本發(fā)明涉及一種制造化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器之方法，尤指一種制造具有大鉆石單晶的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器之方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體工業(yè)中，特別在目前線寬越來(lái)越小的發(fā)展趨勢(shì)下，晶圓表面的平坦化步驟更為關(guān)鍵，目前高階制程已全面使用化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)來(lái)達(dá)到全面平坦化效果。

但在化學(xué)機(jī)械研磨制程中因?yàn)閽伖鈮|會(huì)不斷的和晶圓產(chǎn)生摩擦，使得拋光墊上的溝紋逐漸消失，且化學(xué)機(jī)械研磨制程中產(chǎn)生的切削、反應(yīng)生成物等都會(huì)漸漸積存在拋光墊表面的細(xì)微溝槽中，容易造成拋光墊鈍化、堵塞，導(dǎo)致拋光墊表面劣化，容易對(duì)晶圓產(chǎn)生缺陷，因此，研磨墊修整器(pad dresser)遂成為化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)制程維持晶圓平坦性、均勻性的關(guān)鍵，用以適度的修整拋光墊，好讓拋光墊可以恢復(fù)原本的表面特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種制造具有大鉆石單晶的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器之方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一暫時(shí)基座，該暫時(shí)基座包含一具有一平面的剛性模板以及一設(shè)置于該剛性模板的該平面上的黏著層；

將復(fù)數(shù)大鉆石研磨顆粒布植于該黏著層，令該大鉆石研磨顆粒具有的一研磨端插入該黏著層而抵觸該平面，該大鉆石研磨顆粒具有一不小于300微米的粒徑；以及

移除該剛性模板，并透過一高分子結(jié)合劑與一研磨基座結(jié)合而得到一修整工具。

因此，相較于習(xí)知技術(shù)的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器，本發(fā)明采用了粒徑不小于300微米的大鉆石研磨顆粒，相較于習(xí)知粒徑較小的鉆石研磨顆粒的修整器，本發(fā)明的大鉆石研磨顆粒的突出量可以更多，且尖銳端的體積更多，研磨顆粒埋入該基板的深度也更多，故可以大幅延長(zhǎng)化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器的使用壽命，并具有更好的修整性能。

附圖說(shuō)明

圖1至圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的制造流程示意圖；

其中，10、暫時(shí)基座；11、剛性模板；111、平面；12、黏著層；20、大鉆石研磨顆粒；21、研磨端；22、固定端；30、網(wǎng)板；31、定位孔洞；40、高分子結(jié)合劑；50、研磨基座。

具體實(shí)施方式

于下文中，將搭配圖式詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。

本發(fā)明為一種制造具有大鉆石單晶的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器之方法，包括以下步驟：

步驟S1：請(qǐng)參閱圖1，先提供一暫時(shí)基座10，該暫時(shí)基座10包含一具有一平面111的剛性模板11以及一設(shè)置于該剛性模板11的該平面111上的黏著層12。本實(shí)施例中，該黏著層12的材質(zhì)為一壓克力膠，該剛性模板11的材質(zhì)為選自鋼、鎳、鉻、鈦、銅、鋁、花崗石、玻璃及壓克力所組成的群組。

步驟S2：請(qǐng)參閱圖2，利用一網(wǎng)板30將復(fù)數(shù)大鉆石研磨顆粒20布植于該黏著層12，該網(wǎng)板30具有復(fù)數(shù)個(gè)定位孔洞31，供該大鉆石研磨顆粒20布植于該黏著層12，且令該大鉆石研磨顆粒20具有的一研磨端21插入該黏著層12而抵觸該平面111，該大鉆石研磨顆粒20另具有一遠(yuǎn)離該一研磨端21的固定端22，該大鉆石研磨顆粒20具有一不小于300微米的粒徑。

步驟S3：移除該網(wǎng)板30，如圖3至圖5所示，該大鉆石研磨顆粒20將依照該網(wǎng)板30所定義的圖案所排列。反轉(zhuǎn)該暫時(shí)基座10并移除該剛性模板11，接著透過一高分子結(jié)合劑40將該大鉆石研磨顆粒20與一研磨基座50結(jié)合而得到一修整工具，經(jīng)反轉(zhuǎn)后，該大鉆石研磨顆粒20的該研磨端21系外露朝上，而該固定端22則埋入該高分子結(jié)合劑40而固定于該研磨基座50，該高分子結(jié)合劑40的材質(zhì)為一環(huán)氧樹脂。于本實(shí)施例中，系于移除該剛性模板11時(shí)一并移除該黏著層12，然于其他實(shí)施方式，亦可僅移除該剛性模板11。

于本發(fā)明之一實(shí)施例中，該大鉆石研磨顆粒20的粒徑不小于500微米，于本發(fā)明之另一實(shí)施例中，該大鉆石研磨顆粒20的粒徑介于500微米至800微米之間。又在本發(fā)明之一實(shí)施例中，該大鉆石研磨顆粒20的第1高的尖點(diǎn)與次高的尖點(diǎn)之間具有一第一差異，該第一差異小于或等于20微米，且該大鉆石研磨顆粒20之最高1％的尖點(diǎn)間具有一第二差異，該第二差異系為小于或等于80微米，該大鉆石研磨顆粒20的第1高的尖點(diǎn)與第10高的尖點(diǎn)之間具有一第三差異，該第三差異小于或等于20微米，該大鉆石研磨顆粒20的第1高的尖點(diǎn)與第100高的尖點(diǎn)之間具有一第四差異，該第四差異小于或等于40微米，該大鉆石研磨顆粒20第一高的尖點(diǎn)的突出高度大于50微米。

綜上所述，相較于習(xí)知技術(shù)的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器，本發(fā)明采用了粒徑不小于300微米的大鉆石研磨顆粒，相較于習(xí)知粒徑較小的鉆石研磨顆粒的修整器，本發(fā)明的大鉆石研磨顆粒的突出量可以更多，且尖銳端的體積更多，研磨顆粒埋入該基板的深度也更多，故可以大幅延長(zhǎng)化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器的使用壽命，并具有更好的修整性能。

上述實(shí)施例僅為了方便說(shuō)明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。