本發(fā)明涉及離子注入技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于玻璃基板有源矩陣發(fā)光二極管面板的離子注入設(shè)備的清洗方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的離子注入設(shè)備，使用直流電引出離子束，并對離子束加速后，向處理室的基板照射離子束。在離子注入過程中，離子注入物在離子源內(nèi)部耗損累積形成淀積物，所述淀積物將導(dǎo)致離子源腔室內(nèi)壁的電容結(jié)構(gòu)、電極板間的電容結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，引發(fā)頻發(fā)的異常放電，造成離子源引出束流不穩(wěn)定，使得離子注入均一性下降；并且所述淀積物還在基板夾具中累積，導(dǎo)致所述基板夾具裝載基板時臟污所述基板，因此，需對所述離子源及所述基板夾具進行清洗?，F(xiàn)有技術(shù)的清洗方法是：在離子注入間隙，把氫氣導(dǎo)入離子源，在離子源內(nèi)部產(chǎn)生氫等離子體，清洗離子源內(nèi)部的淀積物，但是，在實際運用中，這種方法無法做到完全去除淀積物，剩余的淀積物仍會造成離子注入設(shè)備發(fā)生異常放電，并且現(xiàn)有技術(shù)沒有對基板夾具進行清洗的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種離子注入設(shè)備的清洗方法，使得所述離子源、引出電極系統(tǒng)、基板夾具均得到有效清洗；避免了未被清洗干凈的不穩(wěn)定的淀積物剝落。

為解決上述問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

本發(fā)明提供一種離子注入設(shè)備的清洗方法，所述離子注入設(shè)備包括產(chǎn)生等離子體并設(shè)有燈絲的離子源、用于引出帶狀離子束的引出電極系統(tǒng)、用于對基板進行離子掃描并設(shè)有基板夾具的掃描腔室，所述離子注入設(shè)備的清洗方法包括以下步驟：

準(zhǔn)備步驟：將燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，并維持設(shè)定時間后進行清洗步驟；

所述清洗步驟包括：

s1：向離子源內(nèi)部通入ar，將離子源和引出電極系統(tǒng)的運轉(zhuǎn)參數(shù)設(shè)置為清洗目標(biāo)參數(shù)，通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出氬離子束，并向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述氬離子束；

s2：停止通入ar，向離子源內(nèi)部通入h2，通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出氫離子束，并向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述氫離子束；

s3：停止通入h2，向離子源內(nèi)部通入ar，通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出氬離子束，并向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述氬離子束后，完成所述清洗步驟，進行維護步驟；

所述維護步驟：停止通入ar，向離子源內(nèi)部通入工藝氣體，將離子源和引出電極系統(tǒng)的運轉(zhuǎn)參數(shù)設(shè)置為對所述基板進行離子注入時的工藝參數(shù)，通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出工藝氣體離子束，并向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述工藝氣體離子束；完成所述維護步驟后進入離子注入待機狀態(tài)或進行結(jié)束步驟；

所述結(jié)束步驟：停止通入ar，維持燈絲電流為清洗目標(biāo)值至所述掃描腔室恢復(fù)到真空狀態(tài)，逐漸關(guān)閉燈絲電流。

進一步地，所述離子注入設(shè)備的清洗方法適用于離子注入前、離子注入間隙、離子注入結(jié)束后三個清洗時段。

具體地，在所述離子注入前的清洗時段，所述準(zhǔn)備步驟為：開啟燈絲電流后，將燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，并維持10～20min后進行清洗步驟。

具體地，在所述離子注入間隙的清洗時段，所述準(zhǔn)備步驟為：所述燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，維持0～5min后進行清洗步驟。

具體地，在所述離子注入結(jié)束后的清洗時段，所述準(zhǔn)備步驟為：將燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，并維持10～20min后進行清洗步驟。

具體地，在所述離子注入前和離子注入間隙的清洗時段，完成所述維護步驟后進入離子注入待機狀態(tài)；在所述離子注入結(jié)束后的清洗時段，完成所述維護步驟后進行所述結(jié)束步驟。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別及有益效果在于：在所述清洗方法的準(zhǔn)備步驟中，本發(fā)明通過將燈絲電流維持設(shè)定時間，對所述燈絲進行預(yù)熱，增大吸附在所述燈絲上的氣體的熱運動，使氣體從所述燈絲表面逃逸，避免燈絲吸附氣體；在所述清洗方法的清洗步驟中，本發(fā)明通過向離子源內(nèi)部分別通入ar和h2，并通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出氬離子束和氫離子束，向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述氬離子束或氫離子束，使得所述離子源、引出電極系統(tǒng)、基板夾具上的淀積物均得到清洗；在所述清洗步驟結(jié)束后，本發(fā)明的清洗方法還包括維護步驟和結(jié)束步驟，所述維護步驟使得所述離子注入設(shè)備在清洗結(jié)束后，在所述清洗干凈或部分清洗干凈的離子源的腔室內(nèi)壁、引出電極系統(tǒng)、基板夾具表面形成一層接近正常離子注入工藝條件的薄膜，使所述離子注入設(shè)備恢復(fù)到盡可能接近正常生產(chǎn)的內(nèi)部環(huán)境；避免了所述未被清洗干凈的不穩(wěn)定的淀積物剝落，改善了清洗結(jié)束后，重新開啟所述離子注入設(shè)備時，所述離子注入設(shè)備的離子源及引出電極系統(tǒng)電壓不穩(wěn)定，發(fā)生異常放電的問題。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一種離子注入設(shè)備的清洗方法流程框圖；

圖2是本發(fā)明一種離子注入設(shè)備的清洗方法在離子注入前清洗時段流程框圖；

圖3是本發(fā)明一種離子注入設(shè)備的清洗方法在離子注入間隙清洗時段流程框圖；

圖4是本發(fā)明一種離子注入設(shè)備的清洗方法在離子注入結(jié)束后清洗時段流程框圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案進行清楚的描述，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。

所述離子注入設(shè)備包括產(chǎn)生等離子體并設(shè)有燈絲的離子源、用于引出帶狀離子束的引出電極系統(tǒng)、用于對基板進行離子掃描并設(shè)有基板夾具的掃描腔室，以氣體等離子體作為離子源的離子注入設(shè)備，在進行所述等離子體持續(xù)點亮及離子束引出注入過程中，離子不斷的撞擊離子源腔室、離子源的燈絲、引出電極系統(tǒng)的電極板、裝載基板的基板夾具，使得離子注入物在離子源內(nèi)部耗損累積形成淀積物。該過程被視為氣相濺鍍或氣相沉積過程。所述淀積物將導(dǎo)致離子源腔室內(nèi)壁的電容結(jié)構(gòu)、電極板間的電容結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，從而引發(fā)頻發(fā)的異常放電。所述異常放電較輕微時，將造成離子源引出束流不穩(wěn)定，使得離子注入均一性下降；當(dāng)所述異常放電嚴(yán)重時，將在基板上產(chǎn)生灰塵或臟污污染基板，甚至使得離子源及引出電極系統(tǒng)失去固有電壓，造成設(shè)備停止運轉(zhuǎn)。

當(dāng)所述離子注入物為氟等離子體或硼等離子體時，離子注入物將在引出電極系統(tǒng)的引出電極上、裝載基板的基板夾具上沉積形成絕緣的氟化物或硼化物，隨著該絕緣物的沉積變厚，后續(xù)撞擊在該位置的離子的電荷將越來越難以釋放，因而在氟化物的表面形成電荷累積，當(dāng)電荷累積至足夠高時，所述累積的電荷將擊穿極板附近的氣體或絕緣物發(fā)生放電，同時絕緣物部分被擊落后將再次開始累積形成新的絕緣物，所述被擊落的絕緣物將在基板上產(chǎn)生灰塵或臟污污染基板。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種離子注入設(shè)備的清洗方法，如圖1所示，所述離子注入設(shè)備的清洗方法包括準(zhǔn)備步驟、清洗步驟、維護步驟、結(jié)束步驟；

所述離子注入設(shè)備的清洗方法適用于離子注入前、離子注入間隙、離子注入結(jié)束后三個清洗時段；如圖2～4所示，分別為所述離子注入設(shè)備在離子注入前、離子注入間隙、離子注入結(jié)束后三個清洗時段的清洗流程框圖；

其中，所述準(zhǔn)備步驟為：將燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，并維持設(shè)定時間后進行清洗步驟；

具體的，在所述離子注入前的清洗時段，所述準(zhǔn)備步驟為：開啟燈絲電流后，將燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，并維持10～20min后進行清洗步驟。使得所述燈絲處于較高溫度狀態(tài)，增大吸附在所述燈絲上的氣體的熱運動，使氣體從所述燈絲表面逃逸，避免燈絲吸附氣體；

具體的，在所述離子注入間隙的清洗時段，所述準(zhǔn)備步驟為：所述燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，維持0～5min后進行清洗步驟。由于該清洗為在連續(xù)生產(chǎn)中進行基板交換時的短時間清洗，所述燈絲一直處于點亮狀態(tài)，因此，所述燈絲的維持時間縮短為0～5min；

具體的，在所述離子注入結(jié)束后的清洗時段，所述準(zhǔn)備步驟為：將燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，并維持10～20min后進行清洗步驟。

所述清洗步驟包括：

s1：向離子源內(nèi)部通入ar，將離子源和引出電極系統(tǒng)的運轉(zhuǎn)參數(shù)設(shè)置為清洗目標(biāo)參數(shù)，通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出氬離子束，并向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述氬離子束；

s2：停止通入ar，向離子源內(nèi)部通入h2，通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出氫離子束，并向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述氫離子束；

s3：停止通入h2，向離子源內(nèi)部通入ar，通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出氬離子束，并向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述氬離子束后，完成所述清洗步驟，進行維護步驟；

其中，所述ar離子為較重的離子，采用ar作為物理清洗氣體，利用其轟擊作用，能夠有效清除淀積物的累積并清除殘余氣體。采用h2作為化學(xué)清洗氣體，利用氫離子對淀積物進行置換達到清洗目的，具體的，以氟等離子體或硼等離子體作為例子注入物為例，其淀積物為金屬f化物mf或金屬b化物mb，其置換的反應(yīng)式為：mf+h⁺→m+hf，h⁺+mb→h2+b+m。

所述維護步驟：停止通入ar，向離子源內(nèi)部通入工藝氣體，將離子源和引出電極系統(tǒng)的運轉(zhuǎn)參數(shù)設(shè)置為對所述基板進行離子注入時的工藝參數(shù)，通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出工藝氣體離子束，并向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述工藝氣體離子束；完成所述維護步驟后進入離子注入待機狀態(tài)或進行結(jié)束步驟；具體地，在所述離子注入前和離子注入間隙的清洗時段，完成所述維護步驟后進入離子注入待機狀態(tài)；在所述離子注入結(jié)束后的清洗時段，完成所述維護步驟后進行所述結(jié)束步驟。

需要說明的是，在進行離子注入設(shè)備的清洗時，基于實際效益的考慮，無法保證所述淀積物已被完全清洗干凈，有可能存在未被清洗干凈的不穩(wěn)定的淀積物；因此，需對所述離子注入設(shè)備進行清洗后的維護，所述維護步驟通過向離子源內(nèi)部通入工藝氣體，將離子源和引出電極系統(tǒng)的運轉(zhuǎn)參數(shù)設(shè)置為對所述基板進行離子注入時的工藝參數(shù)，通過所述引出電極系統(tǒng)從所述離子源引出工藝氣體離子束，并向所述掃描腔室內(nèi)未裝載基板的所述基板夾具照射所述工藝氣體離子束；使得未被清洗干凈的不穩(wěn)定的淀積物被覆蓋，避免了所述未被清洗干凈的不穩(wěn)定的淀積物剝落，并且改善了清洗結(jié)束后，由于所述淀積物不均勻造成復(fù)機后的所述離子注入設(shè)備的離子源及引出電極系統(tǒng)電壓不穩(wěn)定，發(fā)生異常放電的問題。

所述結(jié)束步驟為：停止通入ar，維持燈絲電流為清洗目標(biāo)值至所述掃描腔室恢復(fù)到真空狀態(tài)，逐漸關(guān)閉燈絲電流。

在本實施例中，優(yōu)選地，所述離子注入設(shè)備的清洗方法適用于離子注入前、離子注入間隙、離子注入結(jié)束后三個清洗時段。

在本實施例中，優(yōu)選地，在所述離子注入前的清洗時段，所述準(zhǔn)備步驟為：開啟燈絲電流后，將燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，并維持10～20min后進行清洗步驟。

在本實施例中，優(yōu)選地，在所述離子注入間隙的清洗時段，所述準(zhǔn)備步驟為：所述燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，維持0～5min后進行清洗步驟。

在本實施例中，優(yōu)選地，在所述離子注入結(jié)束后的清洗時段，所述準(zhǔn)備步驟為：將燈絲電流設(shè)置為清洗目標(biāo)值，并維持10～20min后進行清洗步驟。所述燈絲維持清洗目標(biāo)值的具體時間根據(jù)實際應(yīng)用情況確定。

在本實施例中，優(yōu)選地，在所述離子注入前和離子注入間隙的清洗時段，完成所述維護步驟后進入離子注入待機狀態(tài)，準(zhǔn)備進行離子注入；在所述離子注入結(jié)束后的清洗時段，完成所述維護步驟后進行所述結(jié)束步驟。

如上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式，但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。