技術(shù)總結(jié)
一種在半導(dǎo)體裸芯片上實現(xiàn)鍵合金屬化改性的方法，將除油后的半導(dǎo)體裸芯片表面或晶圓放入到硫酸與雙氧水的混合溶液中，在30?40℃下反應(yīng)60?90s后水，進(jìn)行一次鋅活化后酸腐蝕再進(jìn)行二次鋅活化，在經(jīng)過二次鋅活化后的裸芯片或晶圓表面進(jìn)行沉積形成Ni層；在Ni層上沉積Pd層；在Pd層上沉積Au層。本發(fā)明使用化學(xué)鍍鎳鈀浸金工藝，在半導(dǎo)體裸芯片表面制備兼容金線鍵合的鎳鈀金三層金屬化層，膜層附著力及穩(wěn)定性滿足封裝工藝的應(yīng)用需求，改性后的芯片各項電參數(shù)與改性前對比無明顯差異，在改性后的鎳鈀金層表面進(jìn)行的金線鍵合可以滿足高溫環(huán)境應(yīng)用及器件長壽命使用的可靠性需求。

技術(shù)研發(fā)人員：王超;陳雷達(dá);張欲欣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安微電子技術(shù)研究所
文檔號碼：201710114388
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.28
技術(shù)公布日：2017.06.13