本發(fā)明涉及鍍膜設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種鍍膜機(jī)及靶材微粒的數(shù)量確定方法。

背景技術(shù)：

鍍膜機(jī)是一種用于在待鍍膜件的表面鍍膜的設(shè)備。

相關(guān)技術(shù)中有一種鍍膜機(jī)，如圖1所示，其可以包括腔體11，靶材12、掩膜13和托盤(pán)14等組件，靶材12是鍍膜材料，掩膜13用于限制靶材12的濺射區(qū)域，托盤(pán)14用于承載待鍍膜件，在通過(guò)該鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜時(shí)，給托盤(pán)14和靶材12通電，使這兩者之間形成電場(chǎng)，帶電粒子在電場(chǎng)的作用下轟擊靶材12，靶材微粒會(huì)從靶材12中脫離，并在掩膜13的限制下濺落到托盤(pán)14上的待鍍膜件上。

在通過(guò)上述鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜時(shí)，由于掩膜通常由金屬材料制成，為避免掩膜與托盤(pán)接觸而影響托盤(pán)和靶材之間的電場(chǎng)，掩膜和托盤(pán)之間會(huì)存在一個(gè)縫隙，在進(jìn)行鍍膜時(shí)，靶材微粒可能會(huì)從該縫隙進(jìn)入托盤(pán)和腔體之間并附著在腔體的內(nèi)壁上，靶材微粒在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的累積后，可能會(huì)不受控制的漂浮并對(duì)待鍍膜件上的膜層質(zhì)量造成影響。目前，托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時(shí)獲知。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決相關(guān)技術(shù)中托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時(shí)獲知的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鍍膜機(jī)及靶材微粒的數(shù)量確定方法。所述技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種鍍膜機(jī)，所述鍍膜機(jī)包括：

腔體和設(shè)置在所述腔體內(nèi)的托盤(pán)，所述托盤(pán)將所述腔體分隔為相互連通的第一子腔和第二子腔；

所述第一子腔內(nèi)設(shè)置有靶材和掩膜；

所述第二子腔內(nèi)設(shè)置有熒光激發(fā)組件和熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件，所述第二子腔的內(nèi)壁上設(shè)置有熒光層。

可選的，所述熒光層包括量子點(diǎn)。

可選的，所述熒光層包括量子點(diǎn)熒光納米球。

可選的，所述熒光層設(shè)置在所述第二子腔中靠近所述托盤(pán)的一端。

可選的，所述熒光激發(fā)組件包括激光器。

可選的，所述鍍膜機(jī)還包括：控制組件，所述熒光激發(fā)組件和所述熒光檢測(cè)組件均與所述控制組件連接；

所述控制組件用于在所述鍍膜機(jī)未處于工作狀態(tài)時(shí)，控制所述熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光；

通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)所述熒光層發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度；

根據(jù)所述光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值，所述靶材微粒的數(shù)量與所述光線(xiàn)強(qiáng)度負(fù)相關(guān)。

可選的，所述鍍膜機(jī)為磁控濺射鍍膜機(jī)。

可選的，所述鍍膜機(jī)還包括加熱板，所述加熱板設(shè)置在所述第二子腔內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種靶材微粒的數(shù)量確定方法，用于第一方面所述的鍍膜機(jī)，所述方法包括：

在所述鍍膜機(jī)未處于工作狀態(tài)時(shí)，通過(guò)熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光；

通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)所述熒光層發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度；

根據(jù)所述光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值，所述靶材微粒的數(shù)量與所述光線(xiàn)強(qiáng)度負(fù)相關(guān)。

可選的，所述根據(jù)所述光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值，包括：

判斷所述光線(xiàn)強(qiáng)度是否小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值，

當(dāng)所述光線(xiàn)強(qiáng)度小于所述預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值，確定所述靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值；

或者，根據(jù)所述光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量；

判斷所述靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是：

在鍍膜機(jī)中設(shè)置熒光層、熒光激發(fā)組件和熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件，并通過(guò)熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光，再通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)熒光層發(fā)出的光線(xiàn)的強(qiáng)度，這樣在靶材微粒阻擋熒光層發(fā)出的光線(xiàn)時(shí)，可以通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)到的光線(xiàn)強(qiáng)度來(lái)確定靶材微粒的多少。解決了相關(guān)技術(shù)中托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時(shí)獲知的問(wèn)題。達(dá)到了能夠及時(shí)獲知托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少的效果。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是相關(guān)技術(shù)中一種鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例示出的一種鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例示出的另一種鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4-1是本發(fā)明提供的一種靶材微粒的數(shù)量確定方法的流程圖；

圖4-2是圖4-1所示實(shí)施例中一種根據(jù)光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值的流程圖；

圖4-3是圖4-1所示實(shí)施例中另一種根據(jù)光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值的流程圖。

通過(guò)上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實(shí)施例，后文中將有更詳細(xì)的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過(guò)任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過(guò)參考特定實(shí)施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說(shuō)明本發(fā)明的概念。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例示出的一種鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。該鍍膜機(jī)20可以包括：

腔體11和設(shè)置在腔體內(nèi)的托盤(pán)14，托盤(pán)14將腔體11分隔為相互連通的第一子腔111和第二子腔112。

第一子腔111內(nèi)設(shè)置有靶材12和掩膜13。

第二子腔112內(nèi)設(shè)置有熒光激發(fā)組件21和熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件22，第二子腔112的內(nèi)壁上設(shè)置有熒光層23。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的鍍膜機(jī)，在鍍膜機(jī)中設(shè)置熒光層、熒光激發(fā)組件和熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件，并通過(guò)熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光，再通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)熒光層發(fā)出的光線(xiàn)的強(qiáng)度，這樣在靶材微粒阻擋熒光層發(fā)出的光線(xiàn)時(shí)，可以通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)到的光線(xiàn)強(qiáng)度來(lái)確定靶材微粒的多少。解決了相關(guān)技術(shù)中托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時(shí)獲知的問(wèn)題。達(dá)到了能夠及時(shí)獲知托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少的效果。

進(jìn)一步的，請(qǐng)參考圖3，其示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種鍍膜機(jī)30的結(jié)構(gòu)示意圖，該鍍膜機(jī)在圖2所示的鍍膜機(jī)的基礎(chǔ)上增加了更優(yōu)選的部件，從而使得本發(fā)明實(shí)施例提供的鍍膜機(jī)30具有更好的性能。

可選的，鍍膜機(jī)30還包括：控制組件31，熒光激發(fā)組件21和熒光檢測(cè)組件22均與控制組件31連接?？刂平M件31可以為可編程邏輯控制器(英文：programmablelogiccontroller；簡(jiǎn)稱(chēng)：plc)或中央處理器(英文：centralprocessingunit；簡(jiǎn)稱(chēng)：cpu)等。

控制組件31用于在鍍膜機(jī)30未處于工作狀態(tài)時(shí)：1、控制熒光激發(fā)組件21激發(fā)熒光層23發(fā)光；2、通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件22檢測(cè)熒光層23發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度；3、根據(jù)光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值，靶材微粒的數(shù)量與光線(xiàn)強(qiáng)度負(fù)相關(guān)。靶材微粒會(huì)污染與阻擋熒光層中的量子點(diǎn)，因而熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件22檢測(cè)熒光層23發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度與附著在熒光層上的靶材微粒的數(shù)量負(fù)相關(guān)。

可選的，鍍膜機(jī)30為磁控濺射鍍膜機(jī)。磁控濺射(英文：magnetronsputtering)是物理氣相沉積(英文：physicalvapordeposition；簡(jiǎn)稱(chēng)：pvd)的一種，具體可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。

可選的，熒光層23包括量子點(diǎn)。量子點(diǎn)(英文：quantumdot；簡(jiǎn)稱(chēng)：qd)也稱(chēng)半導(dǎo)體納米微晶體，是一種能夠接受激發(fā)光而發(fā)出光線(xiàn)的納米顆粒。qd作為一種新型的無(wú)機(jī)熒光納米材料，因其獨(dú)特的熒光性質(zhì)、優(yōu)良的光譜特性和光化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于諸多領(lǐng)域。

qd的粒徑很小(約2～10納米)，電子和空穴被量子限域，qd內(nèi)部電子在各方向上的運(yùn)動(dòng)都受限，顯著的量子限制效應(yīng)(英文：quantumconfinementeffect)使其能帶變成具有分子特性的分立能級(jí)，因此使qd具有獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì)。qd光學(xué)特性可以包括：

1、較強(qiáng)的熒光發(fā)射能力，較高的光學(xué)穩(wěn)定性。

2、激發(fā)光范圍寬，同一波長(zhǎng)的激發(fā)光可以激發(fā)不同qd發(fā)出光線(xiàn)，且可以激發(fā)出多種顏色的光線(xiàn)，如紅，藍(lán)，綠等。

3、可通過(guò)改變qd的粒徑大小和組成材料來(lái)制備多種熒光光譜特征不同的qd，并且qd的熒光光譜峰型尖銳，對(duì)稱(chēng)性好。

可選的，熒光層23包括量子點(diǎn)熒光納米球。量子點(diǎn)熒光納米球是以納米球?yàn)檩d體，將量子點(diǎn)組裝或包埋到納米球上，其特點(diǎn)是熒光信號(hào)更強(qiáng)烈、更穩(wěn)定，安全性更高。此外，量子點(diǎn)還可以有其它的包裹方式，示例性的，可以通過(guò)納米材料，脂質(zhì)體進(jìn)行包裹等，可以根據(jù)預(yù)設(shè)的尺寸、亮度選擇要包裹的量子點(diǎn)的數(shù)量，本發(fā)明實(shí)施例不作出限制。

可選的，熒光層23設(shè)置在腔體11的第二子腔112中靠近托盤(pán)14的一端。由于靶材微粒是從托盤(pán)14和掩膜13之間的縫隙f進(jìn)入第二子腔112的，因而第二子腔112中靠近托盤(pán)14的一端為靶材微粒的主要聚集區(qū)域，在此區(qū)域設(shè)置熒光層能夠在較為準(zhǔn)確的反應(yīng)飄散到第二子腔112中的靶材微粒數(shù)量的情況下，節(jié)省熒光層材料。此外，熒光層還可以設(shè)置在第二子腔的其他位置，如布滿(mǎn)整個(gè)第二子腔等，本發(fā)明實(shí)施例不作出限制。

可選的，熒光激發(fā)組件21包括激光器。激光器的種類(lèi)可以根據(jù)熒光層中的量子點(diǎn)來(lái)進(jìn)行選擇。

可選的，鍍膜機(jī)還包括加熱板32，加熱板32設(shè)置在第二子腔112內(nèi)。加熱板32的作用包括：去除待鍍膜件表面水汽，提高膜基結(jié)合力，消除薄膜應(yīng)力，提高膜層粒子的聚集度。加熱板的加熱溫度可以在150～200℃之間。

可選的，鍍膜機(jī)30還可以包括電源33，電源33與靶材12連接，用于向靶材12通電，電源33的結(jié)構(gòu)可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的鍍膜機(jī)，在鍍膜機(jī)中設(shè)置熒光層、熒光激發(fā)組件和熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件，并通過(guò)熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光，再通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)熒光層發(fā)出的光線(xiàn)的強(qiáng)度，這樣在靶材微粒阻擋熒光層發(fā)出的光線(xiàn)時(shí)，可以通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)到的光線(xiàn)強(qiáng)度來(lái)確定靶材微粒的多少。解決了相關(guān)技術(shù)中托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時(shí)獲知的問(wèn)題。達(dá)到了能夠及時(shí)獲知托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少的效果。

圖4-1是本發(fā)明提供的一種靶材微粒的數(shù)量確定方法的流程圖，用于圖2或圖3所示的鍍膜機(jī)，該方法可以包括下面幾個(gè)步驟：

步驟401、在鍍膜機(jī)未處于工作狀態(tài)時(shí)，通過(guò)熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光。

為了避免確定靶材微粒數(shù)量時(shí)對(duì)鍍膜造成影響，可以在鍍膜機(jī)未處于工作狀態(tài)時(shí)，通過(guò)熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光。熒光層和熒光激發(fā)組件可以參考圖3所示的實(shí)施例，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例的執(zhí)行主體可以是控制組件。

步驟402、通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)熒光層發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度。

在通過(guò)熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光后，可以通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)熒光層發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度。靶材微粒會(huì)污染與阻擋熒光層中的量子點(diǎn)，因而該光線(xiàn)強(qiáng)度與附著在熒光層上的靶材微粒的數(shù)量負(fù)相關(guān)，即附著在熒光層上的靶材微粒的數(shù)量越大，熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)到熒光層發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度越小，附著在熒光層上的靶材微粒的數(shù)量越小，熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)到熒光層發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度越大。

步驟403、根據(jù)光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值，靶材微粒的數(shù)量與光線(xiàn)強(qiáng)度負(fù)相關(guān)。

本步驟可以包括兩種實(shí)施方式。

如圖4-2所示，第一種實(shí)施方式可以包括下面兩個(gè)子步驟：

子步驟4031、判斷光線(xiàn)強(qiáng)度是否小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值。在光線(xiàn)強(qiáng)度小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值時(shí)，執(zhí)行步驟4032；在光線(xiàn)強(qiáng)度不小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值時(shí)，執(zhí)行步驟4033。

在此種實(shí)施方式中，首先可以判斷光線(xiàn)強(qiáng)度是否小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值，該預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值可以通過(guò)試驗(yàn)來(lái)確定。

子步驟4032、確定靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值。

可以在光線(xiàn)強(qiáng)度小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值時(shí)，確定靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值?？梢栽诖_定靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值后，對(duì)鍍膜機(jī)內(nèi)的靶材微粒進(jìn)行清除，以確保后續(xù)鍍膜的質(zhì)量。而在光線(xiàn)強(qiáng)度不小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值時(shí)，可以繼續(xù)使用鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜。

子步驟4033、確定靶材微粒的數(shù)量不大于清理觸發(fā)閾值。

可以在光線(xiàn)強(qiáng)度不小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值，確定靶材微粒的數(shù)量不大于清理觸發(fā)閾值。

本發(fā)明實(shí)施例中，可以通過(guò)預(yù)先的試驗(yàn)來(lái)確定光線(xiàn)強(qiáng)度和靶材微粒的數(shù)量之間的關(guān)系曲線(xiàn)，并根據(jù)該關(guān)系曲線(xiàn)來(lái)確定出預(yù)設(shè)光強(qiáng)閾值以及清理觸發(fā)閾值。

此種實(shí)施方式并未實(shí)際確定靶材微粒的數(shù)量，而是直接根據(jù)光線(xiàn)強(qiáng)度來(lái)確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。

如圖4-3所示，第二種實(shí)施方式可以包括下面兩個(gè)子步驟：

子步驟4034、根據(jù)光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量。

在此種實(shí)施方式中，首先可以根據(jù)光線(xiàn)強(qiáng)度來(lái)確定出靶材微粒的數(shù)量?？蛇x的，可以通過(guò)預(yù)先的試驗(yàn)來(lái)確定光線(xiàn)強(qiáng)度和靶材微粒的數(shù)量之間的關(guān)系曲線(xiàn)，并根據(jù)該關(guān)系曲線(xiàn)來(lái)根據(jù)光線(xiàn)強(qiáng)度確定靶材微粒的數(shù)量。

子步驟4035、判斷靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。

在確定出靶材微粒的數(shù)量之后，可以直接判斷靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。該清理觸發(fā)閾值可以是根據(jù)試驗(yàn)確定出的一個(gè)值，在靶材微粒的數(shù)量大于該值時(shí)，可能會(huì)對(duì)鍍膜質(zhì)量造成影響。

在靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值時(shí)，可以對(duì)鍍膜機(jī)中的靶材微粒進(jìn)行清理，而在靶材微粒的數(shù)量不大于清理觸發(fā)閾值時(shí)，可以繼續(xù)使用鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜。

在此種實(shí)施方式中，可以先確定靶材微粒的數(shù)量，再判斷該數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。

相關(guān)技術(shù)中，并沒(méi)有量化靶材微粒的數(shù)量是否較多的標(biāo)準(zhǔn)，而本發(fā)明實(shí)施例提供的靶材微粒的數(shù)量確定方法，可以根據(jù)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)熒光層發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度來(lái)量化靶材微粒的數(shù)量的多少，并定期實(shí)施以準(zhǔn)確實(shí)時(shí)的掌握靶材微粒的數(shù)量，并根據(jù)靶材微粒的數(shù)量制定清潔周期，避免靶材微粒對(duì)正常鍍膜造成影響。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的靶材微粒的數(shù)量確定方法，通過(guò)熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光，再通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)熒光層發(fā)出的光線(xiàn)的強(qiáng)度，這樣在靶材微粒阻擋熒光層發(fā)出的光線(xiàn)時(shí)，可以通過(guò)熒光強(qiáng)度檢測(cè)組件檢測(cè)到的光線(xiàn)強(qiáng)度來(lái)確定靶材微粒的多少。解決了相關(guān)技術(shù)中托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時(shí)獲知的問(wèn)題。達(dá)到了能夠及時(shí)獲知托盤(pán)和腔體之間的靶材微粒的多少的效果。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)硬件來(lái)完成，也可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤(pán)或光盤(pán)等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。