本發(fā)明涉及對晶片等基板進行研磨的研磨裝置和研磨方法。

背景技術(shù)：

近年來，伴隨著半導(dǎo)體器件的高集成化/高密度化，電路的布線越來越微細化，多層布線的層數(shù)也增加。如果要想實現(xiàn)電路的微細化的同時實現(xiàn)多層布線，則階梯差沿著下側(cè)的層的表面凹凸而變大，因此隨著布線層數(shù)的增加，薄膜形成中的相對于階梯差形狀的膜覆蓋性(階梯覆蓋)變差。因此，為了進行多層布線，必須改善該階梯覆蓋，應(yīng)當在過程中進行平坦化處理。并且，由于在光刻的微細化的同時焦點深度變淺，因此需要對半導(dǎo)體器件表面進行平坦化處理，以使得半導(dǎo)體器件的表面的凹凸階梯差收斂在焦點深度以下。

因此，在半導(dǎo)體器件的制造工序中，半導(dǎo)體器件表面的平坦化技術(shù)越來越重要。該平坦化技術(shù)中的最重要的技術(shù)是化學(xué)機械研磨(chemicalmechanicalpolishing)。在該化學(xué)機械研磨(以下，稱為cmp)中，將包含二氧化硅(sio2)等磨粒在內(nèi)的研磨液供給到研磨墊上并且使晶片等基板與研磨面滑動接觸而進行研磨。

用于進行cmp的研磨裝置具有：對具有研磨面的研磨墊進行支承的研磨臺；以及用于對晶片進行保持的被稱為頂環(huán)或者研磨頭等的基板保持部。在使用這樣的研磨裝置來進行晶片的研磨的情況下，通過頂環(huán)對晶片進行保持，并且以規(guī)定的壓力將該晶片按壓于研磨面。通過進一步使研磨臺和頂環(huán)相對運動而使晶片與研磨面滑動接觸，而將晶片的表面研磨成平坦且鏡面。

在這樣的研磨裝置中，當研磨中的晶片與研磨墊的研磨面之間的相對的按壓力在晶片的整個面上不均勻的情況下，根據(jù)施加給晶片的各部分的按壓力會產(chǎn)生研磨不足、過度研磨。為了使對晶片的按壓力均勻化，而在頂環(huán)的下部設(shè)置有由彈性膜(膜片)形成的壓力室，通過向該壓力室供給空氣等氣體，從而通過氣體的壓力經(jīng)由膜片而將晶片按壓于研磨墊的研磨面并進行研磨。

在研磨工序結(jié)束后，使研磨面上的晶片真空吸附于頂環(huán)，使頂環(huán)與晶片一同上升，然后移動到搬送臺的上方位置，并使晶片從膜片脫離。關(guān)于晶片的脫離，一邊向壓力室供給氣體，一邊向晶片與膜片之間的間隙噴射釋放噴液。

專利文獻1：日本特開2014-11432號公報

在使晶片從膜片脫離時，有時由于膜片的劣化而會引起膜片大幅伸長。當膜片過度伸長時，有時釋放噴液無法到達晶片與膜片的接觸部位，而使晶片無法從膜片脫離。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供如下的研磨裝置和研磨方法：在基板脫離動作失敗的情況下，執(zhí)行使基板脫離動作再次執(zhí)行的重試動作，還能夠使用戶了解重試動作的頻率或傾向。

用于解決課題的手段

為了達成上述的目的，本發(fā)明的一個方式提供一種研磨裝置，其特征在于，具有：研磨臺，該研磨臺用于支承研磨墊；基板保持部，該基板保持部具有由彈性膜構(gòu)成的基板保持面和壓力室，由該基板保持面對基板進行保持并通過所述壓力室內(nèi)的壓力將所述基板按壓于所述研磨墊；流體噴射系統(tǒng)，為了使所述基板從所述基板保持面脫離，該流體噴射系統(tǒng)向所述基板與所述彈性膜之間的間隙噴射流體；動作控制部，在所述基板的脫離失敗的情況下，該動作控制部使所述流體噴射系統(tǒng)執(zhí)行再次噴射所述流體的重試動作；以及監(jiān)視裝置，該監(jiān)視裝置存儲所述重試動作的歷史信息。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式的特征在于，所述監(jiān)視裝置具有顯示所述歷史信息的顯示器。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式的特征在于，該研磨裝置還具有：搬送臺，該搬送臺能夠承接從所述基板保持面脫離的所述基板；以及基板檢測傳感器，該基板檢測傳感器配置于所述搬送臺上。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式的特征在于，所述歷史信息包含對所述基板進行的所述重試動作的次數(shù)。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式的特征在于，所述歷史信息還包含進行了所述重試動作的所述基板的識別號和所述流體的噴射的設(shè)定時間。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式的特征在于，在對所述基板進行的所述重試動作的次數(shù)為閾值以上的情況下，所述監(jiān)視裝置存儲所述重試動作的歷史信息。

本發(fā)明的其他方式提供一種研磨方法，其特征在于，使支承研磨墊的研磨臺旋轉(zhuǎn)，通過由彈性膜構(gòu)成的基板保持面對基板進行保持，通過由所述彈性膜構(gòu)成的壓力室內(nèi)的壓力將所述基板按壓于所述研磨墊而研磨該基板，為了使研磨后的所述基板從所述基板保持面脫離，而向所述基板與所述彈性膜之間的間隙噴射流體，在所述基板的脫離失敗的情況下，執(zhí)行再次噴射所述流體的重試動作，存儲所述重試動作的歷史信息。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式的特征在于，該研磨方法還包含顯示所述歷史信息的工序。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式的特征在于，所述歷史信息包含對所述基板進行的所述重試動作的次數(shù)。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式的特征在于，所述歷史信息還包含進行了所述重試動作的所述基板的識別號和所述流體的噴射的設(shè)定時間。

本發(fā)明的優(yōu)選的方式的特征在于，在對于所述基板進行的所述重試動作的次數(shù)為閾值以上的情況下，存儲所述重試動作的歷史信息。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，由于重試動作的歷史信息被存儲于監(jiān)視裝置，因此用戶能夠根據(jù)所存儲的歷史信息來了解重試動作的頻率或傾向。此外，用戶能夠根據(jù)重試動作的頻率或傾向而適當?shù)嘏袛嗄て母鼡Q時期。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的研磨裝置的整體結(jié)構(gòu)的概略圖。

圖2是對作為研磨對象物的晶片進行保持且將其向研磨臺上的研磨墊按壓的頂環(huán)的示意性的剖視圖。

圖3是表示移動到搬送臺的上方位置的頂環(huán)的圖。

圖4是用于說明晶片脫離動作的流程圖。

圖5是監(jiān)視重試動作的流程圖。

符號說明

1基板保持部(頂環(huán))

2頂環(huán)主體

3擋圈

4彈性膜(膜片)

4a間隔壁

4b基板保持面

4h孔

5中心室

6波紋室

7外室

8邊緣室

9擋圈加壓室

10研磨臺

10a臺軸

20研磨墊

20a研磨面

30加壓流體供給源

31、87真空源

35氣水分離槽

50控制系統(tǒng)

51動作控制部

52監(jiān)視裝置

53輸入裝置

54顯示器

55存儲裝置

62研磨液供給噴嘴

65頂環(huán)軸

66旋轉(zhuǎn)筒

67同步帶輪

68頂環(huán)馬達

69同步帶

70同步帶輪

80頂環(huán)頭部軸

81上下運動機構(gòu)

82轉(zhuǎn)動接頭

83軸承

84橋部件

85支承臺

86支柱

88滾珠絲杠

88a絲杠軸

88b螺母

90伺服馬達

92搬送臺

93流體噴射系統(tǒng)

95流體

96晶片檢測傳感器(基板檢測傳感器)

具體實施方式

以下，關(guān)于本發(fā)明的實施方式，參照附圖進行詳細說明。圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的研磨裝置的整體結(jié)構(gòu)的概略圖。如圖1所示，研磨裝置具有：研磨臺10；以及頂環(huán)(基板保持部)1，該頂環(huán)(基板保持部)1對作為研磨對象物的晶片等基板進行保持且將晶片向研磨臺10上的研磨墊20按壓。

研磨臺10經(jīng)由臺軸10a與配置于其下方的馬達(未圖示)連結(jié)，能夠繞該臺軸10a旋轉(zhuǎn)。在研磨臺10的上表面粘貼有研磨墊20，研磨墊20的表面20a構(gòu)成研磨晶片w的研磨面。在研磨臺10的上方設(shè)置有研磨液供給噴嘴62，通過該研磨液供給噴嘴62向研磨臺10上的研磨墊20上供給研磨液q。

頂環(huán)1基本上由頂環(huán)主體2和擋圈3構(gòu)成，該頂環(huán)主體2向研磨面20a按壓晶片w，該擋圈3對晶片w進行保持，以使晶片w不會從頂環(huán)1飛出。

頂環(huán)1與頂環(huán)軸65連接，該頂環(huán)軸65經(jīng)由上下運動機構(gòu)81而相對于頂環(huán)頭部64上下運動。通過該頂環(huán)軸65的上下運動而使頂環(huán)1整體相對于頂環(huán)頭部64升降并進行定位。在頂環(huán)軸65的上端安裝有轉(zhuǎn)動接頭82。

使頂環(huán)軸65和頂環(huán)1上下運動的上下運動機構(gòu)81具有：橋部件84，該橋部件84經(jīng)由軸承83將頂環(huán)軸65支承為能夠旋轉(zhuǎn)；滾珠絲杠88，該滾珠絲杠88被安裝于橋部件84；支承臺85，該支承臺85被支柱86支承；以及伺服馬達90，該伺服馬達90被設(shè)置在支承臺85上。支承伺服馬達90的支承臺85經(jīng)由支柱86而被固定于頂環(huán)頭部64。

滾珠絲杠88具有與伺服馬達90連結(jié)的絲杠軸88a以及與該絲杠軸88a螺合的螺母88b。頂環(huán)軸65與橋部件84一體地上下運動。因此，當對伺服馬達90進行驅(qū)動時，橋部件84經(jīng)由滾珠絲杠88而上下運動，由此頂環(huán)軸65和頂環(huán)1上下運動。

并且，頂環(huán)軸65經(jīng)由鍵(未圖示)而與旋轉(zhuǎn)筒66連結(jié)。該旋轉(zhuǎn)筒66在其外周部具有同步帶輪67。在頂環(huán)頭部64固定有頂環(huán)馬達68，上述同步帶輪67經(jīng)由同步帶69與設(shè)置于頂環(huán)馬達68的同步帶輪70連接。因此，通過使頂環(huán)馬達68旋轉(zhuǎn)驅(qū)動，從而借助同步帶輪70、同步帶69以及同步帶輪67使旋轉(zhuǎn)筒66和頂環(huán)軸65一體旋轉(zhuǎn)，使頂環(huán)1旋轉(zhuǎn)。頂環(huán)頭部64由頂環(huán)頭部軸80支承，該頂環(huán)頭部軸80以能夠旋轉(zhuǎn)的方式支承于框體(未圖示)。研磨裝置具有動作控制部51，該動作控制部51對以頂環(huán)馬達68、伺服馬達90為代表的裝置內(nèi)的各設(shè)備進行控制。

頂環(huán)1能夠在其下表面保持晶片w。頂環(huán)頭部64構(gòu)成為能夠以頂環(huán)頭部軸80為中心回轉(zhuǎn)，通過頂環(huán)頭部64的回轉(zhuǎn)而使在下表面保持著晶片w的頂環(huán)1從晶片w的接受位置向研磨臺10的上方移動。晶片w的研磨像下述那樣進行。使頂環(huán)1和研磨臺10分別旋轉(zhuǎn)，從設(shè)置于研磨臺10的上方的研磨液供給噴嘴62向研磨墊20上供給研磨液q。在該狀態(tài)下，使頂環(huán)1下降而將晶片w按壓于研磨墊20的研磨面20a。晶片w與研磨墊20的研磨面20a滑動接觸，由此研磨晶片w的表面。

接著，對本發(fā)明的研磨裝置中的頂環(huán)進行說明。圖2是對作為研磨對象物的晶片w進行保持并將其向研磨臺10上的研磨墊20按壓的頂環(huán)1的示意性的剖視圖。在圖2中僅圖示構(gòu)成頂環(huán)1的主要結(jié)構(gòu)要素。

如圖2所示，頂環(huán)1基本上由膜片(彈性膜)4、頂環(huán)主體(也稱為載體)2以及擋圈3構(gòu)成，該膜片4向研磨墊20按壓晶片w，頂環(huán)主體(也稱為載體)2對膜片4進行保持，該擋圈3直接按壓研磨墊20。頂環(huán)主體2由大致圓盤狀的部件構(gòu)成，擋圈3安裝于頂環(huán)主體2的外周部。頂環(huán)主體2由工程塑料(例如，peek)等樹脂形成。在頂環(huán)主體2的下表面上安裝有與晶片w的背面抵接的膜片4。膜片4由乙丙橡膠(epdm)、聚氨酯橡膠、硅橡膠等強度和耐久性優(yōu)異的橡膠材料形成。

膜片4具有同心狀的多個間隔壁4a，通過這些間隔壁4a而在膜片4的上表面與頂環(huán)主體2的下表面之間形成有多個壓力室(即圓形狀的中心室5、環(huán)狀的波紋室6、環(huán)狀的外室7以及環(huán)狀的邊緣室8)。在頂環(huán)主體2的中心部形成有中心室5，從中心朝向外周方向依次地呈同心狀形成有波紋室6、外室7以及邊緣室8。

晶片w保持于由膜片4構(gòu)成的基板保持面4b。膜片4在與波紋室6對應(yīng)的位置上具有用于吸附晶片的多個孔4h。在本實施例中，孔4h設(shè)置于波紋室6的位置，但也可以設(shè)置于波紋室6以外的位置。在頂環(huán)主體2內(nèi)分別形成有與中心室5連通的流路11、與波紋室6連通的流路12、與外室7連通的流路13以及與邊緣室8連通的流路14。并且，流路11、13、14經(jīng)由轉(zhuǎn)動接頭82分別與流路21、23、24連接。并且，流路21、23、24分別經(jīng)由閥v1-1、v3-1、v4-1和壓力調(diào)節(jié)器r1、r3、r4與加壓氣體供給源30連接。并且，流路21、23、24能夠分別經(jīng)由閥v1-2、v3-2、v4-2與真空源31連接，并且經(jīng)由閥v1-3、v3-3、v4-3與大氣連通。

與波紋室6連通的流路12經(jīng)由轉(zhuǎn)動接頭82與流路22連接。并且，流路22經(jīng)由氣水分離槽35、閥v2-1和壓力調(diào)節(jié)器r2與加壓氣體供給源30連接。并且，流路22能夠經(jīng)由氣水分離槽35和閥v2-2與真空源87連接，并且經(jīng)由閥v2-3與大氣連通。

在擋圈3的正上方配置有由彈性膜形成的環(huán)狀的擋圈加壓室9，擋圈加壓室9經(jīng)由形成在頂環(huán)主體2內(nèi)的流路15和轉(zhuǎn)動接頭82而與流路26連接。并且，流路26經(jīng)由閥v5-1和壓力調(diào)節(jié)器r5而與加壓氣體供給源30連接。并且，流路26能夠經(jīng)由閥v5-2與真空源31連接，并且經(jīng)由閥v5-3與大氣連通。壓力調(diào)節(jié)器r1、r2、r3、r4、r5分別具有對從加壓氣體供給源30供給到中心室5、波紋室6、外室7、邊緣室8以及擋圈加壓室9的氣體(空氣或者氮氣等)的壓力進行調(diào)整的壓力調(diào)整功能。壓力調(diào)節(jié)器r1、r2、r3、r4、r5和各閥v1-1～v1-3、v2-1～v2-3、v3-1～v3-3、v4-1～v4-3、v5-1～v5-3與動作控制部51(參照圖1)連接，而對它們的動作進行控制。并且，在流路21、22、23、24、26分別設(shè)置有壓力傳感器p1、p2、p3、p4、p5和流量傳感器f1、f2、f3、f4、f5。

通過由膜片4構(gòu)成的多個壓力室5、6、7、8內(nèi)的壓力將晶片w按壓于研磨墊20，由此研磨晶片w的表面。多個壓力室(即中心室5、波紋室6、外室7、邊緣室8以及擋圈加壓室9)內(nèi)的壓力由壓力傳感器p1、p2、p3、p4、p5分別測定，供給到中心室5、波紋室6、外室7、邊緣室8以及擋圈加壓室9的加壓氣體的流量由流量傳感器f1、f2、f3、f4、f5分別測定。

在像圖2所示那樣構(gòu)成的頂環(huán)1中，如上所述，在頂環(huán)主體2的中心部形成有中心室5，從中心朝向外周方向依次地呈同心狀形成有波紋室6、外室7以及邊緣室8，能夠通過加壓氣體供給源30和壓力調(diào)節(jié)器r1、r2、r3、r4、r5分別獨立地調(diào)整向這些中心室5、波紋室6、外室7、邊緣室8以及擋圈加壓室9供給的氣體的壓力。通過這樣的構(gòu)造，能夠按照每個晶片的區(qū)域來調(diào)整將晶片w按壓于研磨墊20的按壓力，并且能夠調(diào)整擋圈3按壓研磨墊20的按壓力。

接著，關(guān)于像圖1和圖2所示那樣構(gòu)成的研磨裝置所進行的一系列的研磨處理工序進行說明。

頂環(huán)1在基板交接位置接收晶片w，通過真空吸附進行保持。晶片w的真空吸附是通過由真空源87在多個孔4h內(nèi)形成真空而進行的。保持著晶片w的頂環(huán)1下降到預(yù)先設(shè)定的頂環(huán)1的研磨設(shè)定位置。在該研磨設(shè)定位置上，擋圈3與研磨墊20的研磨面20a接觸，但在研磨前，由于頂環(huán)1對晶片w進行保持，因此在晶片w的下表面(被研磨面)與研磨墊20的研磨面20a之間具有微小的間隙(例如，約1mm)。此時，研磨臺10和頂環(huán)1都被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。在該狀態(tài)下，使位于晶片w的背面?zhèn)鹊哪て?鼓起，使晶片w的下表面與研磨墊20的研磨面20a抵接，使研磨墊20和晶片w相對運動，由此研磨晶片w的表面。

在晶片w的研磨結(jié)束之后，研磨墊20上的晶片w通過真空吸引而被保持于膜片4的基板保持面4b，通過頂環(huán)1而被移動到搬送臺92(后述)的上方位置。并且，晶片w從頂環(huán)1脫離到搬送臺92上。

圖3是表示移動到搬送臺92的上方位置的頂環(huán)1的圖。搬送臺92與研磨臺10相鄰地配置。在使晶片w脫離時，向壓力室5、6、7、8供給氮氣(n2)等氣體，使膜片4鼓起。搬送臺92構(gòu)成為能夠承接從頂環(huán)1脫離的晶片w。

如圖3所示，研磨裝置具有流體噴射系統(tǒng)93，該流體噴射系統(tǒng)93為了使晶片w從膜片4的基板保持面4b脫離，而向晶片w與膜片4之間的間隙噴射流體95。該流體噴射系統(tǒng)93具有：噴射流體95的釋放噴嘴93a；與釋放噴嘴93a連接的流體供給管路93b；安裝于流體供給管路93b的釋放閥93c；以及對釋放閥93c的動作進行控制的閥控制部93d。也可以設(shè)置多個釋放噴嘴93a。流體95例如是由純水等液體和氮氣(n2)等氣體組成的混合流體。流體95從釋放噴嘴93a被噴射到晶片w與膜片4之間的間隙，使晶片w從頂環(huán)1脫離。

在搬送臺92的上表面配置有能夠檢測晶片的多個晶片檢測傳感器(基板檢測傳感器)96。也可以僅設(shè)置1個晶片檢測傳感器，但為了提高晶片檢測精度，優(yōu)選設(shè)置多個晶片檢測傳感器。在本實施方式中，設(shè)置有3個晶片檢測傳感器96。作為晶片檢測傳感器96，可以使用各種類型的傳感器。例如，晶片檢測傳感器96可以是接觸型傳感器、或者也可以是非接觸型傳感器。

控制系統(tǒng)50具有對研磨裝置的各結(jié)構(gòu)要素的動作進行控制的動作控制部51。動作控制部51例如是可編程邏輯控制器(plc)。動作控制部51與以頂環(huán)馬達68和伺服馬達90為代表的裝置內(nèi)的各設(shè)備連接。動作控制部51還與壓力調(diào)節(jié)器r1、r2、r3、r4、r5和各閥v1-1～v1-3、v2-1～v2-3、v3-1～v3-3、v4-1～v4-3、v5-1～v5-3連接。

晶片檢測傳感器96與動作控制部51連接。動作控制部51還與流體噴射系統(tǒng)93的閥控制部93d連接，流體噴射系統(tǒng)93的動作由動作控制部51控制。

當晶片w從頂環(huán)1脫離時，晶片w由搬送臺92承接。當晶片檢測傳感器96對搬送臺92上的晶片w進行檢測時，晶片檢測傳感器96將晶片檢測信號發(fā)送給動作控制部51。該晶片檢測信號(或者基板檢測信號)是表示在搬送臺92上存在晶片w的信號。當動作控制部51接受該晶片檢測信號時，動作控制部51使搬送臺92移動。

如上所述，有時由于膜片4的劣化而引起膜片4大幅伸長。結(jié)果為，流體95的噴流有時無法使晶片w從膜片4脫離。因此，動作控制部51構(gòu)成為在晶片w的脫離失敗的情況下，使流體噴射系統(tǒng)93執(zhí)行再次噴射流體95的重試動作。

控制系統(tǒng)50具有監(jiān)視重試動作的監(jiān)視裝置52。監(jiān)視裝置52與動作控制部51連接。監(jiān)視裝置52也可以配置在與動作控制部51分離的部位。例如，監(jiān)視裝置52也可以經(jīng)由有線通信、無線通信、或者網(wǎng)絡(luò)而與動作控制部51連接。作為監(jiān)視裝置52，也可以使用通用個人計算機。

監(jiān)視裝置52具有：輸入裝置53，該輸入裝置53用于輸入與研磨裝置的結(jié)構(gòu)要素的動作、特別是流體噴射系統(tǒng)93的動作相關(guān)的各種設(shè)定值；存儲裝置55，該存儲裝置55存儲流體噴射系統(tǒng)93的重試動作的歷史信息；以及顯示器54，該顯示器54顯示存儲于存儲裝置55中的歷史信息。上述的各種設(shè)定值包含流體噴射系統(tǒng)93的流體噴射的設(shè)定時間、重試動作的次數(shù)的上限值。經(jīng)由輸入裝置53而輸入監(jiān)視裝置52的設(shè)定值被發(fā)送給動作控制部51。動作控制部51根據(jù)設(shè)定值使流體噴射系統(tǒng)93進行動作。

圖4是用于說明晶片脫離動作的流程圖。在膜片4鼓起的狀態(tài)下，流體噴射系統(tǒng)93開始進行流體95向晶片w與膜片4之間的間隙的噴射(步驟1)。流體噴射系統(tǒng)93的流體噴射在設(shè)定時間的期間內(nèi)進行(步驟2)。該設(shè)定時間由用戶任意地決定，經(jīng)由輸入裝置53被輸入監(jiān)視裝置52。例如，流體噴射的設(shè)定時間是5秒～10秒。

在經(jīng)過了設(shè)定時間之后，動作控制部51判斷晶片檢測傳感器96是否檢測到晶片w(步驟3)。當晶片檢測傳感器96檢測到晶片w時，晶片檢測信號被發(fā)送給動作控制部51。因此，動作控制部51接收到晶片檢測信號意味著完成了晶片w的脫離。在晶片w的脫離失敗的情況下，即在進行了上述設(shè)定時間的流體噴射且晶片檢測傳感器96未檢測到晶片w的情況下，動作控制部51使流體噴射系統(tǒng)93執(zhí)行再次噴射流體95的重試動作。

在即使進行重試動作晶片w還未脫離的情況下，重復(fù)進行重試動作。動作控制部51構(gòu)成為計數(shù)對晶片w進行的重試動作的次數(shù)。經(jīng)由輸入裝置53向監(jiān)視裝置52輸入重試動作的次數(shù)的上限值。該上限值由用戶任意決定。上限值也可以是1。在該情況下，重試動作僅進行1次。也可以在重試動作的次數(shù)達到上限值且晶片檢測傳感器96未檢測到晶片w的情況下，動作控制部51發(fā)出警報信號。

圖5是監(jiān)視重試動作的流程圖。當晶片w的脫離完成時(步驟1)，動作控制部51判斷重試動作的次數(shù)是否為閾值以上(步驟2)。該閾值由用戶任意決定。在一個實施方式中，閾值是1。閾值經(jīng)由輸入裝置53被輸入到監(jiān)視裝置52，進一步被發(fā)送給動作控制部51。在重試動作的次數(shù)為閾值以上的情況下，動作控制部51向監(jiān)視裝置52發(fā)送與重試動作相關(guān)的重試數(shù)據(jù)(步驟3)。該重試數(shù)據(jù)至少包含晶片w的識別號、對該晶片w進行的重試動作的次數(shù)以及流體噴射的設(shè)定時間。晶片w的識別號是指為了特定晶片w而分配給該晶片w的編號。

當監(jiān)視裝置52接受重試數(shù)據(jù)時，監(jiān)視裝置52創(chuàng)建重試動作的歷史信息(步驟4)，由存儲裝置55存儲重試動作的歷史信息。重試動作的歷史信息至少包含對晶片w進行的重試動作的次數(shù)。重試動作的歷史信息還可以包含晶片w的識別號和流體噴射的設(shè)定時間。監(jiān)視裝置52的顯示器54顯示重試動作的歷史信息(步驟5)。

在步驟2中，在重試動作的次數(shù)小于閾值的情況下，動作控制部51不將重試數(shù)據(jù)發(fā)送給監(jiān)視裝置52。在該情況下，未創(chuàng)建重試動作的歷史信息，不存儲于存儲裝置55。

顯示在顯示器54上的重試動作的歷史信息的一例如下所述。

“c1w01；retry＝1；releasetime＝10.0[s]”

這里，“c1w01”表示晶片w的識別號，“retry＝1”表示由流體噴射系統(tǒng)93執(zhí)行的重試動作的次數(shù)是1次，“releasetime＝10.0[s]”表示流體噴射系統(tǒng)93的流體噴射的設(shè)定時間是10.0秒。

由于重試動作的歷史信息被存儲于監(jiān)視裝置52的存儲裝置55，因此能夠簡單地合計重試動作的次數(shù)和流體噴射的時間。用戶能夠根據(jù)存儲在存儲裝置55中的重試動作的歷史信息而了解重試動作的頻率、傾向。因此，用戶能夠適當?shù)嘏袛嗄て?的更換時期。動作控制部51也可以在重試動作的次數(shù)為閾值以上的情況下自動地進行異常通告。

上述的實施方式的記載目的為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員當然能夠?qū)嵤┥鲜鰧嵤┓绞降母鞣N變形例，本發(fā)明的技術(shù)的思想也能夠應(yīng)用于其他的實施方式。因此，本發(fā)明不限于所記載的實施方式，能夠解釋為基于權(quán)利要求的范圍所定義的技術(shù)思想的最大范圍。