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技術(shù)領(lǐng)域：
】本發(fā)明涉及利用鍍覆處理來(lái)制造形成有2個(gè)以上的貫通孔的蒸鍍掩模的方法。本發(fā)明還涉及蒸鍍掩模。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，對(duì)于智能手機(jī)、平板電腦等可攜帶器件中使用的顯示裝置，要求高精細(xì)、例如像素密度為400ppi以上。另外，可攜帶器件中，對(duì)應(yīng)于超全高清上的需求也正在提高，這種情況下，顯示裝置的像素密度要求為例如800ppi以上。有機(jī)el顯示裝置由于響應(yīng)性的良好性、低耗電、高對(duì)比度的原因而受到矚目。作為有機(jī)el顯示裝置的像素形成方法，已知有使用包含以所期望的圖案排列的貫通孔的蒸鍍掩模，以所期望的圖案形成像素的方法。具體地說(shuō)，首先，使蒸鍍掩模與有機(jī)el顯示裝置用的基板密合，接著，將密合的蒸鍍掩模和基板一同投入到蒸鍍裝置中，進(jìn)行有機(jī)材料等的蒸鍍。這種情況下，為了精密地制作具有高像素密度的有機(jī)el顯示裝置，要求根據(jù)設(shè)計(jì)精密地再現(xiàn)蒸鍍掩模的貫通孔的位置和形狀、或者減小蒸鍍掩模的厚度。作為蒸鍍掩模的制造方法，例如如專利文獻(xiàn)1中所公開(kāi)，已知有通過(guò)利用了照相平版印刷技術(shù)的蝕刻而在金屬板上形成貫通孔的方法。例如，首先，在金屬板的第1面上形成第1抗蝕劑圖案，并且在金屬板的第2面上形成第2抗蝕劑圖案。接著，對(duì)金屬板的第1面中未被第1抗蝕劑圖案覆蓋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，在金屬板的第1面形成第1凹部。其后，對(duì)金屬板的第2面中未被第2抗蝕劑圖案覆蓋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，在金屬板的第2面形成第2凹部。此時(shí)，通過(guò)按照第1凹部和第2凹部相互相通的方式進(jìn)行蝕刻，能夠形成貫通金屬板的貫通孔。另外，金屬板的第1面是指按照構(gòu)成與有機(jī)el顯示裝置用基板(以下也稱為有機(jī)el基板)對(duì)置的蒸鍍掩模的第1面的方式來(lái)形成的面。另外，金屬板的第2面是指按照構(gòu)成位于蒸鍍?cè)?例如，保持蒸鍍材料的坩堝等)側(cè)的蒸鍍掩模的第2面的方式來(lái)形成的面。順便提及，在蝕刻工序中，金屬板的侵蝕不僅在金屬板的法線方向上推進(jìn)，而且還在沿金屬板的板面的方向上推進(jìn)。即，在金屬板中被抗蝕劑圖案覆蓋的部分也至少部分地發(fā)生金屬板的侵蝕。從而，在使用了蝕刻的方法中，無(wú)法按照抗蝕劑圖案在金屬板形成貫通孔，因而難以根據(jù)設(shè)計(jì)精密地再現(xiàn)蒸鍍掩模的貫通孔的形狀。另外，在貫通孔具有復(fù)雜形狀的情況(金屬面的第1面?zhèn)扰c第2面?zhèn)蓉炌椎某叽绮煌鹊那闆r)下，實(shí)際制作的蒸鍍掩模的貫通孔對(duì)于設(shè)計(jì)的再現(xiàn)性會(huì)進(jìn)一步降低。另外，在使用蝕刻制造蒸鍍掩模的情況下，根據(jù)金屬板的法線方向上的直到蝕刻完成為止的時(shí)間長(zhǎng)短的不同，沿著金屬板的板面的方向上的金屬板的侵蝕的程度發(fā)生變化。即，根據(jù)金屬板的厚度的不同，貫通孔的形狀變化。因此，不容易精密地再現(xiàn)金屬板的厚度也即蒸鍍掩模的厚度和貫通孔的形狀這兩者。作為蒸鍍掩模的制造方法，除了上述的使用了蝕刻的方法以外，例如如專利文獻(xiàn)2所公開(kāi)，已知還有利用鍍覆處理來(lái)制造蒸鍍掩模的方法。例如在專利文獻(xiàn)2記載的方法中，首先準(zhǔn)備具有導(dǎo)電性的母模板。接著，在母模板上隔開(kāi)特定間隙地形成抗蝕劑圖案。該抗蝕劑圖案被設(shè)置在蒸鍍掩模的將要形成貫通孔的位置。其后，將鍍覆液供給到抗蝕劑圖案的間隙，通過(guò)電解鍍覆處理使金屬層在母模板上析出。其后，通過(guò)將金屬層從母模板分離，從而能夠得到形成有2個(gè)以上的貫通孔的蒸鍍掩模。在實(shí)施利用鍍覆處理來(lái)制造蒸鍍掩模的方法時(shí)，能夠按照抗蝕劑圖案在金屬板形成貫通孔。即，能夠根據(jù)設(shè)計(jì)精密地再現(xiàn)蒸鍍掩模的貫通孔的位置和形狀。另外，通過(guò)調(diào)整鍍覆處理的持續(xù)時(shí)間，能夠與蒸鍍掩模的貫通孔的位置和形狀獨(dú)立地設(shè)定蒸鍍掩模的厚度?！粳F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】【專利文獻(xiàn)】專利文獻(xiàn)1：日本專利第5382259號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2001-234385號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在蒸鍍工序中，為了抑制遮蔽的產(chǎn)生，或者為了精密地控制附著于有機(jī)el基板的蒸鍍材料的面積、形狀和厚度，需要對(duì)應(yīng)于位置來(lái)改變蒸鍍掩模的貫通孔的形狀和尺寸。例如，在上述的專利文獻(xiàn)1中，示出了蒸鍍掩模的第1面?zhèn)鹊呢炌椎拈_(kāi)口尺寸小于第2面?zhèn)鹊呢炌椎拈_(kāi)口尺寸的示例。但是，利用專利文獻(xiàn)2記載的方法無(wú)法制作形成了具有這樣的復(fù)雜形狀的貫通孔的蒸鍍掩模。本發(fā)明是考慮了這樣的問(wèn)題而進(jìn)行的，其目的在于提供利用鍍覆處理來(lái)制造形成了具有復(fù)雜形狀的貫通孔的蒸鍍掩模的方法。本發(fā)明涉及一種蒸鍍掩模制造方法，其是制造形成有2個(gè)以上的貫通孔的蒸鍍掩模的蒸鍍掩模制造方法，其中，該蒸鍍掩模制造方法具備下述工序：第1成膜工序，在該工序中，在具有絕緣性的基板上形成以特定圖案設(shè)有第1開(kāi)口部的第1金屬層；第2成膜工序，在該工序中，在上述第1金屬層上形成設(shè)有與上述第1開(kāi)口部連通的第2開(kāi)口部的第2金屬層；以及分離工序，在該工序中，將上述第1金屬層和上述第2金屬層的組合體從上述基板分離，上述第2成膜工序包括：抗蝕劑形成工序，在該工序中，在上述基板上和上述第1金屬層上隔開(kāi)特定間隙地形成抗蝕劑圖案；以及鍍覆處理工序，在該工序中，在上述抗蝕劑圖案的上述間隙處使上述第2金屬層在上述第1金屬層上析出，上述抗蝕劑形成工序按照上述第1金屬層的上述第1開(kāi)口部被上述抗蝕劑圖案覆蓋、同時(shí)上述抗蝕劑圖案的上述間隙位于上述第1金屬層上的方式來(lái)實(shí)施。在本發(fā)明的蒸鍍掩模的制造方法中，可以在上述基板上形成具有與上述第1金屬層相對(duì)應(yīng)的圖案的導(dǎo)電性圖案，上述第1成膜工序可以包括鍍覆處理工序，在該工序中，使上述第1金屬層在上述導(dǎo)電性圖案上析出。在本發(fā)明的蒸鍍掩模的制造方法中，上述第1成膜工序中的上述鍍覆處理工序可以包括電解鍍覆處理工序，在該工序中，通過(guò)使電流流過(guò)上述導(dǎo)電性圖案而使上述第1金屬層在上述導(dǎo)電性圖案上析出。在上述第1成膜工序中，在沿著上述基板的法線方向觀察上述第1金屬層時(shí)，該第1金屬層可以在與上述導(dǎo)電性圖案重疊的部分和不與上述導(dǎo)電性圖案重疊的部分均形成，在上述分離工序中，在由上述基板和上述導(dǎo)電性圖案分離的上述第1金屬層可以形成具有與上述導(dǎo)電性圖案相對(duì)應(yīng)的形狀的凹陷部。在本發(fā)明的蒸鍍掩模的制造方法中，上述第2成膜工序中的上述鍍覆處理工序可以包括電解鍍覆處理工序，在該工序中，通過(guò)使電流流過(guò)上述第1金屬層而使上述第2金屬層在上述第1金屬層上析出。本發(fā)明涉及一種蒸鍍掩模，其是形成了從第1面延伸到第2面的2個(gè)以上的貫通孔的蒸鍍掩模，其中，該蒸鍍掩模具備以特定圖案形成了上述貫通孔的金屬層，在將上述貫通孔中位于上述第1面上的部分稱為第1開(kāi)口部、將上述貫通孔中位于上述第2面上的部分稱為第2開(kāi)口部的情況下，在沿著上述蒸鍍掩模的法線方向觀察上述蒸鍍掩模時(shí)，上述貫通孔按照上述第2開(kāi)口部的輪廓包圍上述第1開(kāi)口部的輪廓的方式來(lái)構(gòu)成，在上述第1面形成凹陷部。在本發(fā)明的蒸鍍掩模中，上述第1面中未形成上述凹陷部的部分的寬度可以為0.5μm～5.0μm的范圍內(nèi)。在本發(fā)明的蒸鍍掩模中，上述金屬層可以具有形成了上述第1開(kāi)口部和上述凹陷部的第1金屬層、以及層積于上述第1金屬層且形成了上述第2開(kāi)口部的第2金屬層。在本發(fā)明的蒸鍍掩模中，在沿著上述蒸鍍掩模的法線方向觀察上述蒸鍍掩模時(shí)，在上述第1金屬層形成的上述凹陷部可以包圍連接上述第1金屬層和上述第2金屬層的連接部的輪廓。在本發(fā)明的蒸鍍掩模中，上述金屬層可以為鍍覆層。在本發(fā)明的蒸鍍掩模及其制造方法中，上述第1金屬層中與上述第2金屬層連接的部分的厚度可以為5μm以下。在本發(fā)明的蒸鍍掩模及其制造方法中，上述第2金屬層的厚度可以為3μm～50μm的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為3μm～30μm的范圍內(nèi)、進(jìn)一步優(yōu)選為3μm～25μm的范圍內(nèi)。本發(fā)明的蒸鍍掩模制造方法具備：第1成膜工序，該工序中，在具有絕緣性的基板上形成以特定圖案設(shè)有第1開(kāi)口部的第1金屬層；以及第2成膜工序，在該工序中，在第1金屬層上形成設(shè)有與第1開(kāi)口部連通的第2開(kāi)口部的第2金屬層。第2成膜工序包括在基板上和第1金屬層上隔開(kāi)特定間隙地形成抗蝕劑圖案的抗蝕劑形成工序、以及在抗蝕劑圖案的間隙處使第2金屬層在第1金屬層上析出的鍍覆處理工序。因此，能夠?qū)φ翦冄谀５呢炌踪x予由第1金屬層的第1開(kāi)口部劃定的形狀和由第2金屬層的第2開(kāi)口部劃定的形狀這兩種形狀。從而，能夠精密地形成具有復(fù)雜形狀的貫通孔。另外，通過(guò)利用鍍覆處理形成第2金屬層，能夠與貫通孔的形狀獨(dú)立地任意設(shè)定蒸鍍掩模的厚度?！靖綀D說(shuō)明】圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式中包含蒸鍍掩模的蒸鍍掩模裝置的一例的示意性俯視圖。圖2是用于說(shuō)明使用圖1所示的蒸鍍掩模裝置進(jìn)行蒸鍍的方法的圖。圖3是示出圖1所示的蒸鍍掩模的局部俯視圖。圖4是沿著圖3的iv-iv線的截面圖。圖5是將圖4所示的蒸鍍掩模的第1金屬層和第2金屬層的一部分放大示出的截面圖。圖6是示出包含在基板上形成的導(dǎo)電性圖案的圖案基板的截面圖。圖7a是示出使第1金屬層在導(dǎo)電性圖案上析出的第1鍍覆處理工序的截面圖。圖7b是示出圖7a的第1金屬層的俯視圖。圖8a是示出在圖案基板上和第1金屬層上形成抗蝕劑圖案的抗蝕劑形成工序的截面圖。圖8b是示出圖8a的抗蝕劑圖案的俯視圖。圖9是示出使第2金屬層在第1金屬層上析出的第2鍍覆處理工序的截面圖。圖10是示出除去抗蝕劑圖案的除去工序的圖。圖11a是示出將第1金屬層和第2金屬層的組合體從圖案基板分離的分離工序的圖。圖11b是示出從第2面?zhèn)扔^察圖11a的蒸鍍掩模的情況的俯視圖。圖12是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第1變形例中在基板上形成第1金屬層的第1成膜工序的截面圖。圖13是示出使第2金屬層在圖12所示的第1金屬層上析出的第2鍍覆處理工序的截面圖。圖14是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第1變形例中的蒸鍍掩模的截面圖。圖15是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第2變形例中在圖案基板上和第1金屬層上形成抗蝕劑圖案的抗蝕劑形成工序的截面圖。圖16是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第2變形例中使第2金屬層在第1金屬層上析出的第2鍍覆處理工序的截面圖。圖17是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的第2變形例中的蒸鍍掩模的截面圖。圖18是示出包含蒸鍍掩模的蒸鍍掩模裝置的變形例的圖。圖19是示出明示了凹陷部的蒸鍍掩模的截面圖。圖20是將圖19所示的蒸鍍掩模放大示出的截面圖。圖21是示出從第1面?zhèn)扔^察蒸鍍掩模的情況的俯視圖。圖22a是示出在有機(jī)el基板的面方向調(diào)整蒸鍍掩模的位置的位置調(diào)整工序的圖。圖22b是示出使蒸鍍掩模與有機(jī)el基板密合的密合工序的圖。圖22c是示出蒸鍍掩模的凹陷部的凹陷面與有機(jī)el基板密合的示例的圖。圖23是示出蒸鍍掩模的2個(gè)以上的貫通孔的配置的一個(gè)變形例的俯視圖。圖24a是用于說(shuō)明圖案基板的制造方法的圖。圖24b是用于說(shuō)明圖案基板的制造方法的圖。圖24c是用于說(shuō)明圖案基板的制造方法的圖。圖24d是用于說(shuō)明圖案基板的制造方法的圖。圖25是放大示出圖案基板的導(dǎo)電性圖案的一例的截面圖。圖26是放大示出使用圖25所示的圖案基板實(shí)施第1成膜工序時(shí)所得到的蒸鍍掩模的截面圖。圖27是放大示出圖案基板的導(dǎo)電性圖案的其他示例的截面圖。圖28是放大示出使用圖27所示的圖案基板實(shí)施第1成膜工序時(shí)所得到的蒸鍍掩模的截面圖?！揪唧w實(shí)施方式】以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本說(shuō)明書(shū)中所附的附圖中，為了便于圖示和易于理解，適當(dāng)?shù)貙⒈壤吆烷L(zhǎng)寬的尺寸比等由實(shí)物的比例尺和長(zhǎng)寬的尺寸比等進(jìn)行了變更和夸張。圖1～圖28是用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式及其變形例的圖。在以下的實(shí)施方式及其變形例中，以下述蒸鍍掩模的制造方法為例進(jìn)行說(shuō)明，該蒸鍍掩模用于在制造有機(jī)el顯示裝置時(shí)將有機(jī)材料以所期望的圖案在基板上進(jìn)行圖案化。但是并不限于這樣的應(yīng)用，對(duì)于各種用途中使用的蒸鍍掩模的制造方法，均可應(yīng)用本發(fā)明。需要說(shuō)明的是，在本說(shuō)明書(shū)中，“板”、“片”、“膜”的術(shù)語(yǔ)并不是僅基于稱呼上的不同而被相互區(qū)分開(kāi)的。例如，“板”為也包含可稱為片或膜這樣的部件的概念。另外，“板面(片面、膜面)”是指在整體或大體觀察作為對(duì)象的板狀(片狀、膜狀)的部件的情況下，作為對(duì)象的板狀部件(片狀部件、膜狀部件)的與平面方向相一致的面。另外，針對(duì)板狀(片狀、膜狀)的部件使用的“法線方向”是指相對(duì)于該部件的板面(片面、膜面)的法線方向。此外，關(guān)于本說(shuō)明書(shū)中使用的對(duì)形狀或幾何學(xué)的條件和物理特性以及它們的程度進(jìn)行具體指定的例如“平行”、“正交”、“相同”、“同等”等術(shù)語(yǔ)、以及長(zhǎng)度、角度和物理特性的值等，并不限定于嚴(yán)格的含義，而是包含可期待同樣功能的程度的范圍來(lái)進(jìn)行解釋。(蒸鍍掩模裝置)首先，參照?qǐng)D1～圖4對(duì)包含蒸鍍掩模的蒸鍍掩模裝置的一例進(jìn)行說(shuō)明。此處，圖1是示出包含蒸鍍掩模的蒸鍍掩模裝置的一例的俯視圖，圖2是用于說(shuō)明圖1所示的蒸鍍掩模裝置的使用方法的圖。圖3是從第1面?zhèn)仁境稣翦冄谀５母┮晥D，圖4是沿圖3的iv-iv線的截面圖。圖1和圖2所示的蒸鍍掩模裝置10具備：在俯視圖中具有大致為矩形形狀的2個(gè)以上的蒸鍍掩模20、和安裝于2個(gè)以上的蒸鍍掩模20的周邊部的框架15。在各蒸鍍掩模20設(shè)有貫穿蒸鍍掩模20的2個(gè)以上的貫通孔25。如圖2所示，該蒸鍍掩模裝置10按照蒸鍍掩模20面對(duì)作為蒸鍍對(duì)象物的基板、例如有機(jī)el基板92的下面的方式被支撐于蒸鍍裝置90內(nèi)，用于對(duì)有機(jī)el基板92進(jìn)行蒸鍍材料的蒸鍍。在蒸鍍裝置90內(nèi)，利用來(lái)自未圖示的磁石的磁力，蒸鍍掩模20與有機(jī)el基板92密合。在蒸鍍裝置90內(nèi)，在蒸鍍掩模裝置10的下方，配置有容納蒸鍍材料(作為一例，為有機(jī)發(fā)光材料)98的坩堝94和對(duì)坩堝94進(jìn)行加熱的加熱器96。坩堝94內(nèi)的蒸鍍材料98在來(lái)自加熱器96的加熱下發(fā)生氣化或升華而附著于有機(jī)el基板92的表面。如上所述，蒸鍍掩模20中形成有大量的貫通孔25，蒸鍍材料98經(jīng)由該貫通孔25而附著于有機(jī)el基板92。其結(jié)果，使蒸鍍材料98按照與蒸鍍掩模20的貫通孔25的位置相對(duì)應(yīng)的所期望的圖案在有機(jī)el基板92的表面成膜。圖2中，將蒸鍍掩模20的面中的在蒸鍍工序時(shí)與有機(jī)el基板92對(duì)置的面(以下也稱為第1面)以符號(hào)20a表示。另外，將蒸鍍掩模20的面中的位于蒸鍍材料98的蒸鍍?cè)?此處為坩堝94)側(cè)的面(以下也稱為第2面)以符號(hào)20b表示。如上所述，在本實(shí)施方式中，貫通孔25在各有效區(qū)域22中以特定圖案進(jìn)行配置。需要說(shuō)明的是，在要進(jìn)行彩色顯示的情況下，可以沿著貫通孔25的排列方向(上述的一個(gè)方向)使蒸鍍掩模20(蒸鍍掩模裝置10)和有機(jī)el基板92一點(diǎn)點(diǎn)地相對(duì)移動(dòng)，依次蒸鍍紅色用的有機(jī)發(fā)光材料、綠色用的有機(jī)發(fā)光材料和藍(lán)色用的有機(jī)發(fā)光材料?；蛘呖梢苑謩e準(zhǔn)備搭載有與各色相對(duì)應(yīng)的蒸鍍掩模20的蒸鍍機(jī)，將有機(jī)el基板92依次投入到各蒸鍍機(jī)中。需要說(shuō)明的是，蒸鍍掩模裝置10的框架15安裝于矩形的蒸鍍掩模20的周邊部?？蚣?5按照不使蒸鍍掩模20撓曲的方式將蒸鍍掩模20保持在張緊的狀態(tài)。蒸鍍掩模20與框架15通過(guò)例如點(diǎn)焊而相互進(jìn)行固定。另外，蒸鍍處理有時(shí)在高溫氣氛下的蒸鍍裝置90的內(nèi)部實(shí)施。這種情況下，在蒸鍍處理期間，保持在蒸鍍裝置90內(nèi)部的蒸鍍掩模20、框架15和有機(jī)el基板92也被加熱。此時(shí)，蒸鍍掩模20、框架15和有機(jī)el基板92顯示出基于各自的熱膨脹系數(shù)的尺寸變化的行為。這種情況下，若蒸鍍掩模20、框架15與有機(jī)el基板92的熱膨脹系數(shù)有很大差異，則由于它們的尺寸變化的差異而發(fā)生錯(cuò)位，其結(jié)果，附著于有機(jī)el基板92上的蒸鍍材料的尺寸精度、位置精度會(huì)降低。為了解決這樣的課題，優(yōu)選蒸鍍掩模20和框架15的熱膨脹系數(shù)與有機(jī)el基板92的熱膨脹系數(shù)為同等的值。例如，作為有機(jī)el基板92使用玻璃基板的情況下，作為蒸鍍掩模20和框架15的主要材料，可以使用含鎳的鐵合金。例如可以將包含34質(zhì)量％～38質(zhì)量％的鎳的因瓦合金材、除了30質(zhì)量％～34質(zhì)量％的鎳外還進(jìn)一步包含鈷的超因瓦合金材等鐵合金、包含38質(zhì)量％～54質(zhì)量％的鎳的低熱膨脹fe-ni系鍍覆合金等用作構(gòu)成蒸鍍掩模20的后述第1金屬層32和第2金屬層37的材料。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，由“～”這一符號(hào)所表達(dá)的數(shù)值范圍包括位于“～”這一符號(hào)的前后的數(shù)值。例如，“34質(zhì)量％～38質(zhì)量％”這一表達(dá)所劃定的數(shù)值范圍與由“34質(zhì)量％以上且38質(zhì)量％以下”這一表達(dá)所劃定的數(shù)值范圍相同。另外，在蒸鍍處理時(shí)，在蒸鍍掩模20、框架15和有機(jī)el基板92的溫度達(dá)不到高溫的情況下，蒸鍍掩模20和框架15的熱膨脹系數(shù)與有機(jī)el基板92的熱膨脹系數(shù)不特別需要為同等的值。這種情況下，作為構(gòu)成蒸鍍掩模20的后述的第1金屬層32和第2金屬層37的材料，可以使用上述的含鎳鐵合金以外的各種材料。例如，可以使用含鉻鐵合金、鎳、鎳-鈷合金等。作為含鉻鐵合金，例如可以使用被稱為所謂不銹鋼的鐵合金。(蒸鍍掩模)下面對(duì)蒸鍍掩模20進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。如圖1所示，在本實(shí)施方式中，蒸鍍掩模20在俯視圖中具有大致四邊形形狀，進(jìn)一步準(zhǔn)確地說(shuō)，在俯視圖中具有大致矩形的輪廓。蒸鍍掩模20包含規(guī)則排列地形成有貫通孔25的有效區(qū)域22、和包圍有效區(qū)域22的周圍區(qū)域23。周圍區(qū)域23為用于支撐有效區(qū)域22的區(qū)域，其并非是意圖蒸鍍到基板上的蒸鍍材料所通過(guò)的區(qū)域。例如，在有機(jī)el顯示裝置用的有機(jī)發(fā)光材料的蒸鍍中使用的蒸鍍掩模20中，有效區(qū)域22是蒸鍍掩模20內(nèi)的面對(duì)下述區(qū)域的區(qū)域，該面對(duì)的區(qū)域是有機(jī)el基板92上的用于通過(guò)有機(jī)發(fā)光材料的蒸鍍而形成像素的顯示區(qū)域。但是，基于各種目的，也可以在周圍區(qū)域23形成貫通孔或凹部。在圖1所示的示例中，各有效區(qū)域22在俯視圖中具有大致四邊形形狀，進(jìn)一步準(zhǔn)確地說(shuō)在俯視圖中具有大致矩形的輪廓。另外，盡管未圖示，但各有效區(qū)域22可以根據(jù)有機(jī)el基板92的顯示區(qū)域的形狀而具有各種形狀的輪廓。例如各有效區(qū)域22可以具有圓形的輪廓。在圖示的示例中，蒸鍍掩模20的2個(gè)以上的有效區(qū)域22沿著與蒸鍍掩模20的長(zhǎng)度方向平行的一個(gè)方向隔著特定間隔而排列成一列。在圖示的示例中，一個(gè)有效區(qū)域22對(duì)應(yīng)于一個(gè)有機(jī)el顯示裝置。即，根據(jù)圖1所示的蒸鍍掩模裝置10(蒸鍍掩模20)，能夠進(jìn)行拼版蒸鍍(多面付蒸著)。如圖3所示，在圖示的示例中，在各有效區(qū)域22形成的2個(gè)以上的貫通孔25在該有效區(qū)域22沿著相互正交的兩個(gè)方向分別以特定間隔進(jìn)行排列。關(guān)于該貫通孔25的形狀等，參照?qǐng)D3和圖4進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。如圖3和圖4所示，蒸鍍掩模20具備以特定圖案形成了2個(gè)以上的貫通孔25的金屬層。金屬層具備：以特定圖案設(shè)有第1開(kāi)口部30的第1金屬層32、以及設(shè)有與第1開(kāi)口部30連通的第2開(kāi)口部35的第2金屬層37。第2金屬層37與第1金屬層32相比配置在蒸鍍掩模20的第2面20b側(cè)。在圖4所示的示例中，第1金屬層32構(gòu)成蒸鍍掩模20的第1面20a，第2金屬層37構(gòu)成蒸鍍掩模20的第2面20b。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式中，如下文所述，金屬層是通過(guò)鍍覆處理工序制作的鍍覆層。例如，第1金屬層32是通過(guò)后述的第1鍍覆處理工序制作的第1鍍覆層，第2金屬層37是通過(guò)后述的第2鍍覆處理工序制作的第2鍍覆層。在本實(shí)施方式中，通過(guò)使第1開(kāi)口部30和第2開(kāi)口部35相互連通，構(gòu)成貫穿蒸鍍掩模20的貫通孔25。這種情況下，蒸鍍掩模20的第1面20a側(cè)的貫通孔25的開(kāi)口尺寸和開(kāi)口形狀由第1金屬層32的第1開(kāi)口部30劃定。另一方面，蒸鍍掩模20的第2面20b側(cè)的貫通孔25的開(kāi)口尺寸和開(kāi)口形狀由第2金屬層37的第2開(kāi)口部35劃定。換言之，對(duì)貫通孔25賦予由第1金屬層32的第1開(kāi)口部30劃定的形狀和由第2金屬層37的第2開(kāi)口部35劃定的形狀這兩種形狀。如圖3所示，構(gòu)成貫通孔25的第1開(kāi)口部30、第2開(kāi)口部35在俯視圖中呈大致多邊形形狀。此處示出了第1開(kāi)口部30和第2開(kāi)口部35為大致四邊形形狀、更具體地說(shuō)為大致正方形形狀的示例。另外，盡管未圖示，但第1開(kāi)口部30、第2開(kāi)口部35也可以為大致六邊形形狀、大致八邊形形狀等、其他的大致多邊形形狀。另外，“大致多邊形形狀”是包括多邊形的角部呈圓角的形狀的概念。另外，盡管未圖示，但第1開(kāi)口部30、第2開(kāi)口部35也可以為圓形形狀。另外，只要在俯視圖中第2開(kāi)口部35具有包圍第1開(kāi)口部30的輪廓，第1開(kāi)口部30的形狀與第2開(kāi)口部35的形狀也可以不必為相似形狀。另外，盡管未圖示，但構(gòu)成貫通孔25的第1開(kāi)口部30和第2開(kāi)口部35在俯視圖中也可以具有多邊形狀以外的形狀、例如具有圓形形狀。在圖4中，符號(hào)41表示連接第1金屬層32和第2金屬層37的連接部。另外，在圖4中示出了第1金屬層32和第2金屬層37相接的示例，但并不限定于此，在第1金屬層32和第2金屬層37之間也可以?shī)A設(shè)其他層。例如，在第1金屬層32和第2金屬層37之間可以設(shè)置用于促進(jìn)第2金屬層37在第1金屬層32上的析出的催化劑層。圖5是將圖4的第1金屬層32和第2金屬層37的一部分放大示出的圖。如圖5所示，蒸鍍掩模20的第2面20b中的第2金屬層37的寬度m2小于蒸鍍掩模20的第1面20a中的第1金屬層32的寬度m1。換言之，第2面20b中的貫通孔25(第2開(kāi)口部35)的開(kāi)口尺寸s2大于第1面20a中的貫通孔25(第1開(kāi)口部30)的開(kāi)口尺寸s1。以下對(duì)于像這樣構(gòu)成第1金屬層32和第2金屬層37的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。從蒸鍍掩模20的第2面20b側(cè)飛來(lái)的蒸鍍材料98依次通過(guò)貫通孔25的第2開(kāi)口部35和第1開(kāi)口部30而附著于有機(jī)el基板92。有機(jī)el基板92中的蒸鍍材料98所附著的區(qū)域主要由第1面20a中的貫通孔25的開(kāi)口尺寸s1、開(kāi)口形狀來(lái)確定。另外，如圖4中從第2面20b側(cè)朝向第1面20a的箭頭l1所示，蒸鍍材料98從坩堝94向有機(jī)el基板92不僅沿著蒸鍍掩模20的法線方向n移動(dòng)，而且有時(shí)也在相對(duì)于蒸鍍掩模20的法線方向n較大傾斜的方向上移動(dòng)。此處，若假設(shè)第2面20b中的貫通孔25的開(kāi)口尺寸s2與第1面20a中的貫通孔25的開(kāi)口尺寸s1相同，則在相對(duì)于蒸鍍掩模20的法線方向n較大傾斜的方向上移動(dòng)的蒸鍍材料98很多在通過(guò)貫通孔25到達(dá)有機(jī)el基板92之前會(huì)到達(dá)貫通孔25的第2開(kāi)口部35的壁面36并發(fā)生附著。因此，為了提高蒸鍍材料98的利用效率，增大第2開(kāi)口部35的開(kāi)口尺寸s2、即減小第2金屬層37的寬度m2可以說(shuō)是優(yōu)選的。在圖4中，穿過(guò)第2金屬層37的端部38和第1金屬層32的端部33的直線l1相對(duì)于蒸鍍掩模20的法線方向n所形成的最小角度由符號(hào)θ1表示。為了使傾斜移動(dòng)的蒸鍍材料98不到達(dá)第2開(kāi)口部35的壁面36而盡可能到達(dá)有機(jī)el基板92，增大角度θ1是有利的。在增大角度θ1方面，使第2金屬層37的寬度m2小于第1金屬層32的寬度m1是有效的。另外，如由圖中所明確，在增大角度θ1方面，減小第1金屬層32的厚度t1或第2金屬層37的厚度t2也是有效的。此處的“第1金屬層32的厚度t1”是指第1金屬層32中的與第2金屬層37連接的部分的厚度。另外，若第2金屬層37的寬度m2、第1金屬層32的厚度t1、第2金屬層37的厚度t2過(guò)小，則蒸鍍掩模20的強(qiáng)度降低，因此可認(rèn)為在傳送時(shí)或使用時(shí)蒸鍍掩模20會(huì)發(fā)生破損。例如，在將蒸鍍掩模20張緊設(shè)于框架15上時(shí)，據(jù)信蒸鍍掩模20會(huì)由于被施加至蒸鍍掩模20的拉伸應(yīng)力而發(fā)生破損?？紤]到這些方面，將第1金屬層32和第2金屬層37的尺寸設(shè)定在以下的范圍可以說(shuō)是優(yōu)選的。由此，能夠使上述的角度θ1例如45°以上。·第1金屬層32的寬度m1：5μm～25μm·第2金屬層37的寬度m2：2μm～20μm·蒸鍍掩模20的厚度t0：5μm～50μm·第1金屬層32的厚度t1：5μm以下·第2金屬層37的厚度t2：2μm～50μm、更優(yōu)選為3μm～50μm、進(jìn)一步優(yōu)選為3μm～30μm、進(jìn)而優(yōu)選為3μm～25μm表1中示出在5英寸的有機(jī)el顯示裝置中的顯示像素?cái)?shù)和根據(jù)顯示像素?cái)?shù)求出的第1金屬層32和第2金屬層37的尺寸值的實(shí)例。另外，“fhd”意味著全高清(fullhighdefinition)，“wqhd”意味著寬四重高清(widequadhighdefinition),“uhd”意味著超高清(ultrahighdefinition)?！颈?】顯示像素?cái)?shù)m1m2t0t1t2fhd25μm以下20μm以下15μm～30μm5μm以下10μm～25μmwqhd20μm以下15μm以下10μm～25μm4μm以下6μm～21μmuhd15μm以下10μm以下3μm～20μm3μm以下0.1μm～17μm接著對(duì)第1金屬層32的形狀更詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。假設(shè)如圖5中的虛線所示，在端部33第1金屬層32朝向第2面20b側(cè)具有非常陡峭的形狀的情況下，據(jù)信通過(guò)了貫通孔25的第2開(kāi)口部35之后的蒸鍍材料98很多會(huì)到達(dá)第1金屬層32的壁面31并發(fā)生附著。為了抑制這樣的在端部33附近蒸鍍材料98向第1金屬層32的附著，如圖5所示，優(yōu)選第1金屬層32在端部33及其附近所具有的厚度小于第1金屬層32中的與第2金屬層37連接的部分的厚度t1。例如如圖5所示，優(yōu)選第1金屬層32的厚度從第1金屬層32中的與第2金屬層37連接的部分朝向端部33單調(diào)遞減。這樣的第1金屬層32的形狀如下文所述可通過(guò)利用鍍覆處理形成第1金屬層32而實(shí)現(xiàn)。在圖5中，符號(hào)θ2表示第1金屬層32向壁面31的切面l2與蒸鍍掩模20的法線方向n在端部33所成的角度。在抑制通過(guò)了貫通孔25的第2開(kāi)口部35之后的蒸鍍材料98附著于第1金屬層32的壁面31的方面，使角度θ2大于0°也是有效的。優(yōu)選角度θ2達(dá)到30°以上、更優(yōu)選達(dá)到45°以上。這樣的角度θ2也可通過(guò)利用鍍覆處理形成第1金屬層32而實(shí)現(xiàn)。另外，“壁面31”是第1金屬層32的面中的劃出第1開(kāi)口部30的面。上述的“壁面36”也同樣地是第2金屬層37的面中的劃出第2開(kāi)口部35的面。(蒸鍍掩模的制造方法)下面，參照?qǐng)D6～圖11b對(duì)于含有以上構(gòu)成的蒸鍍掩模20的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。(第1成膜工序)首先對(duì)第1成膜工序進(jìn)行說(shuō)明，在該工序中，在具有絕緣性的基板51上形成以特定圖案設(shè)有第1開(kāi)口部30的第1金屬層32。首先，如圖6所示，準(zhǔn)備圖案基板50，該圖案基板50具有：具有絕緣性的基板51、和形成在基板51上的導(dǎo)電性圖案52。導(dǎo)電性圖案52具有與第1金屬層32相對(duì)應(yīng)的圖案。只要具有絕緣性和適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度，對(duì)構(gòu)成基板51的材料、基板51的厚度就沒(méi)有特別限定。例如，作為構(gòu)成基板51的材料，可以使用玻璃、合成樹(shù)脂等。作為構(gòu)成導(dǎo)電性圖案52的材料，適宜使用金屬材料、氧化物導(dǎo)電性材料等具有導(dǎo)電性的材料。作為金屬材料的示例，例如可以舉出鉻、銅等。優(yōu)選將對(duì)后述的抗蝕劑圖案54具有高密合性的材料用作構(gòu)成導(dǎo)電性圖案52的材料。例如抗蝕劑圖案54通過(guò)將包含丙烯酸系光固化性樹(shù)脂的抗蝕劑膜等被稱為所謂干膜者進(jìn)行圖案化來(lái)制作的情況下，作為構(gòu)成導(dǎo)電性圖案52的材料，優(yōu)選使用對(duì)干膜具有高密合性的銅。如下文所述，在導(dǎo)電性圖案52上按照覆蓋導(dǎo)電性圖案52的方式形成第1金屬層32，該第1金屬層32利用其后的工序被從導(dǎo)電性圖案52分離。因此，在第1金屬層32中的與導(dǎo)電性圖案52相接一側(cè)的面上通常形成與導(dǎo)電性圖案52的厚度相對(duì)應(yīng)的凹陷(窪み)。考慮到這一點(diǎn)，只要導(dǎo)電性圖案52具有電解鍍覆處理所需要的導(dǎo)電性，則優(yōu)選導(dǎo)電性圖案52的厚度小。例如導(dǎo)電性圖案52的厚度為50nm～500nm的范圍內(nèi)。接著實(shí)施第1鍍覆處理工序，在該工序中，將第1鍍覆液供給到形成了導(dǎo)電性圖案52的基板51上，使第1金屬層32在導(dǎo)電性圖案52上析出。例如，將形成了導(dǎo)電性圖案52的基板51浸漬在填充有第1鍍覆液的鍍覆槽中。由此，如圖7a所示，能夠在圖案基板50上得到以特定圖案設(shè)有第1開(kāi)口部30的第1金屬層32。圖7b為示出在基板51上形成的第1金屬層32的俯視圖。另外，在鍍覆處理的特性方面，如圖7a所示，在沿著基板51的法線方向觀察第1金屬層32時(shí)，該第1金屬層32不僅可在與導(dǎo)電性圖案52重疊的部分形成、而且在不與導(dǎo)電性圖案52重疊的部分也可形成。這是由于，在與導(dǎo)電性圖案52的端部53重疊的部分析出的第1金屬層32的表面，第1金屬層32進(jìn)一步析出。其結(jié)果，如圖7a所示，在沿著基板51的法線方向觀察的情況下，第1金屬層32的端部33位于不與導(dǎo)電性圖案52重疊的部分。另一方面，與金屬的析出不向厚度方向而向基板51的板面方向進(jìn)展的量相應(yīng)的、端部33的第1金屬層32的厚度小于中央部的厚度。例如，如圖7a所示，第1金屬層32的厚度從第1金屬層32的中央部朝向端部33至少部分地單調(diào)遞減。其結(jié)果，上述的角度θ2也達(dá)到大于0°的值。圖7a中，將第1金屬層32中的不與導(dǎo)電性圖案52重疊的部分的寬度以符號(hào)w表。寬度w例如為0.5μm～5.0μm的范圍內(nèi)。導(dǎo)電性圖案52的尺寸考慮該寬度w進(jìn)行設(shè)定。只要能夠使第1金屬層32在導(dǎo)電性圖案52上析出，對(duì)第1鍍覆處理工序的具體方法就沒(méi)有特別限定。例如，第1鍍覆處理工序可以通過(guò)以所謂電解鍍覆處理工序的形式來(lái)實(shí)施，在該工序中，通過(guò)使電流流過(guò)導(dǎo)電性圖案52而使第1金屬層32在導(dǎo)電性圖案52上析出。或者，第1鍍覆處理工序也可以為無(wú)電解鍍覆處理工序。另外，在第1鍍覆處理工序?yàn)闊o(wú)電解鍍覆處理工序的情況下，在導(dǎo)電性圖案52上設(shè)置適當(dāng)?shù)拇呋瘎?。在?shí)施電解鍍覆處理工序的情況下，也可以在導(dǎo)電性圖案52上設(shè)置催化劑層。所使用的第1鍍覆液的成分可以根據(jù)第1金屬層32所要求的特性適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。例如在第1金屬層32由含鎳鐵合金構(gòu)成的情況下，作為第1鍍覆液，可以使用包含鎳化合物的溶液與包含鐵化合物的溶液的混合溶液。例如，可以使用包含氨基磺酸鎳的溶液與包含氨基磺酸鐵的溶液的混合溶液。在鍍覆液中可以包含丙二酸、糖精等添加劑。(第2成膜工序)接著實(shí)施第2成膜工序，在該工序中，在第1金屬層32上形成設(shè)有與第1開(kāi)口部30連通的第2開(kāi)口部35的第2金屬層37。首先實(shí)施抗蝕劑形成工序，在該工序中，在圖案基板50的基板51上和第1金屬層32上隔開(kāi)特定間隙56形成抗蝕劑圖案55。圖8a和圖8b是示出在基板51上形成的抗蝕劑圖案55的截面圖和俯視圖。如圖8a和圖8b所示，抗蝕劑形成工序按照第1金屬層32的第1開(kāi)口部30被抗蝕劑圖案55覆蓋、同時(shí)抗蝕劑圖案55的間隙56位于第1金屬層32上的方式來(lái)實(shí)施。以下對(duì)抗蝕劑形成工序的一例進(jìn)行說(shuō)明。首先，通過(guò)在圖案基板50的基板51上和第1金屬層32上粘貼干膜而形成負(fù)型的抗蝕劑膜。作為干膜的示例，例如可以舉出日立化成制造的ry3310等包含丙烯酸系光固化性樹(shù)脂的干膜。接著準(zhǔn)備曝光掩模，該曝光掩模使光不透過(guò)到抗蝕劑膜中的將要形成間隙56的區(qū)域，將曝光掩模配置在抗蝕劑膜上。其后，通過(guò)真空密合使曝光掩模與抗蝕劑膜充分地密合。另外，作為抗蝕劑膜，也可以使用正型的抗蝕劑膜。這種情況下，作為曝光掩模，使用使光透過(guò)到抗蝕劑膜中的希望除去的區(qū)域的曝光掩模。其后，隔著曝光掩模將抗蝕劑膜曝光。進(jìn)而，為了在曝光后的抗蝕劑膜上形成圖像，對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行顯影。如此，如圖8a和圖8b所示，可以設(shè)置位于第1金屬層32上的間隙56、同時(shí)形成覆蓋第1金屬層32的第1開(kāi)口部30的抗蝕劑圖案55。需要說(shuō)明的是，為了使抗蝕劑圖案55相對(duì)于基板51和第1金屬層32更牢固地密合，在顯影工序后可以實(shí)施對(duì)抗蝕劑圖案55進(jìn)行加熱的熱處理工序。接著實(shí)施第2鍍覆處理工序，在該工序中，將第2鍍覆液供給到抗蝕劑圖案55的間隙56，使第2金屬層37在第1金屬層32上析出。例如，將形成有第1金屬層32的基板51浸漬在填充有第2鍍覆液的鍍覆槽中。由此，如圖9所示，可以在第1金屬層32上形成第2金屬層37。只要能夠使第2金屬層37在第1金屬層32上析出，對(duì)第2鍍覆處理工序的具體方法就沒(méi)有特別限定。例如，第2鍍覆處理工序可以通過(guò)以所謂電解鍍覆處理工序的形式來(lái)實(shí)施，在該工序中，通過(guò)使電流流過(guò)第1金屬層32而使第2金屬層37在第1金屬層32上析出?；蛘?，第2鍍覆處理工序也可以為無(wú)電解鍍覆處理工序。另外，在第2鍍覆處理工序?yàn)闊o(wú)電解鍍覆處理工序的情況下，在第1金屬層32上設(shè)置適當(dāng)?shù)拇呋瘎?。在?shí)施電解鍍覆處理工序的情況下，也可以在第1金屬層32上設(shè)置催化劑層。作為第2鍍覆液，可以使用與上述第1鍍覆液相同的鍍覆液?；蛘咭部梢詫⑴c第1鍍覆液不同的鍍覆液用作第2鍍覆液。在第1鍍覆液的組成與第2鍍覆液的組成相同的情況下，構(gòu)成第1金屬層32的金屬的組成與構(gòu)成第2金屬層37的金屬的組成也相同。另外，在圖9中，示出了持續(xù)進(jìn)行第2鍍覆處理工序直到抗蝕劑圖案55的上面與第2金屬層37的上面達(dá)到一致為止的示例，但并不限定于此。也可以在第2金屬層37的上面比抗蝕劑圖案55的上面位于下方的狀態(tài)下停止第2鍍覆處理工序。(除去工序)其后，如圖10所示，實(shí)施除去抗蝕劑圖案55的除去工序。例如通過(guò)使用堿系剝離液，能夠?qū)⒖刮g劑圖案55從基板51、第1金屬層32、第2金屬層37剝離。(分離工序)接著實(shí)施分離工序，在該工序中將第1金屬層32和第2金屬層37的組合體從圖案基板50的基板51分離。由此，如圖11a所示，能夠得到蒸鍍掩模20，該蒸鍍掩模20具備以特定圖案設(shè)有第1開(kāi)口部30的第1金屬層32、以及設(shè)有與第1開(kāi)口部30連通的第2開(kāi)口部35的第2金屬層37。圖11b為示出從第2面20b側(cè)觀察蒸鍍掩模20的情況的俯視圖。以下對(duì)分離工序的一例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。首先，將通過(guò)涂布等而設(shè)有具有粘著性的物質(zhì)的膜粘貼至在基板51上所形成的第1金屬層32和第2金屬層37的組合體上。接著，將膜向上拉同時(shí)進(jìn)行卷繞，從而將膜從基板51分離開(kāi)，由此將第1金屬層32和第2金屬層37的組合體從圖案基板50的基板51分離。其后，將膜從第1金屬層32和第2金屬層37的組合體剝離。此外，在分離工序中，首先在第1金屬層32和第2金屬層37的組合體與基板51之間形成作為分離的起始點(diǎn)(きっかけ)的間隙，接著，向該間隙中吹噴空氣，由此可以促進(jìn)分離工序。另外，作為具有粘著性的物質(zhì)，可以使用通過(guò)照射uv等光、或通過(guò)加熱而喪失粘著性的物質(zhì)。這種情況下，將第1金屬層32和第2金屬層37的組合體從基板51分離后，實(shí)施對(duì)膜照射光的工序或?qū)δみM(jìn)行加熱的工序。由此，能夠使從第1金屬層32和第2金屬層37的組合體剝離膜的工序變得容易。例如，可以在將膜與第1金屬層32和第2金屬層37的組合體維持在盡可能相互平行的狀態(tài)的情況下將膜剝離。由此能夠抑制剝離膜時(shí)第1金屬層32和第2金屬層37的組合體發(fā)生彎曲，從而能夠抑制在蒸鍍掩模20上形成彎曲等變形的折印(くせ)。利用本實(shí)施方式，如上所述，通過(guò)將第2鍍覆液供給至抗蝕劑圖案55的間隙56、使第2金屬層37在第1金屬層32上析出，來(lái)制作蒸鍍掩模20。因此，能夠?qū)φ翦冄谀?0的貫通孔25賦予由第1金屬層32的第1開(kāi)口部30劃定的形狀和由第2金屬層37的第2開(kāi)口部35劃定的形狀這兩種形狀。從而，能夠精密地形成具有復(fù)雜的形狀的貫通孔25。例如，能夠得到可增大上述的角度θ1的貫通孔25。由此能夠提高蒸鍍材料98的利用效率。另外，通過(guò)利用鍍覆處理來(lái)形成第2金屬層37，能夠與貫通孔25的形狀獨(dú)立地任意設(shè)定蒸鍍掩模20的厚度t0。因此，能夠使蒸鍍掩模20具有充分的強(qiáng)度。從而，能夠制造高精細(xì)的有機(jī)el顯示裝置，并且能夠提供耐久性優(yōu)異的蒸鍍掩模20。需要說(shuō)明的是，能夠?qū)ι鲜龅膶?shí)施方式加以各種變更。在下文中，根據(jù)需要參照附圖對(duì)變形例進(jìn)行說(shuō)明。在以下的說(shuō)明和以下說(shuō)明中使用的附圖中，對(duì)于可與上述實(shí)施方式同樣地構(gòu)成的部分，使用與針對(duì)上述實(shí)施方式中的相應(yīng)部分所使用的符號(hào)相同的符號(hào)，省略重復(fù)說(shuō)明。另外，在變形例中顯然也可得到上述實(shí)施方式中所得到的作用效果的情況下，有時(shí)也省略其說(shuō)明。(第1變形例)在上述的本實(shí)施方式中，示出了第1成膜工序包括使第1金屬層32在圖案基板50的導(dǎo)電性圖案52上析出的第1鍍覆處理工序的示例。即，示出了通過(guò)鍍覆處理形成第1金屬層32的示例。但是并不限定于此，也可以利用其他方法形成第1金屬層32。例如，首先準(zhǔn)備具有絕緣性的基板51，接著在基板51的整個(gè)區(qū)域設(shè)置第1金屬層32。作為在基板51上形成第1金屬層32的方法，可以適當(dāng)?shù)厥褂脼R射等物理成膜法、化學(xué)成膜法等。其后，在第1金屬層32中的將要形成第1開(kāi)口部30的部分以外的部分上形成抗蝕劑圖案，接著對(duì)第1金屬層32進(jìn)行蝕刻。通過(guò)像這樣將第1金屬層32圖案化，如圖12所示，能夠在基板51上形成第1金屬層32，在該第1金屬層32上以特定圖案設(shè)有第1開(kāi)口部30。這種情況下，不必在基板51上形成上述的導(dǎo)電性圖案52。其后，通過(guò)實(shí)施上述的抗蝕劑形成工序和第2鍍覆處理工序，如圖13所示，能夠在第1金屬層32上形成第2金屬層37，在該第2金屬層37上設(shè)有與第1開(kāi)口部30連通的第2開(kāi)口部35。另外，通過(guò)實(shí)施上述的除去工序和分離工序，如圖14所示，能夠得到蒸鍍掩模20，該蒸鍍掩模20具備以特定圖案設(shè)有第1開(kāi)口部30的第1金屬層32、以及設(shè)有與第1開(kāi)口部30連通的第2開(kāi)口部35的第2金屬層37。(第2變形例)如圖15所示，設(shè)置在基板51上和第1金屬層32上的抗蝕劑圖案55可以具有隨著遠(yuǎn)離基板51抗蝕劑圖案55的寬度變寬的形狀、即所謂倒錐形形狀。換言之，劃出間隙56的抗蝕劑圖案55的側(cè)面57之間的間隔可以隨著遠(yuǎn)離基板51而變窄。圖16為示出向這樣的抗蝕劑圖案55的間隙56供給第2鍍覆液、使第2金屬層37在第1金屬層32上析出的情況的截面圖。另外，圖17為示出通過(guò)實(shí)施上述的除去工序和分離工序所得到的蒸鍍掩模20的截面圖。如圖17所示，基于本變形例的蒸鍍掩模20的第2金屬層37具有隨著從第1面20a側(cè)朝向第2面20b側(cè)而呈現(xiàn)末端變細(xì)的形狀。因此，能夠在充分確保第2金屬層37的厚度、第2金屬層37的體積的同時(shí)有效地增大角度θ1。例如，盡管第1面20a的貫通孔25的開(kāi)口尺寸s1和第2面20b的貫通孔25的開(kāi)口尺寸s2在上述的本實(shí)施方式的情況是相同的，但第1金屬層32與第2金屬層37的連接部41的貫通孔25的尺寸s0可以比上述本實(shí)施方式的情況小。(其他變形例)另外，在上述本實(shí)施方式中，示出了在蒸鍍掩模20的長(zhǎng)度方向分配有2個(gè)以上的有效區(qū)域22的示例。另外，在蒸鍍工序中，示出了在框架15上安裝2個(gè)以上的蒸鍍掩模20的示例。但是，并不限定于此，如圖18所示，也可以使用具有沿著寬度方向和長(zhǎng)度方向這兩個(gè)方向被配置成格子狀的2個(gè)以上的有效區(qū)域22的蒸鍍掩模20。(關(guān)于蒸鍍掩模的第1面的凹陷部)在上述的實(shí)施方式和各變形例中，作為用于實(shí)施形成第1金屬層32的第1成膜工序的圖案基板50，使用設(shè)有厚度特定的導(dǎo)電性圖案52的基板51。另外，關(guān)于第1金屬層32，在沿著基板51的法線方向?qū)ζ溆^察的情況下，其不僅在與導(dǎo)電性圖案52重疊的部分形成、而且也在不與導(dǎo)電性圖案52重疊的部分形成。因此，將包含第1金屬層32和上述第2金屬層37的蒸鍍掩模20從圖案基板50的基板51和導(dǎo)電性圖案52分離時(shí)，如圖19和圖20所示，在由第1金屬層32構(gòu)成的蒸鍍掩模20的第1面20a形成具有與導(dǎo)電性圖案52相對(duì)應(yīng)的形狀的凹陷部34。圖19是示出明示了凹陷部34的蒸鍍掩模20的截面圖。另外，圖20是放大示出圖19所示的蒸鍍掩模20的截面圖。在以下的說(shuō)明中，將蒸鍍掩模20的第1面20a中的未形成凹陷部34的部分稱為最外表面20c，將形成有凹陷部34的部分稱為凹陷面20d。另外，將最外表面20c與凹陷部34的凹陷面20d的邊界稱為凹陷部34的外緣34e。最外表面20c是在第1成膜工序中析出的第1金屬層32中的在不與導(dǎo)電性圖案52重疊的部分析出的第1金屬層32的表面。在蒸鍍掩模20的法線方向上，最外表面20c與第2面20b之間的距離大于凹陷面20d與第2面20b之間的距離。凹陷部34的深度d根據(jù)圖案基板50的導(dǎo)電性圖案52的厚度來(lái)確定。例如，導(dǎo)電性圖案52的厚度為50nm～500nm的范圍內(nèi)的情況下，凹陷部34的深度d為50nm～500nm的范圍內(nèi)。第1金屬層32的厚度t1與上述實(shí)施方式的情況同樣地為0.5μm～5.0μm的范圍內(nèi)。圖21是示出沿著蒸鍍掩模20的法線方向從第1面20a側(cè)觀察蒸鍍掩模20的情況的俯視圖。在圖21中，對(duì)于蒸鍍掩模20的第1面20a的最外表面20c和凹陷面20d附以相互不同的影線。另外，在圖21中，將在蒸鍍掩模20的第2面20b側(cè)形成的第2金屬層37的端部38以及連接第1金屬層32和第2金屬層37的連接部41用虛線表示。第2金屬層37的壁面36在蒸鍍掩模20的法線方向平行地?cái)U(kuò)展的情況下，在俯視圖中，連接部41的位置與第2金屬層37的端部38的位置一致。如圖21所示，最外表面20c和凹陷部34的外緣34e沿著第1金屬層32的端部33延伸，并具有閉合包圍貫通孔25的輪廓。如圖7a所示，在與貫通孔25的輪廓線正交的方向上的最外表面20c的寬度w與第1金屬層32中的不與導(dǎo)電性圖案52重疊的部分的寬度w相等，例如為0.5μm～5.0μm的范圍內(nèi)。優(yōu)選的是，如圖21所示，在沿著蒸鍍掩模20的法線方向觀察蒸鍍掩模20的情況下，凹陷部34的外緣34e包圍連接第1金屬層32與第2金屬層37的連接部41的輪廓。換言之，第2金屬層37層積在第1金屬層32中的形成有凹陷部34的部分之上。關(guān)于像這樣構(gòu)成的優(yōu)點(diǎn)在下文敘述。蒸鍍掩模20的面方向上的凹陷部34的外緣34e與連接部41的輪廓之間的距離d例如為1.0μm～16.5μm的范圍內(nèi)。以下對(duì)于在蒸鍍掩模20的第1面20a形成凹陷部34的優(yōu)點(diǎn)的一例進(jìn)行說(shuō)明。圖22a是示出在有機(jī)el基板92的面方向調(diào)整蒸鍍掩模20的位置的位置調(diào)整工序的圖。圖22b是示出使蒸鍍掩模20與有機(jī)el基板92密合的密合工序的圖。在位置調(diào)整工序中，為了抑制蒸鍍掩模20與有機(jī)el基板92接觸而損傷有機(jī)el基板92的表面，在有機(jī)el基板92與蒸鍍掩模20的第1面20a之間隔開(kāi)特定間隔的狀態(tài)下使蒸鍍掩模20沿有機(jī)el基板92的面方向移動(dòng)，調(diào)整蒸鍍掩模20的位置。這種情況下，有機(jī)el基板92與蒸鍍掩模20的第1面20a之間的間隔越小，越能夠精度良好地檢測(cè)出蒸鍍掩模20相對(duì)于有機(jī)el基板92的相對(duì)位置，從而能夠精密地調(diào)整蒸鍍掩模20的位置。另一方面，有機(jī)el基板92與蒸鍍掩模20的第1面20a之間的間隔越小，由于蒸鍍掩模20的位置調(diào)整的誤差或蒸鍍掩模20的撓曲等的原因，蒸鍍掩模20與有機(jī)el基板92接觸的可能性就越高。此處，根據(jù)本實(shí)施方式，在蒸鍍掩模20的第1面20a形成有凹陷部34。凹陷部34的凹陷面20d處于比最外表面20c遠(yuǎn)離有機(jī)el基板92的位置。因此，凹陷面20d與有機(jī)el基板92接觸的可能性低于最外表面20c與有機(jī)el基板92接觸的可能性。從而，通過(guò)在蒸鍍掩模20的第1面20a形成凹陷部34，即使在產(chǎn)生蒸鍍掩模20的位置調(diào)整的誤差或蒸鍍掩模20的撓曲的情況下，也能夠降低與有機(jī)el基板92接觸的蒸鍍掩模20的面積。由此能夠抑制有機(jī)el基板92的表面發(fā)生損傷。例如，能夠抑制在有機(jī)el基板92上預(yù)先形成的配線或電極發(fā)生損傷。在位置調(diào)整工序之后，如圖22b所示，實(shí)施使蒸鍍掩模20與有機(jī)el基板92密合的密合工序。例如，利用來(lái)自未圖示的磁石的磁力，使蒸鍍掩模20向有機(jī)el基板92靠近，使蒸鍍掩模20的第1面20a與有機(jī)el基板92接觸。其后實(shí)施使有機(jī)材料等蒸鍍到有機(jī)el基板92上的蒸鍍工序。另外，在蒸鍍工序時(shí)，若在蒸鍍掩模20的第1金屬層32的端部33與有機(jī)el基板92之間空出間隙，則蒸鍍材料進(jìn)入到間隙中，會(huì)使附著于有機(jī)el基板92的蒸鍍材料的形狀產(chǎn)生偏差。從而，為了精密地控制附著于有機(jī)el基板92的蒸鍍材料的形狀，使蒸鍍掩模20的第1金屬層32的端部33與有機(jī)el基板92確實(shí)地接觸這一點(diǎn)是很重要的。在蒸鍍掩模20的厚度小，因此蒸鍍掩模20發(fā)生撓曲或表現(xiàn)為波浪形狀等的情況下等，容易產(chǎn)生間隙。順便提及，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在蒸鍍掩模20的第1面20a形成有凹陷部34，因而在密合工序時(shí)使蒸鍍掩模20靠近有機(jī)el基板92時(shí)，蒸鍍掩模20的最外表面20c比凹陷面20d容易與有機(jī)el基板92接觸。并且，蒸鍍掩模20的第1金屬層32的端部33(第1面20a上的蒸鍍掩模20的外緣)位于最外表面20c。從而，能夠使蒸鍍掩模20的第1金屬層32的端部33更確實(shí)地與有機(jī)el基板92接觸。另外，第1金屬層32中的沿著蒸鍍掩模20的法線方向觀察時(shí)不與第2金屬層37重疊的部分比第1金屬層32中的與第2金屬層37重疊的部分更容易變形。另外，在蒸鍍掩模20的第1金屬層32形成凹陷部34的情況下，第1金屬層32的厚度與凹陷部34的深度d相應(yīng)地變小，其結(jié)果，第1金屬層32更容易變形。因此，在來(lái)自磁石的磁力等力作用于蒸鍍掩模20時(shí)，如圖22c所示，據(jù)信，在第1金屬層32中形成凹陷部34同時(shí)不與第2金屬層37重疊的部分發(fā)生變形，凹陷部34的凹陷面20d的一部分與有機(jī)el基板92接觸。通過(guò)除了蒸鍍掩模20的最外表面20c以外還使凹陷部34的凹陷面20d的一部分與有機(jī)el基板92接觸，能夠使蒸鍍掩模20更牢固地與有機(jī)el基板92密合。優(yōu)選的是，在密合工序時(shí)，首先，蒸鍍掩模20的最外表面20c與有機(jī)el基板92接觸，其后，蒸鍍掩模20的凹陷部34的凹陷面20d與有機(jī)el基板92接觸，采用這樣的方式使蒸鍍掩模20靠近有機(jī)el基板92。由此，能夠使蒸鍍掩模20的最外表面20c的端部33確實(shí)地與有機(jī)el基板92接觸、同時(shí)使蒸鍍掩模20牢固地與有機(jī)el基板92密合。另外，在圖19～圖22c所示的示例中，蒸鍍掩模20也具備形成有第1開(kāi)口部30的第1金屬層32以及形成有第2開(kāi)口部35的第2金屬層37。因此，與上述本實(shí)施方式的情況同樣地，能夠容易地實(shí)現(xiàn)第2面20b的開(kāi)口尺寸s2大于第1面20a的開(kāi)口尺寸s1這樣的貫通孔25的形狀。由此，能夠抑制在相對(duì)于蒸鍍掩模20的法線方向n較大傾斜的方向上移動(dòng)的蒸鍍材料98附著于貫通孔25的壁面。由此，例如能夠抑制遮蔽的產(chǎn)生。需要說(shuō)明的是，通過(guò)在蒸鍍掩模20的第1面20a形成凹陷部34來(lái)降低與有機(jī)el基板92接觸的蒸鍍掩模20的面積的效果能夠在不依賴于蒸鍍掩模20的層構(gòu)成而得以實(shí)現(xiàn)。例如，盡管未圖示，但蒸鍍掩模20可以僅由1個(gè)金屬層(鍍覆層)構(gòu)成，在金屬層中的構(gòu)成蒸鍍掩模20的第1面20a的面上可以形成凹陷部34。(貫通孔的配置的變形例)在上述的本實(shí)施方式中，示出了沿著蒸鍍掩模20的法線方向觀察蒸鍍掩模20的情況下2個(gè)以上的貫通孔25被配置成格子狀的示例。但是，對(duì)貫通孔25的配置并無(wú)特別限定。例如，如圖23所示，在沿著蒸鍍掩模20的法線方向觀察蒸鍍掩模20的情況下，2個(gè)以上的貫通孔25可以被配置成交錯(cuò)形狀(千鳥(niǎo)足狀)。(凹陷部的形狀的示例)如上所述，蒸鍍掩模20的第1面20a的凹陷部34對(duì)應(yīng)于圖案基板50的導(dǎo)電性圖案52來(lái)形成。從而，凹陷部34的形狀基于導(dǎo)電性圖案52的形狀來(lái)確定。以下對(duì)于凹陷部34的形狀的幾個(gè)示例進(jìn)行說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D24a～圖24d對(duì)圖案基板50的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。首先準(zhǔn)備基板51。接著，如圖24a所示，在基板51上形成由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)電層52a。導(dǎo)電層52a是通過(guò)被圖案化而形成導(dǎo)電性圖案52的層。作為構(gòu)成導(dǎo)電層52a的材料，優(yōu)選使用對(duì)后述的抗蝕劑圖案54具有高密合性的金屬材料。例如，優(yōu)選使用銅或銅合金。接著，如圖24b所示，在導(dǎo)電層52a上形成具有特定圖案的抗蝕劑圖案54。例如，首先在導(dǎo)電層52a上設(shè)置抗蝕劑膜。例如將被稱為所謂干膜的包含丙烯酸系光固化性樹(shù)脂的膜貼在導(dǎo)電層52a上。接著，將抗蝕劑膜利用特定圖案曝光，其后，對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行顯影，形成抗蝕劑圖案54。其后，如圖24c所示，將導(dǎo)電層52a中的未被抗蝕劑圖案54覆蓋的部分通過(guò)濕蝕刻除去。接著，如圖24d所示，除去抗蝕劑圖案54。由此，能夠得到圖案基板50，該圖案基板50形成了具有與第1金屬層32相對(duì)應(yīng)的圖案的導(dǎo)電性圖案52。圖25是放大示出通過(guò)濕蝕刻對(duì)導(dǎo)電層52a進(jìn)行圖案化時(shí)所得到的圖案基板50的導(dǎo)電性圖案52的一例的截面圖。另外，圖26是放大示出使用圖25所示的圖案基板50實(shí)施第1成膜工序時(shí)所得到的蒸鍍掩模20的截面圖。在采用像濕蝕刻這樣各向同性地進(jìn)行的蝕刻的情況下，如圖25所示，可能在導(dǎo)電性圖案52的側(cè)面52c形成凹陷。這種情況下，如圖26所示，蒸鍍掩模20的第1金屬層32的凹陷部34的側(cè)壁34c向著凹陷部34突出。其結(jié)果，據(jù)信第1金屬層32中的形成有凹陷部34的部分在蒸鍍掩模20的法線方向上的變形受到抑制。因此，能夠更確實(shí)地抑制在有機(jī)el基板92的面方向調(diào)整蒸鍍掩模20的位置的位置調(diào)整工序時(shí)蒸鍍掩模20的第1面20a的凹陷面20d與有機(jī)el基板92接觸。另外，能夠使蒸鍍掩模20的最外表面20c的端部33更確實(shí)地與有機(jī)el基板92接觸。圖27是將通過(guò)濕蝕刻對(duì)導(dǎo)電層52a進(jìn)行圖案化時(shí)得到的圖案基板50的導(dǎo)電性圖案52的其他例放大示出的截面圖。另外，圖28是將使用圖27所示的圖案基板50實(shí)施第1成膜工序時(shí)所得到的蒸鍍掩模20放大示出的截面圖。在圖27所示的導(dǎo)電性圖案52中，側(cè)面52c中的與基板51相接的部分比側(cè)面52c中的與抗蝕劑圖案54相接的部分位于外側(cè)(遠(yuǎn)離導(dǎo)電性圖案52的中心的一側(cè))。換言之，導(dǎo)電性圖案52的末端(すそ野)部分向外側(cè)擴(kuò)展。圖27所示的導(dǎo)電性圖案52中，對(duì)導(dǎo)電層52a實(shí)施濕蝕刻的時(shí)間比圖25所示方式的情況更短。例如，通過(guò)將對(duì)導(dǎo)電層52a實(shí)施濕蝕刻的時(shí)間設(shè)定成所謂的恰好蝕刻時(shí)間而得到圖27所示的導(dǎo)電性圖案52，該恰好蝕刻時(shí)間是通過(guò)將導(dǎo)電層52a的厚度除以導(dǎo)電層52a的蝕刻速率而計(jì)算出的時(shí)間。圖27所示的導(dǎo)電性圖案52的末端部分的位置根據(jù)實(shí)施濕蝕刻的時(shí)間而敏感地變動(dòng)。另外，如圖28所示，導(dǎo)電性圖案52的末端部分的位置向外側(cè)偏離時(shí)，蒸鍍掩模20的第1金屬層32的端部33的位置也以該偏離量向外側(cè)偏離。從而，為了穩(wěn)定地確定蒸鍍掩模20的第1金屬層32的端部33的位置，如圖25所示的方式那樣，優(yōu)選使?jié)裎g刻時(shí)間大于恰好蝕刻時(shí)間。另一方面，為了使在圖案基板50上成膜的由第1金屬層32和第2金屬層37形成的蒸鍍掩模20從圖案基板50分離的分離工序變得容易，如圖27所示，優(yōu)選導(dǎo)電性圖案52具有向外側(cè)擴(kuò)展的末端部分。(實(shí)施離型處理的示例)為了使將蒸鍍掩模20從圖案基板50分離的分離工序變得容易，可以在實(shí)施第1成膜工序之前對(duì)圖案基板50實(shí)施離型處理。以下對(duì)離型處理的示例進(jìn)行說(shuō)明。首先實(shí)施除去圖案基板50的表面的油分的脫脂處理。例如，使用酸性的脫脂液，除去圖案基板50的導(dǎo)電性圖案52的表面的油分。接著實(shí)施將導(dǎo)電性圖案52的表面活化的活化處理。例如，在其后的鍍覆處理中使與所使用的鍍覆液中含有的酸性溶液相同的酸性溶液與導(dǎo)電性圖案52的表面接觸。例如，在鍍覆液包含氨基磺酸鎳的情況下，使氨基磺酸與導(dǎo)電性圖案52的表面接觸。接著實(shí)施在導(dǎo)電性圖案52的表面形成有機(jī)物的膜的有機(jī)膜形成處理。例如，使包含有機(jī)物的離型劑與導(dǎo)電性圖案52的表面接觸。此時(shí)，將有機(jī)膜的厚度以下述的程度設(shè)定得較薄，該程度為不會(huì)由于有機(jī)膜而阻礙基于電解鍍覆的第1金屬層32的析出的程度。需要說(shuō)明的是，在脫脂處理、活化處理和有機(jī)膜形成處理之后，對(duì)圖案基板50分別實(shí)施利用水清洗的水洗處理。根據(jù)本變形例，通過(guò)在實(shí)施第1成膜工序之前對(duì)圖案基板50實(shí)施離型處理，能夠使將蒸鍍掩模20從圖案基板50分離的分離工序變得容易。需要說(shuō)明的是，盡管對(duì)于上述的實(shí)施方式說(shuō)明了幾個(gè)變形例，但當(dāng)然也能夠?qū)?個(gè)以上的變形例適當(dāng)?shù)亟M合來(lái)應(yīng)用。【符號(hào)的說(shuō)明】20蒸鍍掩模20a第1面20b第2面20c最外表面20d凹陷面22有效區(qū)域23周圍區(qū)域25貫通孔30第1開(kāi)口部31壁面32第1金屬層(第1鍍覆層)33端部34凹陷部34c側(cè)壁34e外緣35第2開(kāi)口部36壁面37第2金屬層(第2鍍覆層)38端部41連接部50圖案基板51基板52導(dǎo)電性圖案52a導(dǎo)電層52c側(cè)面53端部54抗蝕劑圖案55抗蝕劑圖案56間隙57側(cè)面92有機(jī)el基板98蒸鍍材料當(dāng)前第1頁(yè)12