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基板處理裝置的制作方法

文檔序號:11446490閱讀:247來源:國知局
基板處理裝置的制造方法

本發(fā)明涉及一種進行濺射基板表面的處理的基板處理裝置。



背景技術(shù):

已知對薄型樹脂基板進行各種處理的基板處理裝置。基板處理裝置例如具備:清洗基板表面的清洗部;以及在已清洗的基板表面形成金屬膜的成膜部。清洗部為例如通過濺射基板表面來除去在基板表面的附著物。并且,基板處理裝置在清洗部與成膜部之間具備搬送基板的搬送部,搬送部在沿著大致鉛直方向站立的狀態(tài)下搬送基板。

清洗部具備接地的真空槽。在真空槽的內(nèi)部,在被搬送部支承的基板與載臺接觸的狀態(tài)下對載臺施加高頻電壓。藉此,包含基板的載臺作為陰極發(fā)揮作用,真空槽中的與陰極對面的部分作為陽極發(fā)揮作用。然后,從供給至腔內(nèi)的氣體在基板的周圍產(chǎn)生等離子,由等離子中的正離子濺射基板表面。藉此清洗基板表面(例如參照專利文獻1)。

【現(xiàn)有技術(shù)文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】特開2014-148736號公報



技術(shù)實現(xiàn)要素:

【發(fā)明所要解決的課題】

然而,濺射基板時,搬送部與具有接地電位的真空槽的一部分接觸。因此,具有接地電位的搬送部與被施加了高頻電壓的載臺進行電容耦合的結(jié)果,高頻電壓的一部分不貢獻于等離子的產(chǎn)生而被消耗。因此,在上述基板處理裝置中,每單位電力的等離子密度難以提高,其結(jié)果,除去附著物的速度也難以提高。

另外,不限于由上述搬送部支承基板的基板處理裝置,即使在具備在大致水平狀態(tài)下支承基板的支承部的結(jié)構(gòu),也與具備搬送部的基板處理裝置一樣,被施加于載臺的高頻電壓的一部分,不貢獻于等離子產(chǎn)生而被消耗。而且,施加于載臺的電壓即使是高頻電壓以外的電壓,例如直流電壓等,也與施加高頻電壓的情況一樣,電壓的一部分不貢獻于等離子產(chǎn)生而被消耗。

本發(fā)明的目的在于提供一種可提高每單位消耗電力的濺射效率的基板處理裝置。

【用于解決問題的手段】

一種基板處理裝置,具備:接地的框體;陰極載臺,構(gòu)成為位于所述框體內(nèi)并支承基板,所述陰極載臺被施加用于產(chǎn)生等離子的電壓;陽極單元,被固定于所述框體。所述陽極單元包含第一板和第二板,所述第一板位于所述框體內(nèi)并包含多個第一貫穿孔,所述第二板位于所述第一板與所述陰極載臺之間,并包含比所述第一貫穿孔大的多個第二貫穿孔?;逄幚硌b置還具備氣體供給部,向所述第一板供給氣體。所述第一板構(gòu)成為使所述氣體穿過所述多個第一貫穿孔流動,從而使所述氣體向所述第一板的面方向擴散。所述第二板構(gòu)成為使穿過所述第一貫穿孔的所述氣體穿過所述多個第二貫穿孔從而在所述第二板與所述陰極載臺之間流動。所述多個第二貫穿孔具有使各第二貫穿孔內(nèi)部的等離子的發(fā)光強度高于所述第二板與所述陰極載臺之間產(chǎn)生的等離子的發(fā)光強度的形狀。根據(jù)上述基板處理裝置,在經(jīng)由第一板供給氣體到第二板的狀態(tài)下施加電壓至陰極載臺時,除了陽極單元與陰極載臺之間產(chǎn)生的等離子,也可以在形成于第二板的各第二貫穿孔的內(nèi)部產(chǎn)生等離子。藉此,在框體內(nèi)的等離子密度提高,向著基板飛行的帶電粒子的密度也會提高。其結(jié)果,每單位消耗電力的濺射速度提高。

在一實施方式,所述第二板被配置于與所述第一板面對的位置。在此情況下,上述基板處理裝置優(yōu)選為還具備閉塞部,該閉塞部遍及所述第一板的整個周向?qū)⑺龅谝话迮c所述第二板之間的空間區(qū)域封閉。

通過此結(jié)構(gòu),第一板與第二板之間的空間區(qū)域的周圍被閉塞部封閉,所以能夠容易地提高各第二貫穿孔的內(nèi)部的壓力。

在一實施方式,上述基板處理裝置優(yōu)選為還具備劃分部,其遍及所述第一板的整個周向,從所述陽極單元的外部劃分所述第一板與所述陽極單元內(nèi)的所述框體的內(nèi)壁之間的空間區(qū)域。

根據(jù)此結(jié)構(gòu),第一板與框體內(nèi)壁之間的空間區(qū)域的周圍被劃分部劃分,所以向第一板供給的氣體容易穿過第一貫穿孔流入第一板與第二板之間的空間。此外,能夠容易提高第二貫穿孔內(nèi)部的壓力。

在一實施方式,優(yōu)選所述多個第二貫穿孔分別形成為圓形孔狀,具有3mm以上且20mm以下的直徑。

根據(jù)此結(jié)構(gòu),在第二貫穿孔的內(nèi)部,容易產(chǎn)生高密度的等離子。

在一實施方式,優(yōu)選所述多個第一貫穿孔分別形成為圓形孔狀,具有0.5mm以上且5mm以下的直徑。

根據(jù)此結(jié)構(gòu),能夠抑制進入第二貫穿孔的等離子進入第一貫穿孔,所以也可以減輕第一板所需要的等離子耐性。

附圖說明

圖1是表示一實施方式的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2是表示圖1的基板處理裝置所具備的清洗腔的概要結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。

圖3是表示圖2的清洗腔所具備的陽極單元的放大剖視圖。

圖4是表示圖3的陽極單元所具備的第一板的一部分的放大俯視圖。

圖5是表示圖3的陽極單元所具備的第二板的一部分的放大俯視圖。

圖6是圖4所示的第一板的局部放大剖面圖。

圖7是圖5所示的第二板的局部放大剖面圖。

圖8是用于說明基板處理裝置的作用的清洗腔的側(cè)視圖。

圖9是用于說明基板處理裝置的作用的陽極單元的剖視圖。

圖10是表示在變形例中的各板的貫穿孔的形狀的俯視圖。

圖11是表示另一變形例的各板的貫穿孔的形狀的俯視圖。

具體實施方式

參照圖1~9來說明基板處理裝置的一實施方式。在以下依序說明基板處理裝置的結(jié)構(gòu)、基板處理裝置所具備的清洗腔的結(jié)構(gòu)、清洗腔的作用以及實施例。

[基板處理裝置的結(jié)構(gòu)]

參照圖1來說明基板處理裝置的結(jié)構(gòu)。

如圖1所示,基板處理裝置10具備:搬入搬出腔11、清洗腔12以及濺射腔13,搬入搬出腔11、清洗腔12以及濺射腔13沿著一方向(連接方向)依次排列。

在連結(jié)方向上,在搬入搬出腔11與清洗腔12之間以及清洗腔12與濺射腔13之間具有閘閥14。各閘閥14在連結(jié)方向上被連接于夾著該閘閥14的兩個腔。通過打開閘閥14,在連結(jié)方向上相鄰的兩個腔形成一個內(nèi)部空間,通過關(guān)閉閘閥14,在連結(jié)方向上相鄰的兩個腔分別形成獨立的內(nèi)部空間。

各腔具備排氣部15,排氣部15將對應(yīng)的腔的內(nèi)部空間減壓。例如排氣部15將對應(yīng)的腔的內(nèi)部空間設(shè)為真空?;逄幚硌b置10具備搬送部16,其沿著連結(jié)方向從搬入搬出腔11延伸至濺射腔13。搬送部16搬送托盤t,托盤t支承作為基板處理裝置10的處理對象的基板s。并且,搬送部16還能夠在連接方向的預定位置將托盤t固定。

搬入搬出腔11將支承著處理前的基板s的托盤t,從基板處理裝置10的外部搬入,并搬出至清洗腔11。并且,搬入搬出腔11將支承著處理后的基板s的托盤t,從清洗腔12搬入,并搬出至基板處理裝置10的外部。

清洗腔12具備:陽極單元17,其固定于基板處理裝置10的一個內(nèi)側(cè)面;以及陰極載臺18,其與陽極單元17相對。清洗腔12清洗處理前的基板s來除去附著于基板s的面的附著物。

濺射腔13具備陰極單元19,陰極單元19具備由預定材料形成的標靶。濺射腔13通過標靶的濺射,在清洗處理后的基板s的面形成預定膜。

而且,基板處理裝置10也可以具備進行上述三個腔11~13所進行的處理以外的處理的腔,也可以具備多個濺射腔13。并且,基板處理裝置10也可以至少具備清洗腔12,也可以不具備濺射腔13與搬入搬出腔11的至少一方。

[清洗腔的結(jié)構(gòu)]

參照圖2~7來說明清洗腔12的結(jié)構(gòu)。

如圖2所示,清洗腔12具備接地的框體21以及氣體供給部22。陰極載臺18以及陽極單元17被配置于框體21內(nèi)。陰極載臺18被構(gòu)成為支承基板s,對陰極載臺18施加用于產(chǎn)生等離子的電壓。

陽極單元17包含第一板23及第二板24,被固定于框體21。在第一板23形成有多個第一貫穿孔23a(參照圖4)。氣體供給部22向第一板23流動氣體。第一板23通過氣體穿過第一貫穿孔23a而流動,從而使氣體向第一板23的面方向擴散。

第二板24位于第一板23與陰極載臺18之間,在第二板24形成有比第一貫穿孔23a更大的多個第二貫穿孔24a(參照圖5)。第二板24使穿過了第一貫穿孔23a的氣體穿過第二貫穿孔24a而在第二板24與陰極載臺18之間流動。各第二貫穿孔24a具有使各第二貫穿孔24a的內(nèi)部的等離子發(fā)光強度提升為比在第二板24與陰極載臺18之間產(chǎn)生的等離子的發(fā)光強度更高的形狀。并且,在第二板24與陰極載臺18之間產(chǎn)生的等離子是指在陽極單元17與陰極載臺18之間產(chǎn)生的等離子,即、在陽極單元17的外側(cè)(因此,各貫穿孔24a的外側(cè))產(chǎn)生的等離子。

根據(jù)清洗腔12,若在經(jīng)由第一板23供給氣體至第二板24的狀態(tài)下施加電壓于陰極載臺18,則在陽極單元17與陰極載臺18之間產(chǎn)生等離子。再者,形成于第二板24的各第二貫穿孔24a的內(nèi)部也能夠產(chǎn)生等離子。

藉此,在陽極單元17的第二板24的周圍的等離子密度提高,向基板s飛行的粒子密度也提高。其結(jié)果,除去附著于基板s的附著物的速度提高。

陰極載臺18具備導電部18a和絕緣部18b,導電部18a具有與基板s接觸的接觸面,絕緣部18b覆蓋導電部18a中的接觸面以外的部分。在導電部18a連接有對陰極載臺18施加電壓的電源25。電源25為例如高頻電源,但也可以是其他電源,例如直流電源等。

陽極單元17與陰極載臺18相面對的方向是對向方向,在對向方向上,搬送部16位于陽極單元17與陰極載臺18之間。

陰極載臺18構(gòu)成為能夠在對向方向上位于第一位置和第二位置。第一位置是陰極載臺18的導電部18a的接觸面與基板s的位置(圖2中用雙點劃線表示)接觸的位置。第二位置是陰極載臺18不與搬送部16或被搬送部16所支承的托盤t接觸(不干涉)的位置。

在框體21形成有供給口21a,在供給口21a連接有氣體供給部22。氣體供給部22從供給口21a供給氣體至陽極單元17的內(nèi)部。氣體供給部22是例如與配置于基板處理裝置10的外部的氣缸連接的質(zhì)量流控制器。作為用于在框體21內(nèi)部產(chǎn)生等離子的氣體,氣體供給部22供給例如氬氣等稀有氣體。

參照圖3~圖7來更詳細地說明陽極單元17的結(jié)構(gòu)。

如圖3所示,陽極單元17具備沿著對向方向排列的第一板23和第二板24。在對向方向上,形成于框體21的供給口21a、第一板23以及第二板24依次排列,第一板23位于供給口21a與第二板24之間。在對向方向上,第一板23與第二板24之間的距離優(yōu)選為例如10mm以上且50mm以下。

第一板23的各第一貫穿孔23a在對向方向貫穿第一板23。第二板24的各第二貫穿孔24a在對向方向貫穿第二板24。

當氣體供給部22從供給口21a供給氣體至陽極單元17,第一板23使氣體穿過多個第一貫穿孔23a而擴散至第一板23的面方向,并且向第二板24流動氣體。然后,第二板24使穿過第一貫穿孔23a的氣體穿過多個第二貫穿孔24a,在第二板24與陰極載臺18之間流動。

第二板24的多個第二貫穿孔24a具有使在第二板24的與陰極載臺18面對的面產(chǎn)生的等離子進入各第二貫穿孔24a的形狀。

在陽極單元17的外部產(chǎn)生的等離子進入到第二貫穿孔24a,所以第二貫穿孔24a內(nèi)的等離子與在第二貫穿孔24a流動的氣體接觸。因此,第二板24的內(nèi)部也產(chǎn)生新的等離子。

在從對向方向來看第二板24時的俯視中,各第二貫穿孔24a與多個第一貫穿孔23a中的至少一個重疊。

根據(jù)這樣的陽極單元17,容易對各第二貫穿孔24a供給氣體,所以以多個第二貫穿孔24a全部或幾乎全部,可以在各第二貫穿孔24a的內(nèi)部產(chǎn)生等離子。

陽極單元17具備支承部17a,其具有在對向方向延伸的筒形狀。支承部17a是閉塞部及劃分部的一例,具有第一筒端17a1和第二筒端17a2,第一筒端17a1被固定于框體21。支承部17a支承第一板23和第二板24,支承部17a的第二筒端17a2的開口被第二板24封閉。

第一板23位于由支承部17a和第二板24和框體21的內(nèi)壁所包圍的陽極單元17的內(nèi)部空間。第一板23與第二板24之間的空間區(qū)域,遍及第一板23的整個周向,被支承部17a封閉。再者,在第一板23與陽極單元17內(nèi)的框體21的內(nèi)壁(供給口21a所位在的內(nèi)壁)之間的空間區(qū)域也遍及第一板23的整個周向,被支承部17a封閉。

如此,通過支承部17a作為將第一板23與第二板24之間的空間區(qū)域的周圍封閉的閉塞部發(fā)揮作用,從而能夠容易地提高在第二貫穿孔24a的內(nèi)部的壓力。并且,支承部17a作為將第一板23與陽極單元17內(nèi)的框體21的內(nèi)部之間的空間區(qū)域從陽極單元17的外部劃分的劃分部發(fā)揮作用。因此,向第一板23供給的氣體容易穿過第一貫穿孔23a而向第一板23與第二板24之間的空間區(qū)域流動。此外,能夠容易提高在第二貫穿孔24a的內(nèi)部的壓力。

在陽極單元17,第一板23、第二板24以及支承部17a的形成材料為金屬。然后,因為陽極單元17的支承部17a的第一筒端17a1被固定于框體21,所以陽極單元17的電位也是接地電位。

如圖4所示,在從對向方向來看第一板23時的俯視中,多個第一貫穿孔23a在第一板23的面內(nèi)規(guī)則地排列。并且,多個第一貫穿孔23a在第一板23的面內(nèi)在俯視中也可以不規(guī)則地排列。

例如,多個第一貫穿孔23a在第一板23的面內(nèi),分別沿著x方向和垂直于x方向的y方向規(guī)則地排列。多個第一貫穿孔23a分別沿著x方向及y方向以預定的第一周期p1排列。第一周期p1優(yōu)選為例如5mm以上且15mm以下。

各第一貫穿孔23a具有圓孔形狀,各第一貫穿孔23a的直徑為第一徑dial,第一徑dial優(yōu)選為例如0.5mm以上且5mm以下。

第一徑dial若為0.5mm以上且5mm以下,則能夠抑制進入第二貫穿孔24a的等離子p進入到第一貫穿孔23a,所以可減輕在第一板23所需的等離子耐性。

在第一板23的面內(nèi),第一貫穿孔23a面積的總和相對于第一板23面積的百分率為第一開口率(%),第一開口率優(yōu)選為5%以上且50%以下。

如圖5所示,在從對向方向來看第二板24時的俯視中,多個第二貫穿孔24a在第二板24的面內(nèi)規(guī)則地排列。并且,多個第二貫穿孔24a在第二板24的面內(nèi)在俯視中也可以不規(guī)則地排列。

例如,多個第二貫穿孔24a在第二板24的面內(nèi),分別沿著x方向和y方向規(guī)則地排列。多個第二貫穿孔24a分別沿著x方向及y方向以預定的第二周期p2排列。第二周期p2優(yōu)選為例如9mm以上且60mm以下。

各第二貫穿孔24a具有圓孔形狀,各第二貫穿孔24a的直徑為第二徑dia2,第二徑dia2比第一徑dial大,優(yōu)選為例如3mm以上且20mm以下。

第二徑dia2若為3mm以上且20mm以下,則在第二貫穿孔24a的內(nèi)部,氣體的電離效率提高,所以能夠在第二板24的周圍(各第二貫穿孔24a的周圍)產(chǎn)生密度高的等離子p。

在第二板24的面內(nèi),第二貫穿孔24a面積的總和相對于第二板24面積的百分率為第二開口率(%),第二開口率優(yōu)選為20%以上且99%以下。

如圖6所示,在第一貫穿孔23a中,沿著對向方向的長度為第一深度dep1,在第一貫穿孔23a中,第一徑dial與第一深度dep1之比為第一寬高比(aspectratio)ar1。第一寬高比ar1優(yōu)選為例如0.1以上且5以下。

如圖7所示,在第二貫穿孔24a,沿著對向方向的長度為第二深度dep2,在第二貫穿孔24a,第二徑dia2與第二深度dep2之比為第二寬高比(aspectratio)ar2。第二寬高比ar2優(yōu)選為例如0.5以上且15以下。

[清洗腔的作用]

參照圖8及圖9來說明清洗腔12的作用。

如圖8所示,在清洗腔12進行基板s的清洗處理時,首先,搬送部16將從搬入搬出腔11搬入至清洗腔12的托盤t搬送到與陽極單元17面對的處理位置為止,在處理位置固定托盤t的位置。并且,托盤t被搬入清洗腔12內(nèi)時,框體21的內(nèi)部被排氣部15減壓至預定壓力為止。

接下來,陰極載臺18從第二位置移動到第一位置(圖8的位置),導電部18a的接觸面與基板s的面接觸。然后,氣體供給部22供給氬氣,使框體21的內(nèi)部壓力變成預定壓力。而且,通過氣體供給部22供給氬氣,可以在陰極載臺18的移動之前進行,也可以與陰極載臺18的移動大致同時開始。

之后,通過電源25施加電壓于陰極載臺18,在框體21的內(nèi)部產(chǎn)生等離子p。然后,等離子p所包含的正離子向基板飛行,與基板s中的面向陽極單元17的面沖突。藉此,基板s中的面向陽極單元17的面所附著的附著物從基板s被除去。

此時,框體21的內(nèi)部壓力優(yōu)選為例如0.1pa以上且30pa以下,供給至陰極載臺18的電力優(yōu)選為0.04w/cm2以上且4w/cm2以下。而且,電源25供給的電力的頻率優(yōu)選為1mhz以上且40mhz以下。而且,相對于具有1mhz以上且40mhz以下的頻率的電力,也可以重疊具有100hz以上且2mhz以下的頻率的電力,在此情況下,具有100hz以上且2mhz以下的頻率的電力優(yōu)選為0.02w/cm2以上且0.8w/cm2以下。

如圖9所示,當從供給口21a供給氬氣g至陽極單元17內(nèi),則氬氣g穿過形成于第一板23的多個第一貫穿孔23a,從而沿著第一板23的面方向擴散。

因為各第二貫穿孔24a的內(nèi)部壓力比陽極單元17的外部壓力高,所以在陽極單元17的外部(陽極單元17與陰極載臺18之間)產(chǎn)生并進入第二貫穿孔24a內(nèi)的等離子p,容易與第二貫穿孔24a內(nèi)流動的氣體接觸,其結(jié)果,即使在第二貫穿孔24a內(nèi)也產(chǎn)生新的等離子。

并且,在框體21的內(nèi)部,在陽極單元17與陰極載臺18之間的空間,在遠離第二板24的部位也產(chǎn)生等離子。在此情況下,通過在各貫穿孔24a內(nèi)產(chǎn)生新的等離子,從而包含多個第二貫穿孔24a的第二板24的周圍所形成的等離子的發(fā)光強度,變得比第二板24與陰極載臺18之間產(chǎn)生的等離子的發(fā)光強度高。

對此,代替上述陽極單元17,框體21的一部分作為陽極發(fā)揮作用的結(jié)構(gòu),或是在面對陰極載臺18的位置具備金屬制的板作為陽極的結(jié)構(gòu),在框體21的內(nèi)部產(chǎn)生等離子。但是,相較于具備陽極單元17的基板處理裝置10,因為在框體21的內(nèi)部,不會產(chǎn)生用于產(chǎn)生等離子的氣體的壓力被提高的部分,所以也不會產(chǎn)生等離子的發(fā)光強度被提高的部分。

如此,根據(jù)具備上述陽極單元17的結(jié)構(gòu),在包含貫穿孔24a的第二板24的周圍所形成的等離子的發(fā)光強度,比在第二板24與陰極載臺18之間產(chǎn)生的等離子的發(fā)光強度高。因此,通過搬送部16與陰極載臺18的電容耦合,即使高頻電壓的一部分被消耗,框體21內(nèi)的等離子密度提高。其結(jié)果,可提高每單位消耗電力的濺射效率。

[實施例及比較例]

以下,說明實施例與各種比較例。以下,為了容易理解,對與上述實施方式的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)賦予同樣的符號來說明。

[實施例1]

準備在成為清洗處理對象的處理面形成有sio2膜的基板s,用上述清洗腔12來清洗處理面。清洗處理采用以下條件進行。并且,使用氬氣作為在框體21內(nèi)用于產(chǎn)生等離子的氣體。

·框體內(nèi)壓力1.0pa

·電力0.6w/cm2(13.56mhz)

陽極單元17構(gòu)成為具備:第一板23,具有第一徑dial為2mm的多個第一貫穿孔23a;以及第二板24,具有第二徑dia2為9mm的多個第二貫穿孔24a。氬氣是從形成于框體的供給端口21a向陽極單元17的第一板23來供給。

[比較例1]

將配置于與陰極載臺18面對的位置的金屬板,代替上述實施例1的陽極單元17,作為陽極來使用,使用這種清洗腔來進行基板s的清洗處理,除此之外,在與實施例1同樣的條件下,進行基板s的清洗處理。并且,氬氣供給至框體21的內(nèi)部。

[比較例2]

在上述實施例1的陽極單元17,除了第二板24的各第二貫穿孔24a的第二深度dep2為2mm以外,在與實施例1相同的條件下進行基板s的清洗處理。

[比較例3]

在陽極單元17的外部的位置供給氬氣至框體21的內(nèi)部,除此以外,在與實施例1相同的條件下進行基板s的清洗。

[基板蝕刻速度]

關(guān)于實施例1及各比較例1~3,算出sio2膜的蝕刻速度來作為基板s表面所附著的附著物的除去速度。測量蝕刻前的sio2膜的厚度和蝕刻后的sio2膜的厚度,通過從蝕刻前的sio2膜的厚度減掉蝕刻后的sio2膜的厚度的值,除以處理時間,由此算出蝕刻速度。蝕刻速度的算出結(jié)果表示在以下的表1。

表1

如表1所示,在實施例1的蝕刻速度為5.8mm/分鐘。對此,在比較例1的蝕刻速度為3.2mm/分鐘,在比較例2的蝕刻速度為2.6mm/分鐘,在比較例3的蝕刻速度為3.0mm/分鐘。

如此,確認到了,通過使用在第二板24的第二徑dia2比在第一板23的第一徑dial大的陽極單元17,對第一板23供給用于產(chǎn)生等離子的氣體,從而基板s的蝕刻速度、即除去基板s表面所附著的附著物的速度提高。

如以上說明,根據(jù)基板處理裝置10的一實施方式,可獲得以下列舉的效果。

(1)在經(jīng)由第一板23供給氣體至第二板24的狀態(tài)下,施加電壓至陰極載臺18,則除了陽極單元17與陰極載臺18之間產(chǎn)生的等離子p之外,在形成于第二板24的各第二貫穿孔24a的內(nèi)部也能夠產(chǎn)生等離子p。藉此,在框體21內(nèi)的等離子p的密度提高,向基板s被吸引的帶電粒子的密度也提高。其結(jié)果,除去附著于基板s的附著物的速度提高。

(2)因為第一板23與第二板24之間的空間區(qū)域的周圍被支承部17a封閉,所以能夠提高在第二貫穿孔24a的內(nèi)部的壓力,促進在第二貫穿孔24a內(nèi)部的等離子的產(chǎn)生。

(3)第一板23與陽極單元17內(nèi)的框體21的內(nèi)壁之間的空間區(qū)域的周圍被支承部17a從陽極單元17的外部劃分。因此,向第一板23供給的氣體,容易穿過第一貫穿孔23a而流到第一板23與第二板24之間的空間區(qū)域。此外,能夠容易地提高在第二貫穿孔24a的內(nèi)部的壓力。

(4)因為第二徑dia2為3mm以上且20mm以下,所以在第二貫穿孔24a的內(nèi)部,氣體的電離效率提高,能夠在第二板24周圍產(chǎn)生密度高的等離子p。

(5)因為第一徑dia1為0.5mm以上且50mm以下,所以能夠抑制進入到第二貫穿孔24a的等離子p進入第一貫穿孔23a。因此,可減輕在第一板23所需要的等離子耐性。

再者,上述的實施方式,也可以如以下適當變更來實施。

·各第一貫穿孔23a及各第二貫穿孔24a不為圓形孔狀,也可以具有其他形狀。

例如,如圖10所示,在各板23、24的俯視中,各貫穿孔23a、24a也可以具有正方形形狀。在如此結(jié)構(gòu),在各板23、24的俯視中,作為各貫穿孔23a、24a的最大長度的流路寬l,即各貫穿孔23a、24a的對角線的長度,若為第一貫穿孔23a,也可以是包含在上述第一徑dial的范圍的大小,若為第二貫穿孔24a,也可以是包含在上述第二徑dia2的范圍的大小。藉此,可獲得根據(jù)上述(4)或(5)的效果。

并且,在各板23、24的俯視中,各貫穿孔23a、24a也可以具有正方形形狀以外的四角形形狀,也可以具有四角形形狀以外的多角形形狀,例如五角形形狀或六角形形狀等。

而且,如圖11所示,各貫穿孔23a、24a在各板23、24的俯視中也可以具有橢圓形狀。即使是如此結(jié)構(gòu),對于貫穿孔23a、24a的流路寬l,若為第一貫穿孔23a,也可以是包含在上述第一徑dial的范圍的大小,若為第二貫穿孔24a,也可以是包含在上述第二徑dia2的范圍的大小。藉此,可獲得根據(jù)上述(4)或(5)的效果。

·若各第一貫穿孔23a的第一徑dial為包含在上述范圍的大小,且比各第二貫穿孔24a的第二徑dia2更小,則各第一貫穿孔23a的第一徑dial的大小也可以彼此不同。

·若各第二貫穿孔24a的第二徑dia2為包含在上述范圍的大小,則各第二貫穿孔24aa的第二徑dia2的大小也可以彼此不同。

·若各第一貫穿孔23a的第一徑dial為氣體可沿著第一板23的面方向擴散,且比各第二貫穿孔24a的第二徑dia2小,則可以比0.5mm小,也可以比5mm大。

·若各第二貫穿孔24a的第二徑dia2在第二貫穿孔24a的內(nèi)部的等離子的發(fā)光強度比第二板24與陰極載臺18之間產(chǎn)生的等離子的發(fā)光強度高,且比各第一貫穿孔23a的第一徑dial大,則可以比3mm小,也可以比20mm大。

·在第二板24的俯視中,多個第二貫穿孔24a中的至少一部分,也可以與任何貫穿孔23a不重疊。

·第二貫穿孔24a也可以不是在第二板24與陰極載臺18之間形成的等離子進入第二貫穿孔24a內(nèi)部的形狀。即使是如此結(jié)構(gòu),若第二貫穿孔24a具有在第二貫穿孔24a的內(nèi)部的等離子的發(fā)光強度比在第二板24與陰極載臺18之間產(chǎn)生等離子的發(fā)光強度更高的形狀,則可獲得根據(jù)上述(1)的效果。

·在上述實施方式,雖然閉塞部及劃分部雙方是由同一部件(支承部17a)所形成,但閉塞部及劃分部也可以分別由獨立部件所構(gòu)成。例如,支承部17a也可以由兩個部件所構(gòu)成。

·第一板23與第二板24之間的空間區(qū)域的周圍也可以不被閉塞部(支承部17a)所閉塞而開放。即使是如此結(jié)構(gòu),只要是穿過第一板23的第一貫穿孔23a供給的氣體,穿過第二板24的第二貫穿孔24a向陰極載臺18流動,則可以使第二貫穿孔24a的內(nèi)部的壓力高于第二板24與陰極載臺18之間的壓力。因此,可提高每單位消耗電力的濺射效率。

·第一板23與陽極單元17內(nèi)的框體21的內(nèi)壁之間的空間區(qū)域的周圍也可以不被劃分部(支承部17a)所劃分而開放。即使是如此結(jié)構(gòu),只要是穿過第一板23的第一貫穿孔23a供給的氣體,穿過第二板24的第二貫穿孔24a向陰極載臺18流動,則可以使第二貫穿孔24a的內(nèi)部的壓力高于第二板24與陰極載臺18之間的壓力。因此,可提高每單位消耗電力的濺射效率。

·陰極載臺18若不干涉托盤t的搬送,則也可以被固定在框體21內(nèi)的預定位置。

·在框體21內(nèi)的陰極載臺18的位置被固定,且搬送部16沿著陽極單元17與陰極載臺18相面對的對向方向移動,從而可以使托盤t的位置在第一位置與第二位置之間改變。在此情況下,第一位置和第二位置是在對向方向彼此不同的位置。其中,第一位置是托盤t與陰極載臺18不干涉,搬送部16可搬送托盤t的位置,第二位置是陰極載臺18與基板s接觸的位置。

·雖然陰極載臺18被形成為導電部18a之中的與基板s接觸的部分從絕緣部18b露出,但若能夠施加電壓于基板s,則整個導電部18a也可以被絕緣部18b覆蓋。

·基板處理裝置10也可以是在沿著大致水平方向配置托盤t的狀態(tài)下對基板s進行清洗處理的裝置。例如,如上述實施方式,基板處理裝置10若為具備多個腔11~13的結(jié)構(gòu),則搬送部16也可以是例如在遍及多個腔11~13沿著大致水平方向配置托盤t的狀態(tài)下搬送?;蛘呤?,基板處理裝置10若為僅具備搬入搬出腔11和清洗腔12的結(jié)構(gòu),則搬入搬出腔11也可以具備搬送機器人,從搬入搬出腔11的外部接受托盤t,搬送該托盤t至清洗腔12。

·若即使不通過托盤t來支承基板s,也能夠搬送基板s及處理基板s的話,則也可以省略托盤t。

附圖標記說明

10基板處理裝置;11搬入搬出腔;12清洗腔;13濺射腔;14閘閥;15排氣部;16搬送部;17陽極單元;17a支承部;17a1第一筒端;17a2第二筒端;18陰極載臺;18a導電部;18b絕緣部;19陰極單元;21框體;21a供給口;22氣體供給部;23第一板;23a第一貫穿孔;24第二板;24a第二貫穿孔;25電源;s基板;t托盤。

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