技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種少層MoS2薄膜的制備方法，以MoO3粉末和S粉末為前驅(qū)體，雙溫區(qū)管式爐為設(shè)備，具體步驟如下：（1）MoO3薄膜的沉積：將MoO3粉末置于石英舟一端，基底倒扣并置于石英舟另一端，通入惰性氣體，對(duì)MoO3進(jìn)行加熱，在基底上得到MoO3薄膜；（2）將步驟（1）制備的MoO3薄膜和S粉末分別放于雙溫區(qū)管式爐的兩個(gè)溫區(qū)，通入惰性氣體，加熱MoO3薄膜和S粉末，完成MoO3薄膜的硫化，制備得到MoS2薄膜。本發(fā)明制備得到的MoS2呈現(xiàn)出三角形形狀，每個(gè)三角形形狀MoS2為單晶，由多個(gè)三角形相互連接起來能夠形成MoS2薄膜，具有少層結(jié)構(gòu)的MoS2薄膜面積大概為0.7cm×1cm。

技術(shù)研發(fā)人員：許婷婷;劉云云
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鄭州大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.27
技術(shù)公布日：2017.07.07