1.一種PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，包括上料區(qū)、加熱腔、工藝腔、降溫區(qū)和下料區(qū)，所述上料區(qū)、加熱腔、工藝腔、降溫區(qū)和下料區(qū)依次連接；所述工藝腔設(shè)有上通氣板和下通氣板，以及與上通氣板和下通氣板連通的氣源裝置；
所述上通氣板和下通氣板皆設(shè)有通氣孔，上通氣板和下通氣板平行設(shè)置并在兩板之間設(shè)有一條容納硅片通行的通道；
上通氣板或下通氣板所在平面與水平面所成夾角為1-5度。
2.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，所述上通氣板設(shè)有100-500個(gè)通氣孔，通氣孔的直徑為1-10mm；所述下通氣板設(shè)有100-500個(gè)通氣孔，通氣孔的直徑為1-10mm。
3.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，所述上通氣板的通氣孔以方陣形式排列，通氣孔的間距為1-10mm；所述下通氣板的通氣孔以方陣形式排列，通氣孔的間距為1-10mm。
4.如權(quán)利要求3所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，所述上通氣板的通氣孔與下通氣板的通氣孔排列方式和間距相同。
5.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，所述氣源裝置設(shè)有氨氣氣罐和硅烷氣罐，氨氣氣罐和硅烷氣罐與上通氣板經(jīng)導(dǎo)管連通；氨氣氣罐和硅烷氣罐與下通氣板經(jīng)導(dǎo)管連通。
6.如權(quán)利要求5所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，通氣孔設(shè)有第一通氣孔和第二通氣孔，第一通氣孔與氨氣氣罐連通，第二通氣孔與硅烷氣罐連通。
7.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，上通氣板和下通氣板由石英板材制成。
8.如權(quán)利要求1所述PECVD雙面沉積設(shè)備，其特征在于，上通氣板和下通氣板之間的距離為50-300mm。