本發(fā)明涉及晶片端面研磨墊、晶片端面研磨裝置及晶片端面研磨方法。

背景技術(shù)：

在硅晶片等的半導(dǎo)體等由各種各樣的材質(zhì)構(gòu)成的拋光晶片的制造工序之一中，有將被晶片的正面和背面所夾的晶片端面研磨的工序。該晶片端面研磨工序使用例如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣的研磨裝置，如在本申請(qǐng)的圖8中示意地表示地那樣進(jìn)行。

參照?qǐng)D8，晶片w真空吸附并被保持在可旋轉(zhuǎn)的臺(tái)60上。在臺(tái)的主表面上設(shè)有晶片保持墊62。在能夠與晶片端面接觸的位置上，配置三種晶片端面研磨墊（研磨布）70a、70b、70c。研磨墊70a將晶片的端面的與晶片的吸附面相鄰的下斜面區(qū)域研磨。研磨墊70b將晶片的端面的、與和晶片的吸附面相反的一側(cè)的面相鄰的上斜面區(qū)域研磨。研磨墊70c將晶片的端面的被下斜面區(qū)域和上斜面區(qū)域所夾的最外周區(qū)域研磨。在圖8中示意地將這些研磨墊重疊描繪，但實(shí)際上配置在沿著晶片外周方向的不同的位置。從噴嘴68向晶片表面供給漿液。在該狀態(tài)下，一邊使晶片w在既定方向上旋轉(zhuǎn)，一邊使研磨墊70a、70b、70c與晶片端面接觸而使其向相反方向旋轉(zhuǎn)，由此將晶片端面研磨。通過晶片w的旋轉(zhuǎn)，將漿液向晶片端面供給。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2009－297842號(hào)公報(bào)。

本發(fā)明人們非常注意地觀察了端面研磨的狀況，發(fā)現(xiàn)如在圖8中示意地表示那樣，被供給到晶片端面上的漿液從研磨墊70a、70b、70c（特別是將下斜面區(qū)域研磨的研磨墊70a）向臺(tái)60的外周端的方向飛散。明確了以下情況，這樣飛散的漿液進(jìn)入到晶片w與晶片保持墊62之間，其一部分沒有被從其之間排出而固態(tài)化并積蓄。在晶片保持墊62上固態(tài)化而積蓄的漿液與新被保持的晶片w擦碰，使其背面產(chǎn)生損傷。該損傷在晶片檢查工序中被作為亮點(diǎn)缺陷（lpd，lightpointdefect）檢測(cè)到，使晶片品質(zhì)劣化。特別是，近年來減少晶片背面的亮點(diǎn)缺陷也被作為重要的晶片品質(zhì)之一被要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

所以，本發(fā)明鑒于上述問題，目的是提供一種能夠抑制漿液的飛散、減少端面研磨后的晶片的背面的亮點(diǎn)缺陷的晶片端面研磨墊、晶片端面研磨裝置及晶片端面研磨方法。

本發(fā)明人們著眼于從精心設(shè)計(jì)端面研磨墊的形狀的觀點(diǎn)解決上述問題而進(jìn)行了專門研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過在端面研磨墊上設(shè)置槽，漿液的大半被槽導(dǎo)引，容易落下到該墊的下方，結(jié)果漿液變得不易向臺(tái)的外周端的方向飛散。周知有在將晶片的正面或背面研磨的研磨墊上設(shè)置槽來提高漿液供給效率的技術(shù)，但在晶片端面研磨的情況下，由于漿液容易被供給到加工點(diǎn)，所以以往沒有認(rèn)識(shí)到在晶片端面研磨墊上設(shè)置槽的必要性。本發(fā)明人們基于漿液的飛散抑制的新的問題認(rèn)識(shí)，得到了在端面研磨墊上設(shè)置槽的想法，完成了本發(fā)明。

本發(fā)明是基于上述認(rèn)識(shí)的，其主旨結(jié)構(gòu)是以下這樣的。

（1）一種晶片端面研磨墊，前述墊的由正面及背面構(gòu)成的主面的形狀為大致矩形，前述墊用于將晶片的端面研磨，其特征在于，多條槽以在前述墊的長(zhǎng)邊方向上隔開間隔的方式，沿著前述墊的短邊方向配置，前述多條槽在前述墊的短邊方向兩端開口。

（2）如上述（1）所述的晶片端面研磨墊，前述槽筆直地延伸。

（3）如上述（2）所述的晶片端面研磨墊，前述槽的延伸方向和前述墊的短邊方向所成的角為0~60度。

（4）如上述（1）～（3）中任一項(xiàng)所述的晶片端面研磨墊，前述墊的短邊方向長(zhǎng)度是23～27mm，前述墊的長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度是62～66mm。

（5）如上述（1）～（4）中任一項(xiàng)所述的晶片端面研磨墊，前述主面的形狀是矩形。

（6）如上述（1）～（4）中任一項(xiàng)所述的晶片端面研磨墊，前述主面的形狀是一組長(zhǎng)邊相互平行、兩個(gè)短邊與前述長(zhǎng)邊中的較長(zhǎng)的邊所成的角分別為85～95度的形狀。

（7）如上述（1）～（4）中任一項(xiàng)所述的晶片端面研磨墊，前述主面的形狀是，外側(cè)長(zhǎng)邊及內(nèi)側(cè)長(zhǎng)邊為以兩個(gè)短邊的延長(zhǎng)線的交點(diǎn)為中心的圓的一部分的形狀。

（8）一種晶片端面研磨裝置，具有：臺(tái)，能夠一邊將晶片真空吸附來保持，一邊旋轉(zhuǎn)；墊，配置在能夠與前述晶片的端面接觸的位置；漿液供給機(jī)構(gòu)，向前述晶片的端面供給漿液；將由前述臺(tái)旋轉(zhuǎn)的前述晶片的端面用前述墊研磨；其特征在于，前述墊是上述（1）～（7）中任一項(xiàng)所述的晶片端面研磨墊，前述晶片的旋轉(zhuǎn)方向和前述晶片端面研磨墊的長(zhǎng)度方向一致。

（9）一種晶片端面研磨裝置，具有：臺(tái)，能夠一邊將晶片真空吸附來保持，一邊旋轉(zhuǎn)；墊，配置在能夠與前述晶片的端面接觸的位置；漿液供給機(jī)構(gòu)，向前述晶片的端面供給漿液；將由前述臺(tái)旋轉(zhuǎn)的前述晶片的端面用前述墊研磨；其特征在于，前述墊具有第一墊、第二墊和第三墊，前述第一墊將前述晶片的端面的與前述晶片的吸附面相鄰的下斜面區(qū)域研磨，前述第二墊將前述晶片的端面的上斜面區(qū)域研磨，前述上斜面區(qū)域與和前述晶片的吸附面相反的一側(cè)的面相鄰，前述第三墊將前述晶片的端面的被前述下斜面區(qū)域和前述上斜面區(qū)域所夾的最外周區(qū)域研磨；至少前述第一墊是上述（1）～（7）中任一項(xiàng)所述的晶片端面研磨墊。

（10）一種晶片端面研磨方法，使用晶片端面研磨裝置，前述晶片端面研磨裝置具有臺(tái)、墊和漿液供給機(jī)構(gòu)，前述臺(tái)能夠一邊將晶片真空吸附來保持，一邊旋轉(zhuǎn)，前述墊配置在能夠與前述晶片的端面接觸的位置，前述漿液供給機(jī)構(gòu)向前述晶片的端面供給漿液，將由前述臺(tái)旋轉(zhuǎn)的前述晶片的端面用前述墊研磨，其特征在于，前述墊是上述（1）～（7）中任一項(xiàng)所述的晶片端面研磨墊，前述晶片的旋轉(zhuǎn)方向與前述晶片端面研磨墊的長(zhǎng)邊方向一致。

根據(jù)本發(fā)明的晶片端面研磨墊、晶片端面研磨裝置及晶片端面研磨方法，由于漿液的飛散被抑制，所以端面研磨后的晶片的背面的亮點(diǎn)缺陷被減少。

附圖說明

圖1（a）是本發(fā)明的一實(shí)施方式的晶片端面研磨墊10的示意立體圖，圖1（b）是該墊10的示意俯視圖。

圖2是本發(fā)明的其他實(shí)施方式的晶片端面研磨墊20的示意俯視圖。

圖3是本發(fā)明的再又一其他實(shí)施方式的晶片端面研磨墊30的示意俯視圖。

圖4是本發(fā)明的再又一其他實(shí)施方式的晶片端面研磨墊40的示意俯視圖。

圖5是本發(fā)明的再又一其他實(shí)施方式的晶片端面研磨墊50的示意俯視圖。

圖6（a）是本發(fā)明的一實(shí)施方式的晶片端面研磨裝置100的示意俯視圖，圖6（b）是圖6（a）的i－i剖視圖，圖6（c）是圖6（a）的ii－ii剖視圖，圖6（d）是圖6（a）的iii－iii剖視圖。

圖7（a）是本發(fā)明的其他實(shí)施方式的晶片端面研磨裝置200的示意俯視圖，圖7（b）是圖7（a）的i－o－i剖視圖。

圖8是以往的晶片端面研磨裝置300的示意圖。

具體實(shí)施方式

（晶片端面研磨裝置及晶片端面研磨方法）

首先，參照?qǐng)D6及圖7，說明本發(fā)明的實(shí)施方式的晶片端面研磨裝置及晶片端面研磨方法。

參照?qǐng)D6（a）～圖6（d），本發(fā)明的一實(shí)施方式的晶片端面研磨裝置100具有臺(tái)60、墊66a、66b、66c（端面研磨墊）和漿液供給機(jī)構(gòu)，前述臺(tái)60能夠一邊將晶片w真空吸附來保持，一邊旋轉(zhuǎn)，前述墊66a、66b、66c（端面研磨墊）配置在能夠與晶片w的端面接觸的位置，前述漿液供給機(jī)構(gòu)向晶片w的端面供給漿液。噴嘴68構(gòu)成漿液供給機(jī)構(gòu)的一部分，使?jié){液向晶片表面落下。

臺(tái)60在其主表面上粘貼著晶片保持墊62，將晶片w真空吸附而保持。在能夠與晶片端面接觸的位置，配置三種晶片端面研磨墊（研磨布）66a、66b、66c。第一研磨墊66a將晶片的端面的與晶片的吸附面相鄰的下斜面區(qū)域研磨。第二研磨墊66b將晶片的端面的與和晶片的吸附面相反的一側(cè)的面相鄰的上斜面區(qū)域研磨。第三研磨墊66c將晶片的端面的被下斜面區(qū)域和上斜面區(qū)域所夾的最外周區(qū)域研磨。研磨墊66a、66b、66c分別被粘貼、固定在第一墊保持體64a、第二墊保持體64b及第三墊保持體64c上。

如圖6（a）所示，研磨墊66a、66b、66c配置在沿著晶片外周方向的不同的位置。在本實(shí)施方式中，合計(jì)12個(gè)研磨墊以將晶片外周包圍的方式配置，下斜面區(qū)域用的第一研磨墊66a、上斜面區(qū)域用的第二研磨墊66b、最外周區(qū)域用的第三研磨墊66c分別以等間隔配置有各4個(gè)。這在晶片w的直徑是300mm的情況下是優(yōu)選的。研磨墊66a、66b、66c為了使與晶片端面的接觸面積成為最大，沿著晶片外周彎曲而配置。研磨墊66a、66b、66c的配置的順序并不限定于圖6的順序。

研磨墊66a、66b、66c相對(duì)于鉛直方向的傾斜角度沒有被特別限定，設(shè)順時(shí)針為正，在圖4（b）的第二研磨墊66b的情況下為－65～－45度左右，在圖4（c）的第一研磨墊66a的情況下為45～65度左右，在圖4（d）的第三研磨墊66c的情況下為－5～5度左右，優(yōu)選的是0度。

臺(tái)60的直徑?jīng)]有被特別限定，在將直徑300mm的晶片的端面研磨的情況下可以設(shè)為280±5mm左右，在將直徑450mm的晶片的端面研磨的情況下可以設(shè)為430±5mm。

在此狀態(tài)下，一邊使臺(tái)60旋轉(zhuǎn)而使晶片w向既定方向旋轉(zhuǎn)，一邊使研磨墊66a、66b、66c與晶片端面接觸，使其向相反方向旋轉(zhuǎn)，由此用研磨墊66a、66b、66c將晶片端面研磨。借助晶片w的旋轉(zhuǎn)，將漿液向晶片端面供給。使研磨墊66a、66b、66c與晶片端面接觸的機(jī)構(gòu)沒有被特別限定，可以使用例如在特開2009－297842號(hào)公報(bào)中記載那樣的周知的機(jī)構(gòu)。

端面研磨墊的配置并不限定于本實(shí)施方式，作為變形例，也可以舉出例如圖7所示的配置。在圖7所示的晶片端面研磨裝置200中，合計(jì)6個(gè)研磨墊以將晶片外周包圍的方式配置，下斜面區(qū)域用的第一研磨墊66a、上斜面區(qū)域用的第二研磨墊66b、最外周區(qū)域用的第三研磨墊66c分別以等間隔配置有各兩個(gè)。這也在晶片w的直徑是300mm的情況下是優(yōu)選的。

除此以外，在晶片w的直徑是450mm的情況下，也可以是合計(jì)18個(gè)研磨墊以將晶片外周包圍的方式配置，第一研磨墊、第二研磨墊、第三研磨墊分別以等間隔配置有各6個(gè)。

在本實(shí)施方式中，以將上述說明的研磨墊66a、66b、66c的至少一個(gè)作為以下說明的本發(fā)明的實(shí)施方式的晶片端面研磨墊為特征。

（晶片端面研磨墊）

參照?qǐng)D1（a）、圖1（b），本發(fā)明的一實(shí)施方式的用于將晶片的端面研磨的端面研磨墊10是如下的墊，前述墊10的由正面11a及背面11b構(gòu)成的主面的形狀為矩形，其特征在于，多條槽14以在墊的長(zhǎng)邊方向y上隔開間隔的方式，沿著墊的短邊方向x配置，前述多條槽12在墊的短邊方向x兩端12a、12b開口。該端面研磨墊在上述端面研磨裝置100、200中，被作為第一研磨墊66a、第二研磨墊66b及第三研磨墊66c的至少一個(gè)使用。特別是，優(yōu)選地作為下斜面部區(qū)域用的第一研磨墊66a使用。此時(shí)，端面研磨墊10配置成，晶片w的旋轉(zhuǎn)方向與墊的長(zhǎng)邊方向y一致。此外，當(dāng)設(shè)端面研磨墊10的兩主面的設(shè)有槽的面為正面11a、設(shè)其相反面為背面11b時(shí)，正面11a與晶片端面相對(duì)而接觸。通過在該狀態(tài)下進(jìn)行晶片w的端面研磨，漿液的大半被槽14導(dǎo)引，容易落下到該端面研磨墊10的下方，結(jié)果，漿液變得不易向臺(tái)的外周端的方向飛散。因此，端面研磨后的晶片w的背面上的亮點(diǎn)缺陷被減少。進(jìn)而，通過使晶片保持墊62的使用壽命變長(zhǎng)，能夠降低資材成本，能夠防止伴隨著更換墊的生產(chǎn)性的下降。關(guān)于第二研磨墊66b及第三研磨墊66c，也可以使用以往的端面研磨墊，但如果使用本實(shí)施方式的端面研磨墊10，則能夠進(jìn)一步抑制漿液的飛散，所以是優(yōu)選的。

端面研磨墊10的材質(zhì)只要為無紡布等通常的材質(zhì)就可以，例如可以為使聚酯纖維中含浸聚氨酯樹脂的材質(zhì)，硬度（asker－c）優(yōu)選的是設(shè)為70～85左右。

作為端面研磨墊10的尺寸，只要比晶片的正面或背面小就可以，沒有被特別限定，但墊的短邊方向長(zhǎng)度d優(yōu)選的是設(shè)為23～27mm，端面研磨裝置具有使臺(tái)60在鉛直方向上擺動(dòng)而使端面研磨墊10的角度搖擺的機(jī)構(gòu)，匹配于擺動(dòng)幅度，晶片在墊的短邊方向x的既定寬度的區(qū)域內(nèi)行進(jìn)（后述的端面研磨區(qū)域s）。因此，如果長(zhǎng)度d過短，則端面研磨區(qū)域s在墊10內(nèi)所占的比率變高，有可能不能進(jìn)行穩(wěn)定的研磨。此外，如果長(zhǎng)度d過長(zhǎng)，則有可能墊10與臺(tái)60等干涉，或漿液向臺(tái)的飛散變多。此外，墊的長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度l也取決于端面研磨裝置的類型，但在將墊10應(yīng)用于300mm晶片用的圖6的情況下優(yōu)選的是設(shè)為62～66mm，在圖7的情況下優(yōu)選的是設(shè)為124～132mm。此外，在450mm晶片用的端面研磨裝置中使用合計(jì)18個(gè)研磨墊的情況下，優(yōu)選的是設(shè)為62～66mm。端面研磨墊10的厚度可以設(shè)為2.8～3.2mm左右。

作為端面研磨墊的形狀，只要主面的形狀是大致矩形就沒有被特別限定。例如如圖2的端面研磨墊20所示，主面的形狀也可以為一組長(zhǎng)邊13a、13b相互平行、兩個(gè)短邊13c、13d與長(zhǎng)邊中的較長(zhǎng)的邊13b所成的角θ1及θ2分別是85～95度的形狀（以長(zhǎng)方形為基準(zhǔn)、將短邊在±5度的范圍中傾斜的形狀）。

此外，如圖3的端面研磨墊30所示，主面的形狀也可以是年輪蛋糕形狀。在此情況下，優(yōu)選的是，外側(cè)長(zhǎng)邊13a及內(nèi)側(cè)長(zhǎng)邊13b為以兩個(gè)短邊13c、13d的延長(zhǎng)線的交點(diǎn)o為中心的圓的一部分，長(zhǎng)徑r1（中心o與外側(cè)長(zhǎng)邊13a的距離）為188～192mm，短徑r2（中心o與內(nèi)側(cè)長(zhǎng)邊13b的距離）為149～151mm，中心角θ3為37.5～39.5度。

參照?qǐng)D1（b），端面研磨區(qū)域s（即，墊的正面11a內(nèi)的與晶片端面的接觸區(qū)域）以距墊的短邊方向x兩端處于等距離的中心線為中心線，在墊的短邊方向長(zhǎng)度d的50%～60%的長(zhǎng)度的區(qū)域中延伸。雖然以槽14與該端面研磨區(qū)域s交叉的方式配置，但本發(fā)明人們確認(rèn)了幾乎沒有發(fā)生由槽帶來的研磨速率的下降。

關(guān)于槽的形狀、與槽的延伸方向垂直的截面形狀、槽寬、相鄰的槽間的間隔及槽的條數(shù)等，只要考慮排出漿液的效率而適當(dāng)設(shè)定就可以。

關(guān)于槽的形狀，如圖1~3所示，從漿液排出效率的觀點(diǎn)及槽形成加工的容易性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選的是槽筆直地延伸。但是，本發(fā)明并不限定于此，槽也可以彎曲。

槽的與延伸方向垂直的截面形狀從漿液排出效率的觀點(diǎn)及槽形成加工的容易性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選的是如本實(shí)施方式那樣，為由與墊的主面平行的槽底、和相對(duì)于墊的主面垂直的兩個(gè)槽壁構(gòu)成的形狀。但是，本發(fā)明并不限定于此，截面形狀也可以如半圓或半橢圓那樣彎曲。

橫寬優(yōu)選的是0.5～2.0mm。通過設(shè)為0.5mm以上，能夠充分地得到漿液的排出效率，通過設(shè)為2.0mm以下，不會(huì)發(fā)生因槽的有無帶來的轉(zhuǎn)印（研磨不勻）。

相鄰的槽間的間隔（槽底中心線彼此的間隔）優(yōu)選的是設(shè)為5～20mm。通過設(shè)為5mm以上，保持墊的強(qiáng)度，通過設(shè)為20mm以下，能夠充分地得到漿液的排出效率。多條槽優(yōu)選的是以等間隔配置。

在圖1所示的端面研磨墊10中，槽14的延伸方向與墊的短邊方向x所成的角是0度，這從漿液排出效率的觀點(diǎn)及槽形成加工的容易性的觀點(diǎn)來看是優(yōu)選的。但是，本發(fā)明并不限定于此，也可以是如圖4及圖5所示的端面研磨墊40、50那樣，筆直地延伸的槽16、18相對(duì)于墊的短邊方向x傾斜。此時(shí)，槽的延伸方向與墊的短邊方向所成的角θ4優(yōu)選的是0～60度，更優(yōu)選的是30度以下。通過設(shè)為60度以下，能夠充分得到漿液的排出效率，并且晶片w的端面不會(huì)嵌到槽中。

［實(shí)施例］

（發(fā)明例1）

將圖1所示的主面為矩形的端面研磨墊10以其短邊方向一端12a位于鉛直方向上側(cè)、另一端12b位于鉛直方向下側(cè)的方式，粘貼到圖6所示的端面研磨裝置的墊保持體64a上，進(jìn)行將直徑300mm的硅晶片的端面研磨的試驗(yàn)。端面研磨墊為使聚酯纖維含浸聚氨酯樹脂的材質(zhì)，厚度為3.0mm，短邊方向長(zhǎng)度d為25mm，長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度l為64mm。橫寬為1mm，相鄰的槽間的間隔為7mm，槽的條數(shù)為7條。在這樣的條件下，以將膠態(tài)硅石（sio2）5%用氫氧化鉀（koh）1500ppm調(diào)整后的水溶液（ph：10～11.2）為漿液向晶片端面供給，使晶片轉(zhuǎn)速為10rpm，端面研磨墊的轉(zhuǎn)速為350rpm，依次進(jìn)行端面研磨，合計(jì)進(jìn)行了300片硅晶片的端面研磨。

（發(fā)明例2）

除了使用圖4所示的矩形的端面研磨墊40以外，與發(fā)明例1同樣地進(jìn)行試驗(yàn)。槽的θ4為30度。槽寬、相鄰的槽間的間隔及槽的條數(shù)與發(fā)明例1相同。

（比較例）

除了使用不具有槽的矩形的端面研磨墊以外，與發(fā)明例1同樣地進(jìn)行試驗(yàn)。

（背面亮點(diǎn)缺陷的評(píng)價(jià)）

將研磨后的硅晶片的背面的亮點(diǎn)缺陷個(gè)數(shù)用以下的方法評(píng)價(jià)。使用表面缺陷檢查裝置（kla－tencor公司制：surfscansp－2），用dwo模式（darkfieldwideoblique模式：暗視野·寬·斜入射模式）將硅晶片的背面觀察評(píng)價(jià)，調(diào)查了尺寸（直徑）為120nm以上的亮點(diǎn)缺陷的發(fā)生狀況。將結(jié)果表示在表1中。

［表1］

根據(jù)表1可知，相對(duì)于在比較例中隨著研磨片數(shù)增加而亮點(diǎn)缺陷個(gè)數(shù)增加，在發(fā)明例1、2中，即使研磨片數(shù)增加，亮點(diǎn)缺陷個(gè)數(shù)也被抑制得較低。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

根據(jù)本發(fā)明的晶片端面研磨墊、晶片端面研磨裝置及晶片端面研磨方法，由于漿液的飛散被抑制，所以使端面研磨后的晶片的背面的亮點(diǎn)缺陷減少。

附圖標(biāo)記說明

10、20、30、40、50晶片端面研磨墊

11a正面

11b背面

12a、12b短邊方向兩端

14、16、18槽

x墊的短邊方向

y墊的長(zhǎng)邊方向

θ4槽的延伸方向和墊的短邊方向所成的角

l墊的長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度

d墊的短邊方向長(zhǎng)度

s端面研磨區(qū)域（與端面的接觸區(qū)域）

100、200晶片端面研磨裝置

60臺(tái)

62晶片保持墊

64a第一墊保持體（下斜面區(qū)域用）

64b第二墊保持體（上斜面區(qū)域用）

64c第三墊保持體（最外周區(qū)域用）

66a第一研磨墊（下斜面區(qū)域用）

66b第二研磨墊（上斜面區(qū)域用）

66c第三研磨墊（最外周區(qū)域用）

68噴嘴（漿液供給機(jī)構(gòu)）

w晶片。