本發(fā)明涉及靶材的制作領域，尤其涉及一種噴涂靶材基體重復利用的方法。

背景技術：

濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè) , 如集成電路、信息存儲、電子控制器件等；還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕等行業(yè)。但旋轉靶材在進行磁控濺射鍍膜后由于：1.靶材制備及鍍膜過程中的熱應力變化；2.靶材制備過程中多次拆裝，加工；3靶材鍍膜過程中多次拆裝，加工等原因，導致基體管都有一定程度的變形，如：彎曲、凹坑、凸起等，而這些變形導致鍍膜過程中磁極無法穿過基體管，因此目前靶材基體管都處于一次性利用的現(xiàn)狀，無法重復利用。

技術實現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種噴涂靶材基體重復利用的方法，先提供一種孔徑較大的基體管，左右兩端通過環(huán)壓，或焊接一定長度的標準尺寸端頭使之與鍍膜設備相匹配，這樣不管靶材在生產(chǎn)或鍍膜過程中由于各種原因導致的一些小變形，如凹坑、彎曲等，可以通過一定程度放大的基體管而過濾掉，不影響磁極穿不過的現(xiàn)象，可以使基體管得到重復利用，大大降低了生產(chǎn)成本，解決了背景技術中出現(xiàn)的問題。

本發(fā)明的目的是提供一種噴涂靶材基體重復利用的方法，包括有以下步驟：

步驟一：按靶材尺寸要求準備內徑125-126mm，外徑為133-134mm基體管；

步驟二：將該基體管左右兩端通過環(huán)壓法向內擠壓0-1mm，使得基體管左右兩端的內徑為125mm，外徑為133mm；

步驟三：在該基體管上用噴涂的方法制作靶材；

步驟四：使用該靶材在磁控濺射設備中進行玻璃鍍膜；

步驟五：對濺射完的靶材進行表面處理：噴砂或噴涂鎳鋁或銅鋁合金打底，然后在重復步驟三到步驟五，直至基體管完全報廢。

進一步改進在于：所述步驟二可替換為將該基體管左右兩端焊接內徑為125mm、外徑為133mm的基體管端頭。

進一步改進在于：所述基體管為不銹鋼管或鈦管。

進一步改進在于：所述基體管的壁厚為4mm。

進一步改進在于：所述步驟二基體管左右兩端內壓部分的長度之為30-100mm。

進一步改進在于：所述步驟二基體管左右兩端焊接部分的長度之為30-100mm。

進一步改進在于：所述步驟二制得的基體管左右兩端部分為內徑為125mm，外徑為133mm基體管，基體管中間部分為內徑125-126mm，外徑為133-134mm基體管。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明先提供一種孔徑較大的基體管，左右兩端通過環(huán)壓，或焊接一定長度的標準尺寸端頭使之與鍍膜設備相匹配，這樣不管靶材在生產(chǎn)或鍍膜過程中由于各種原因導致的一些小變形，如凹坑、彎曲等，可以通過一定程度放大的基體管而過濾掉，不影響磁極穿不過的現(xiàn)象，可以使基體管得到重復利用，大大降低了生產(chǎn)成本，適用于生產(chǎn)中。

附圖說明

圖1是本發(fā)明步驟二基體管環(huán)壓過的示意圖。

具體實施方式

為了加深對本發(fā)明的理解，下面將結合實施例對本發(fā)明作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明保護范圍的限定。

如圖1所示，本實施例一種噴涂靶材基體重復利用的方法，包括有以下步驟：

步驟一：按靶材尺寸要求準備內徑126mm，外徑為134mm基體管；

步驟二：將該基體管左右兩端通過環(huán)壓法向內擠壓1mm，使得基體管左右兩端的內徑為125mm，外徑為133mm；

步驟三：在該基體管上用噴涂的方法制作靶材；

步驟四：使用該靶材在磁控濺射設備中進行玻璃鍍膜；

步驟五：對濺射完的靶材進行表面處理：噴砂或噴涂鎳鋁或銅鋁合金打底，然后在重復步驟三到步驟五，直至基體管完全報廢。

所述步驟二可替換為將該基體管左右兩端焊接內徑為125mm、外徑為133mm的基體管端頭；所述基體管為不銹鋼管或鈦管。所述基體管的壁厚為4mm。所述步驟二基體管左右兩端內壓部分的長度之為50mm。所述步驟二基體管左右兩端焊接部分的長度之為50mm。所述步驟二制得的基體管左右兩端部分為內徑為125mm，外徑為133mm基體管，基體管中間部分為內徑126mm，外徑為134mm基體管。

先提供一種孔徑較大的基體管，左右兩端通過環(huán)壓，或焊接一定長度的標準尺寸端頭使之與鍍膜設備相匹配，這樣不管靶材在生產(chǎn)或鍍膜過程中由于各種原因導致的一些小變形，如凹坑、彎曲等，可以通過一定程度放大的基體管而過濾掉，不影響磁極穿不過的現(xiàn)象，可以使基體管得到重復利用，大大降低了生產(chǎn)成本，適用于生產(chǎn)中。