qiáng)度i938還高(即i938＜i959)(與上述3)相同)。

iv)作為結(jié)果p938與p959之間形成谷(代替上述4)以上述8)為準(zhǔn))。

即，可以說(shuō)歸屬于cu金屬/cu2o混相的光譜的2個(gè)峰(即p938和p959)的位置與cu金屬的光譜一致，但2個(gè)峰的強(qiáng)度比、2個(gè)峰之間的形狀與cu2o的光譜一致。因此，歸屬于cu金屬/cu2o混相的光譜的鑒定可以通過(guò)確認(rèn)如下內(nèi)容來(lái)進(jìn)行：i)基于2個(gè)峰(即p938和p959)的位置來(lái)鑒定cu金屬，ii)基于這2個(gè)峰的強(qiáng)度(即i938和i959)之比和這些峰之間的形狀來(lái)鑒定cu2o，iii)在針狀結(jié)晶的表面的多處(例如5處)均滿(mǎn)足上述i)和ii)和/或通過(guò)氧成像確認(rèn)整個(gè)最表層存在氧。

(c)與樹(shù)脂的密合性的評(píng)價(jià)

對(duì)于各種狀態(tài)的粗糙化處理銅箔而言，為了評(píng)價(jià)與絕緣樹(shù)脂基材的密合性，如下所述來(lái)進(jìn)行常態(tài)剝離強(qiáng)度、吸濕后剝離強(qiáng)度和酸處理后剝離強(qiáng)度的測(cè)定。

(c-1)常態(tài)剝離強(qiáng)度

作為絕緣樹(shù)脂基材，準(zhǔn)備2張預(yù)浸料(panasoniccorporation制、r1551、厚度100μm)，進(jìn)行疊加。在該疊加的預(yù)浸料中以粗糙化處理銅箔的粗糙化處理面與預(yù)浸料抵接的方式層疊粗糙化處理銅箔，使用真空壓制機(jī)，在壓制壓力2.9mpa、溫度200℃、壓制時(shí)間90分鐘的條件下進(jìn)行壓制而制作覆銅層疊板。接著，利用蝕刻法制作在該覆銅層疊板上具備0.8mm寬度的剝離強(qiáng)度測(cè)定用直線電路的試驗(yàn)基板。依據(jù)jisc6481-1996從絕緣樹(shù)脂基材上剝離由此形成的直線電路，測(cè)定常態(tài)剝離強(qiáng)度(kgf/cm)。結(jié)果如表1所示。

(c-2)吸濕后剝離強(qiáng)度

在進(jìn)行剝離強(qiáng)度的測(cè)定之前，將具備直線電路的試驗(yàn)基板浸漬在沸水中2小時(shí)，除此以外利用與上述的常態(tài)剝離強(qiáng)度相同的步驟，測(cè)定吸濕后剝離強(qiáng)度(kgf/cm)。結(jié)果如表1所示。

(c-3)酸處理后剝離強(qiáng)度

在進(jìn)行剝離強(qiáng)度的測(cè)定之前，將具備直線電路的試驗(yàn)基板浸漬于4n鹽酸中30分鐘，除此以外利用與上述的常態(tài)剝離強(qiáng)度相同的步驟，測(cè)定酸處理后剝離強(qiáng)度(kgf/cm)。結(jié)果如表1所示。

(d)吸濕耐熱性試驗(yàn)

將使用粗糙化處理銅箔與上述相同地制作的覆銅層疊板在溫度60℃、濕度60％的環(huán)境下放置120小時(shí)，然后在回流爐中對(duì)覆銅層疊板進(jìn)行峰溫度270℃的加熱30秒，進(jìn)行10次該加熱。在回流爐中進(jìn)行10次加熱后，觀察由加熱導(dǎo)致的覆銅層疊板表面的膨脹的有無(wú)。未觀察到膨脹的情況判斷為合格，將進(jìn)行的5次試驗(yàn)中判斷為合格的次數(shù)作為吸濕耐熱性的指標(biāo)來(lái)使用。結(jié)果如表1所示。

例2(比較)

以如下方式進(jìn)行相當(dāng)于專(zhuān)利文獻(xiàn)1的實(shí)施例1中所公開(kāi)的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理銅箔的制作。

(1)電解銅箔的制作

與例1的(1)相同地制作電解銅箔。

(2)粗糙化處理(氧化還原處理)

用以下所示的4階段工藝對(duì)上述得到的電解銅箔的雙面進(jìn)行粗糙化處理(氧化還原處理)。即，依次進(jìn)行以下所示的第1預(yù)處理、第2預(yù)處理、氧化處理和還原處理。

(a)第1預(yù)處理

將在上述(1)中得到的電解銅箔在液溫25℃下浸漬于naoh濃度50g/l的氫氧化鈉水溶液中5分鐘，然后進(jìn)行水洗。

(b)第2預(yù)處理

將實(shí)施了第1預(yù)處理的電解銅箔在液溫25℃下浸漬于過(guò)氧化氫濃度為1質(zhì)量％、硫酸濃度為5質(zhì)量％的硫酸系水溶液中5分鐘，然后進(jìn)行水洗。

(c)氧化處理

對(duì)實(shí)施了上述預(yù)處理的電解銅箔進(jìn)行氧化處理。該氧化處理通過(guò)使該電解銅箔浸漬在液溫70℃、ph＝12、亞氯酸濃度為150g/l、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷的濃度為10g/l的氫氧化鈉溶液中2分鐘來(lái)進(jìn)行。由此，在電解銅箔的雙面形成由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸，所述針狀結(jié)晶由以cuo作為主要成分的銅復(fù)合化合物構(gòu)成。

(d)還原處理

對(duì)實(shí)施了上述氧化處理的試樣進(jìn)行還原處理。該還原處理通過(guò)將利用上述氧化處理而形成了微細(xì)凹凸的電解銅箔浸漬于使用碳酸鈉和氫氧化鈉調(diào)整為ph＝12的二甲胺硼烷濃度為20g/l的水溶液中1分鐘來(lái)進(jìn)行。此時(shí)的水溶液的溫度設(shè)為35℃。對(duì)由此進(jìn)行了還原處理的電解銅箔進(jìn)行水洗，在130℃下干燥20秒。由此得到在雙面具有具備由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸的粗糙化處理面的粗糙化處理銅箔。

(3)分析和評(píng)價(jià)

對(duì)于所制作的粗糙化處理銅箔樣品而言，進(jìn)行與例1相同的分析和評(píng)價(jià)。結(jié)果如表1所示。另外，圖8中同時(shí)示出了：表示構(gòu)成在本例中得到的粗糙化處理銅箔的微細(xì)凹凸的針狀結(jié)晶的針前端部的stem-haadf像、和有關(guān)在該圖像的附有圓圈標(biāo)記的外周散在部分、外周主要部分和芯部分的各部分中獲得的cu-l2,3端的eels的光譜。如圖7所示，針狀結(jié)晶的外周主要部分由cu金屬構(gòu)成，但在針狀結(jié)晶的表面局部散在有cu金屬/cu2o混相。

例3(比較)

以如下方式進(jìn)行相當(dāng)于專(zhuān)利文獻(xiàn)1的比較例中所公開(kāi)的粗糙化處理銅箔的粗糙化處理銅箔的制作。

(1)電解銅箔的制作

與例1的(1)相同地制作電解銅箔。

(2)粗糙化處理(氧化還原處理)

用以下所示的4階段工藝對(duì)上述得到的電解銅箔的雙面進(jìn)行粗糙化處理(氧化還原處理)。即，依次進(jìn)行以下所示的第1預(yù)處理、第2預(yù)處理、氧化處理和還原處理。

(a)第1預(yù)處理

將在上述(1)中得到的電解銅箔在液溫25℃下浸漬于naoh濃度50g/l的氫氧化鈉水溶液中5分鐘，然后進(jìn)行水洗。

(b)第2預(yù)處理

將實(shí)施了第1預(yù)處理的電解銅箔在液溫25℃下浸漬于過(guò)氧化氫濃度為1質(zhì)量％、硫酸濃度為5質(zhì)量％的硫酸系水溶液中5分鐘，然后進(jìn)行水洗。

(c)氧化處理

對(duì)實(shí)施了上述預(yù)處理的電解銅箔進(jìn)行氧化處理。該氧化處理通過(guò)將上述電解銅箔浸漬于含有rohmandhaaselectronicmaterialsco.,ltd.制造的作為氧化處理液的“probond80aoxidesolution”10vol％和“probond80boxidesolution”20vol％的液溫85℃的水溶液中5分鐘來(lái)進(jìn)行。由此，在電解銅箔的雙面形成由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸，所述針狀結(jié)晶由以cuo作為主要成分的銅復(fù)合化合物構(gòu)成。

(d)還原處理

對(duì)實(shí)施了上述氧化處理的試樣進(jìn)行還原處理。該還原處理通過(guò)將實(shí)施了上述氧化處理的電解銅箔浸漬于含有rohmandhaaselectronicmaterialsco.,ltd.制造的作為還原處理液的“circupositpboxideconverter60c”6.7vol％、“cupositz”1.5vol％的水溶液中5分鐘來(lái)進(jìn)行。此時(shí)的水溶液的溫度設(shè)為35℃。對(duì)由此進(jìn)行了還原處理的電解銅箔進(jìn)行水洗，在130℃下干燥20秒。由此得到在雙面具有具備由針狀結(jié)晶構(gòu)成的微細(xì)凹凸的粗糙化處理面的粗糙化處理銅箔。

(3)分析和評(píng)價(jià)

對(duì)于制作的粗糙化處理銅箔樣品而言，進(jìn)行與例1相同的分析和評(píng)價(jià)。結(jié)果如表1所示。

表1