本發(fā)明屬于液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室及其清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法。

背景技術(shù)：

在目前的液晶顯示面板的陣列基板制造過程中，成膜機(jī)臺(tái)主要有2中，分別為pvd(physicalvapordeposition物理氣相沉積)機(jī)臺(tái)和cvd(chemicalvapordeposition化學(xué)氣相沉積)機(jī)臺(tái)，其中pvd通過物理濺射沉積(也稱為物理氣相沉積)方法沉積mo、al、ti、cu等金屬膜和ito(indiumtinoxide氧化銦錫)、igzo(indiumgalliumzincoxide銦鎵鋅氧化物)等半導(dǎo)體膜；cvd通過化學(xué)氣相沉積方法沉積sinx(硅的氮化物)、siox(硅的氧化物)、a-si(無定形硅，非晶硅)等非金屬膜；目前cvd機(jī)臺(tái)成膜過程中，陣列基板表面及化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁同時(shí)長(zhǎng)膜，當(dāng)生產(chǎn)一定數(shù)量的陣列基板后，化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)壁的薄膜累計(jì)超過一定厚度時(shí)會(huì)發(fā)生脫落，影響成膜品質(zhì)；因此使用過程中通常會(huì)在生產(chǎn)一定數(shù)量的陣列基板后進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)壁的清洗，清除化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積的薄膜。目前該清洗過程沒有實(shí)時(shí)監(jiān)控，通常根據(jù)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行特定時(shí)間的清洗即開始生產(chǎn)，無法準(zhǔn)確判斷清洗終點(diǎn)，使用過程中常發(fā)生清洗不干凈的問題，甚至當(dāng)清洗過程發(fā)生異常時(shí)也不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)，進(jìn)而會(huì)影響最終的成膜品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述現(xiàn)有技術(shù)中無法準(zhǔn)確判斷清洗終點(diǎn)，使用過程中常發(fā)生清洗不干凈的問題，甚至當(dāng)清洗過程發(fā)生異常時(shí)也不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)，進(jìn)而會(huì)影響最終的成膜品質(zhì)的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室及其清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法，具體方案如下：

一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室，所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室的四周和底部的內(nèi)壁上分別內(nèi)嵌一個(gè)石英晶震片；

所述石英晶震片包括電極鍍膜層，所述電極鍍膜層與化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)部連通，在所述電極鍍膜層上形成堆積膜層，所述石英晶震片的頻率隨著堆積膜層的厚度的變化而變化；

頻率監(jiān)測(cè)器，所述頻率監(jiān)測(cè)器與石英晶震片連接，利用所述頻率檢測(cè)器檢測(cè)石英晶震片的頻率；

控制器，所述控制器與頻率監(jiān)測(cè)器相連，頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率值上傳到控制器，所述控制器根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度的變化以判斷清洗終點(diǎn)時(shí)間。

優(yōu)選的，所述控制器將頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率值與預(yù)設(shè)值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷清洗起點(diǎn)時(shí)間；

其中，所述預(yù)設(shè)值包括第一工作頻率和第二工作頻率；

記錄所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作且尚未進(jìn)行生產(chǎn)前，頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率，以作為第一工作頻率，所述第一工作頻率作為清洗終點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到控制器中；

記錄所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作且根據(jù)產(chǎn)品檢測(cè)狀況，當(dāng)生產(chǎn)一定數(shù)量的產(chǎn)品后需要對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗時(shí)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率，以作為第二工作頻率，所述第二工作頻率作為清洗起始點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到控制器中。

優(yōu)選的，所述電極鍍膜層的檢測(cè)面與化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)壁的內(nèi)表面齊平。

一種如上所述的化學(xué)氣相沉積工藝腔室的清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述控制器根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度的變化以判斷清洗終點(diǎn)時(shí)間。

優(yōu)選的，當(dāng)所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作且尚未進(jìn)行生產(chǎn)前，頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率為第一工作頻率，所述第一工作頻率作為清洗終點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到控制器中。

優(yōu)選的，在后續(xù)使用化學(xué)氣相沉積工藝的過程中，當(dāng)控制器接收到的頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率達(dá)到第一工作頻率時(shí)，所述控制器關(guān)閉清洗設(shè)備，停止清洗工作。

優(yōu)選的，所述控制器根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度的變化并準(zhǔn)確判斷清洗起始點(diǎn)時(shí)間。

優(yōu)選的，當(dāng)所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作且根據(jù)產(chǎn)品檢測(cè)狀況，當(dāng)生產(chǎn)一定數(shù)量的產(chǎn)品后需要對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗時(shí)，頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率為第二工作頻率，所述第二工作頻率作為清洗起始點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到控制器中。

優(yōu)選的，在后續(xù)使用化學(xué)氣相沉積工藝的過程中當(dāng)控制器接收到的頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率達(dá)到第二工作頻率，且產(chǎn)品生產(chǎn)工藝流程結(jié)束時(shí)，控制器開啟清洗設(shè)備，對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗。

優(yōu)選的，將化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁開始清洗到清洗結(jié)束的最大時(shí)間差設(shè)置到控制器中，若當(dāng)前時(shí)間與開始清洗的時(shí)間差大于最大時(shí)間差，且在此期間控制器沒有判斷出清洗終點(diǎn)，則認(rèn)定為清洗異常。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室及其清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法，通過在化學(xué)氣相沉積工藝腔室的四周和底部的內(nèi)壁上分別內(nèi)嵌一個(gè)石英晶震片，并將石英晶震片的電極鍍膜層與化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)部聯(lián)通；在電極鍍膜層上形成堆積膜層，所述石英晶震片的頻率隨著堆積膜層厚度的變化而變化，頻率監(jiān)測(cè)器用以測(cè)量石英晶震片的頻率，頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率值上傳到控制器控制器根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁膜厚的變化并準(zhǔn)確判斷清洗終點(diǎn)。利用本發(fā)明對(duì)清洗終點(diǎn)進(jìn)行監(jiān)測(cè)，所得結(jié)果準(zhǔn)確無誤，保證了化學(xué)氣相沉積工藝腔室的清潔度和產(chǎn)品良率。

附圖說明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中：

圖1為本發(fā)明中石英晶震片在化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)的安裝分布示意圖；

圖2為本發(fā)明工作原理示意圖；

圖3為本發(fā)明中石英晶震片電極鍍膜層的檢測(cè)面與化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)壁的內(nèi)側(cè)面的相對(duì)位置示意圖。

在附圖中，相同的部件采用相同的附圖標(biāo)記，附圖并未按實(shí)際比例繪制。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。

實(shí)施例一

如圖1--圖3所示，本實(shí)施列提供一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室，該工藝腔室內(nèi)壁3共為六個(gè)，圖1示出了其中的三個(gè)內(nèi)壁，分別為內(nèi)壁3a、內(nèi)壁3b和內(nèi)壁3c。在該化學(xué)氣相沉積工藝腔室的四周的內(nèi)壁3a、內(nèi)壁3b、與內(nèi)壁3a相對(duì)的內(nèi)壁、與內(nèi)壁3b相對(duì)的內(nèi)壁以及與頂部?jī)?nèi)壁3c相對(duì)的底部的內(nèi)壁上分別內(nèi)嵌一個(gè)石英晶震片2，頂部?jī)?nèi)壁3c上設(shè)有工藝氣體的出口位置(圖中未示出)，故頂部?jī)?nèi)壁3c上沒有安裝石英晶震片2。優(yōu)選的，如圖1所示，石英晶震片2均安裝于其所在內(nèi)壁的正中間，此位置所測(cè)得的化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層的厚度更為準(zhǔn)確。如圖2所示，石英晶震片2均與頻率監(jiān)測(cè)器6相連，具體的，頻率檢測(cè)器6與石英晶震片2的電極鍍膜層5電聯(lián)接，電極鍍膜層5與化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)部連通，當(dāng)工藝腔室的內(nèi)壁3上因沉積而出現(xiàn)堆積膜層時(shí)，石英晶震片2的電極鍍膜層5的檢測(cè)面7上也會(huì)相應(yīng)的因沉積而出現(xiàn)堆積膜層4，石英晶震片2的頻率會(huì)隨著堆積膜層4厚度的變化而不同，并通過頻率監(jiān)測(cè)器6實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)到該頻率。因此，通過頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率變化就可以知道相應(yīng)的堆積膜層4的厚度的厚度變化，頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率上傳到控制器，控制器根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度的變化以判斷清終起點(diǎn)時(shí)間。

優(yōu)選的，將頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率值與預(yù)設(shè)值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷清洗起點(diǎn)時(shí)間。其中，所述預(yù)設(shè)值包括第一工作頻率和第二工作頻率。記錄所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作且尚未進(jìn)行生產(chǎn)前，頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率，以作為第一工作頻率，所述第一工作頻率作為清洗終點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到控制器中。記錄所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作且根據(jù)產(chǎn)品檢測(cè)狀況，當(dāng)生產(chǎn)一定數(shù)量的產(chǎn)品后需要對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗時(shí)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率，以作為第二工作頻率，所述第二工作頻率作為清洗起始點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到控制器中。如此，則控制器即能根據(jù)第一工作頻率判斷清洗終點(diǎn)時(shí)間，還能根據(jù)第二工作頻率判斷清洗終點(diǎn)時(shí)間。。

優(yōu)選的，如圖3所示，石英晶震片2的電極鍍膜層5的檢測(cè)面7與工藝腔室內(nèi)壁3的內(nèi)表面8齊平，如此，則石英晶震片2的電極鍍膜層5的檢測(cè)面7上所沉積的堆積膜層4的厚度與工藝腔室內(nèi)壁3上所沉積的堆積膜層的厚度一致，從而使得清洗終點(diǎn)的判斷更加準(zhǔn)確。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室的清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法，該方法利用實(shí)施例一中所提供的化學(xué)氣相沉積工藝腔室，控制器根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度的變化以判斷清洗終點(diǎn)時(shí)間。本實(shí)施例中所述的化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度均為石英晶震片2的檢測(cè)面7上的堆積膜層4的厚度。

優(yōu)選的，本實(shí)施例以化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作且尚未進(jìn)行生產(chǎn)前，頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率為第一工作頻率，此時(shí)化學(xué)氣相沉積工藝腔內(nèi)是完全潔凈的，相當(dāng)于是清洗完成的最終狀態(tài)，也就是清洗終點(diǎn)。將第一工作頻率作為清洗終點(diǎn)的判斷基準(zhǔn)設(shè)置到cvd機(jī)臺(tái)的控制器中。

后續(xù)的，當(dāng)陣列基板在化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)進(jìn)行工藝處理過程中，化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度，也就是圖2所示堆積膜層4的厚度會(huì)不斷增加，堆積膜層4的厚度超過一定值時(shí)會(huì)脫落，造成對(duì)陣列基板污染。工作人員對(duì)生產(chǎn)出的陣列基板都會(huì)進(jìn)行污染物檢測(cè)，當(dāng)根據(jù)所檢測(cè)的陣列基板的污染程度確定需要對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗時(shí)，打開清洗設(shè)備，進(jìn)行相關(guān)清洗操作，堆積膜層4的厚度因此會(huì)不斷減小，直至完全清洗干凈，在此過程中，控制器接收到的頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率會(huì)因堆積膜層4的厚度的變化而變化，并不斷接近第一工作頻率。當(dāng)控制器接收到的頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率等于第一工作頻率時(shí)，即到達(dá)清洗終點(diǎn)，化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁已完全清洗干凈。此時(shí)控制器關(guān)閉清洗設(shè)備，停止清洗工作。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室的清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法，該方法利用實(shí)施例一中所提供的化學(xué)氣相沉積工藝腔室，同時(shí)設(shè)置清洗起始點(diǎn)判斷基準(zhǔn)和清洗終點(diǎn)判斷基準(zhǔn)，且根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度的變化，也就是圖2所示的堆積膜層4的厚度的變化，進(jìn)而不僅可以準(zhǔn)確判斷清洗終點(diǎn)還可以準(zhǔn)確判斷清洗起始點(diǎn)。本實(shí)施例中所述的化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度均為石英晶震片2的檢測(cè)面7上的堆積膜層4的厚度。

優(yōu)選的，根據(jù)實(shí)施例二所述的方式確定第一工作頻率，并將第一工作頻率作為清洗終點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到控制器中。再者，當(dāng)所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作，陣列基板在化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)進(jìn)行工藝處理時(shí)，化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁的堆積膜層的厚度不斷增加，過厚時(shí)，會(huì)引起脫落，污染陣列基板，生產(chǎn)出的陣列基板都會(huì)進(jìn)行污染物狀況檢測(cè)，工作人員根據(jù)檢測(cè)到的陣列基板的污染物狀況來判斷是否需要對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗。當(dāng)生產(chǎn)一定數(shù)量的陣列基板后，根據(jù)檢測(cè)結(jié)果需要對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗時(shí)，記錄下此時(shí)頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率，并將此頻率作為第二工作頻率。將第二工作頻率作為清洗起始點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到cvd機(jī)臺(tái)的控制器中。

在后續(xù)使用化學(xué)氣相沉積工藝的過程中，頻率監(jiān)測(cè)器6實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)石英晶震器2的頻率變化。當(dāng)控制器接收的頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率等于第二工作頻率時(shí)，表明到達(dá)清洗起始點(diǎn)，氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁膜厚已超過一定厚度，開始脫落，需要對(duì)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗操作。此時(shí)若氣相沉積工藝腔室內(nèi)工藝處理正在進(jìn)行，則待工藝處理結(jié)束后控制器開啟清洗設(shè)備，若此時(shí)工藝處理已經(jīng)結(jié)束則控制器立即開啟清洗設(shè)備，對(duì)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗，在此過程中堆積膜層4的厚度會(huì)不斷減小，直至完全清理干凈，頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率也會(huì)相應(yīng)變化，當(dāng)控制器接收的頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率等于第一工作頻率時(shí)，表明到達(dá)清洗終點(diǎn)，氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁已完全清洗干凈。

如此，則不僅能提高清洗終點(diǎn)判斷的準(zhǔn)確性，同時(shí)還能提高清洗起始點(diǎn)判斷的準(zhǔn)確性，且工作人員只需要進(jìn)行一次清洗起始點(diǎn)的判定，其后的清洗起始點(diǎn)的判定均通過頻率監(jiān)測(cè)器6和控制器完成，減小了人力成本。

實(shí)施例四

將化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁開始清洗到清洗結(jié)束的最大時(shí)間差設(shè)置到控制器中，若當(dāng)前時(shí)間與開始清洗的時(shí)間差大于最大時(shí)間差，且在此期間控制器沒有判斷出清洗終點(diǎn)，則認(rèn)定為清洗異常。優(yōu)選的，在某一次清洗過程中，記錄下頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率等于第一頻率的時(shí)間t1和頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率等于第二頻率的時(shí)間t2，由此計(jì)算出從開始清洗到清洗結(jié)束所需要的時(shí)間差δt＝t2-t1，反復(fù)多次實(shí)驗(yàn)并求取所得時(shí)間差δt散點(diǎn)數(shù)據(jù)的平均值δta，根據(jù)工況選取安全系數(shù)n，優(yōu)先的本實(shí)施例中取安全系數(shù)n＝1.5，取開始清洗到清洗結(jié)束所需要的最大時(shí)間差δtmax＝n*δta，并將δtmax設(shè)置到cvd機(jī)臺(tái)的控制器中。

在某一次清洗過程中，控制器記錄下起始點(diǎn)也就是頻率監(jiān)測(cè)器6所測(cè)得的頻率等于第二頻率的時(shí)間t2，隨后控制器實(shí)時(shí)記錄當(dāng)前時(shí)間與時(shí)間t2的差值δtm，當(dāng)δtm＞δtmax時(shí)，如果在此期間控制器所接收到的頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率一直無法達(dá)到到第一頻率，則可認(rèn)定為清洗異常。此判斷方法可靠性高，且均由控制系統(tǒng)自動(dòng)完成，節(jié)約了人力成本。

上述實(shí)施例中所提到的化學(xué)氣相沉積工藝腔室及監(jiān)測(cè)方法，不僅可以用于陣列基板，還可以用于在化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)進(jìn)行同樣工藝處理的其他產(chǎn)品

雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。尤其是，只要不存在邏輯或結(jié)構(gòu)沖突，各個(gè)實(shí)施例中所提到的各項(xiàng)技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實(shí)施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。