本發(fā)明涉及薄膜沉積技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜沉積設(shè)備和薄膜沉積方法。

背景技術(shù)：

目前，oled(有機(jī)發(fā)光二極管)基板通常采用tfe(薄膜封裝)工藝進(jìn)行封裝。

請參考圖1，圖1為現(xiàn)有的oled面板的結(jié)構(gòu)示意圖，該oled面板包括oled基板和用于封裝oled基板的薄膜封裝層，該oled基板包括襯底基板101和設(shè)置在襯底基板101上的oled器件102，該薄膜封裝層包括三層封裝薄膜，按照沉積順序依次包括：第一無機(jī)層103，有機(jī)層104和第二無機(jī)層105。其中，第一無機(jī)層103的尺寸略大于有機(jī)層104的尺寸，第二無機(jī)層105的尺寸略大于第一無機(jī)層103的尺寸。

目前，薄膜封裝的實(shí)現(xiàn)方法是：三層封裝薄膜分別按序在不同的腔室或設(shè)備中沉積，每個腔室或設(shè)備承擔(dān)一層封裝薄膜的沉積。且，針對不同的封裝薄膜，分別進(jìn)行掩膜版(mask)設(shè)計，各個掩膜版的開口區(qū)大小均不相同。

上述薄膜封裝方法具有以下缺點(diǎn)：

1)需要至少3臺不同工藝的腔室或設(shè)備，增加了設(shè)備成本。

2)待封裝的oled基板需要在不同設(shè)備之間傳遞，增加了產(chǎn)品受顆粒物影響的幾率。

3)每層封裝薄膜在進(jìn)行沉積之前均需要對位，增加了對位難度。

4)每款產(chǎn)品需求多種mask設(shè)計，增加了設(shè)計成本及管理難度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜沉積設(shè)備和薄膜沉積方法，采用同一薄膜沉積設(shè)備和同一掩膜版可沉積不同尺寸的薄膜。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種薄膜沉積設(shè)備，包括：

一薄膜沉積腔室；

基板承載部件，設(shè)置于所述薄膜沉積腔室內(nèi)，用于承載待進(jìn)行薄膜沉積的基板；

掩膜版固定部件，用于固定一掩膜版，所述掩膜版包括遮擋區(qū)和開口區(qū)，所述開口區(qū)用于允許待沉積的薄膜材料通過；

位置調(diào)整部件，用于調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距，以在所述基板上沉積不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面積不同。

優(yōu)選地，所述薄膜沉積設(shè)備還包括：

對位部件，用于對所述掩膜版與所述基板進(jìn)行對位。

優(yōu)選地，所述薄膜沉積設(shè)備還包括：

氣體提供部件，用于根據(jù)待沉積的薄膜的類型，向所述薄膜沉積腔室提供對應(yīng)的工藝氣體。

優(yōu)選地，所述基板為oled基板，所述薄膜沉積腔室為用于沉積封裝所述oled基板的薄膜封裝層的薄膜沉積腔室。

優(yōu)選地，所述薄膜封裝層至少包括第一無機(jī)層和有機(jī)層；所述第一無機(jī)層的尺寸大于所述有機(jī)層的尺寸；

所述位置調(diào)整部件，進(jìn)一步用于在沉積第一無機(jī)層之前，將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第一間距；在沉積有機(jī)層之前，將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第二間距，所述第二間距小于所述第一間距。

優(yōu)選地，所述薄膜封裝層還包括第二無機(jī)層；第二無機(jī)層的尺寸大于所述第一無機(jī)層的尺寸；

所述位置調(diào)整部件，進(jìn)一步用于在沉積第二無機(jī)層之前，將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第三間距，所述第三間距大于所述第一間距。

優(yōu)選地，所述基板承載部件包括可升降基臺，和/或，所述掩膜版固定部件為可升降的固定部件；

所述位置調(diào)整部件，用于控制所述可升降基臺上升或下降，和/或，控制所述掩膜版固定部件上升或下降，以調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距。

本發(fā)明還提供一種薄膜沉積方法，包括：

將待進(jìn)行薄膜沉積的基板置入一薄膜沉積腔室；

將一掩膜版固定在所述基板的一側(cè)，所述掩膜版包括遮擋區(qū)和開口區(qū)，所述開口區(qū)用于允許待沉積的薄膜材料通過；

調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距，以在所述基板上沉積不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面積不同。

優(yōu)選地，所述調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距，以在所述基板上沉積不同尺寸的薄膜的步驟之前還包括：

將所述掩膜版與所述基板進(jìn)行對位。

優(yōu)選地，所述基板為oled基板，所述薄膜沉積方法用于沉積封裝所述oled基板的薄膜封裝層。

優(yōu)選地，所述薄膜封裝層至少包括第一無機(jī)層和有機(jī)層；所述調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距，以在所述基板上沉積不同尺寸的薄膜的步驟包括：

將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第一間距，在所述基板上沉積第一無機(jī)層；

將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第二間距，在所述基板上沉積有機(jī)層，其中，所述第二間距小于所述第一間距。

優(yōu)選地，所述薄膜封裝層還包括第二無機(jī)層；所述調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距，以在所述基板上沉積不同尺寸的薄膜的步驟還包括：

將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第三間距，在所述基板上沉積第二無機(jī)層，其中，所述第三間距大于所述第一間距。

優(yōu)選地，沉積所述第一無機(jī)層和第二無機(jī)層時，向所述薄膜沉積腔室內(nèi)提供第一工藝氣體，沉積所述有機(jī)層時，向所述薄膜沉積腔室內(nèi)提供第二工藝氣體，所述第一工藝氣體與第二工藝氣體不同。

優(yōu)選地，所述調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距的步驟包括：

控制所述基板上升或下降，和/或，控制所述掩膜版上升或下降，以調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

使用同一薄膜沉積設(shè)備和同一掩膜版，便可進(jìn)行多個不同尺寸的薄膜的沉積，減少了設(shè)備成本，當(dāng)需要沉積多層薄膜時，不需要在不同設(shè)備之間傳遞，減少了產(chǎn)品受顆粒物影響的幾率，另外，不需要為每個膜層設(shè)計一個mask，減低了設(shè)計成本及管理難度。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的oled面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為采用掩膜版在基板上沉積薄膜時的掩膜版陰影影響效果示意圖；

圖3是在薄膜沉積實(shí)驗中，測量得到的掩膜版與基板之間的間距，與沉積在掩膜版的遮擋區(qū)下方的薄膜與開口區(qū)的邊緣之間的距離的對應(yīng)關(guān)系示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積方法的流程示意圖；

圖5-圖11為本發(fā)明的一實(shí)施例的oled基板上的薄膜封裝層的沉積方法的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面首先對本發(fā)明所采用的原理進(jìn)行說明。

請參考圖2，圖2為采用掩膜版在基板上沉積薄膜時的掩膜版陰影影響(maskshadoweffect)效果示意圖，圖2中的掩膜版22具有遮擋區(qū)和開口區(qū)，開口區(qū)的圖形對應(yīng)于基板21上沉積的薄膜23的圖形。在具體進(jìn)行薄膜沉積時，由于掩膜版22和基板21之間具有一定的間距l(xiāng)1，會產(chǎn)生掩膜版陰影影響現(xiàn)象，即形成的薄膜23的圖形并不完全與開口區(qū)的圖形一致，會有部分薄膜沉積在掩膜版22的遮擋區(qū)下方區(qū)域，如圖2所示，在掩膜版22的遮擋區(qū)下方形成與開口區(qū)邊緣距離為l2薄膜。

請參考圖3，圖3是在薄膜沉積實(shí)驗中，測量得到的掩膜版與基板之間的間距，與沉積在掩膜版的遮擋區(qū)下方的薄膜與開口區(qū)的邊緣之間的距離的對應(yīng)關(guān)系示意圖。從圖3中可以看出，當(dāng)掩膜版與基板之間的間距越大時，沉積在掩膜版的遮擋區(qū)下方區(qū)域的薄膜的尺寸越大，即位于掩膜版的遮擋區(qū)下方區(qū)域的薄膜與開口區(qū)邊緣之間的距離越大，相反的，當(dāng)掩膜版與基板之間的間距越小時，沉積在掩膜版的遮擋區(qū)下方區(qū)域的薄膜的尺寸越小。

本發(fā)明即是利用上述原理，通過調(diào)節(jié)掩膜版與基板之間的間距，使得可以使用同一薄膜沉積設(shè)備和同一掩膜版，來進(jìn)行多個不同尺寸的薄膜的沉積。

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜沉積設(shè)備，包括：

一薄膜沉積腔室；

基板承載部件，設(shè)置于所述薄膜沉積腔室內(nèi)，用于承載待進(jìn)行薄膜沉積的基板；

掩膜版固定部件，用于固定一掩膜版，所述掩膜版包括遮擋區(qū)和開口區(qū)，所述開口區(qū)用于允許待沉積的薄膜材料通過；

位置調(diào)整部件，用于根據(jù)待沉積的薄膜的尺寸，調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距，以在所述基板上沉積不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面積不同。

本發(fā)明實(shí)施例中，使用同一薄膜沉積設(shè)備和同一掩膜版，便可進(jìn)行多個不同尺寸的薄膜的沉積，減少了設(shè)備成本，當(dāng)需要沉積多層薄膜時，不需要在不同設(shè)備之間傳遞，減少了產(chǎn)品受顆粒物影響的幾率，另外，不需要為每個膜層設(shè)計一個mask，減低了設(shè)計成本及管理難度。

當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，所述不同尺寸還可能包括薄膜在所述基板上的厚度不同等。

為了完成薄膜沉積，本發(fā)明實(shí)施例中的薄膜沉積設(shè)備還包括：薄膜沉積部件，用于在所述掩膜版上沉積薄膜。

本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，在進(jìn)行薄膜沉積之前，還需要對掩膜版和基板進(jìn)行對位，因此，本發(fā)明實(shí)施例中的薄膜沉積設(shè)備還包括：對位部件，用于對所述掩膜版與所述基板進(jìn)行對位。

進(jìn)一步優(yōu)選地，當(dāng)需要使用所述掩膜版在所述基板的預(yù)定區(qū)域內(nèi)沉積多層薄膜時，所述對位部件只需在沉積第一層薄膜時，對所述掩膜版和所述基板進(jìn)行對位即可，在沉積其他薄膜時，則不需要再進(jìn)行對位，減少了對位次數(shù)，降低了對位難度。

在進(jìn)行薄膜沉積時，通常需要向薄膜沉積腔室提供工藝氣體，而在沉積不同類型的薄膜時，可能需要不同的工藝氣體，因而，優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備還可以包括：氣體提供部件，用于根據(jù)待沉積的薄膜的類型，向所述薄膜沉積腔室提供對應(yīng)的工藝氣體。

此外，當(dāng)需要在基板上連續(xù)沉積不同類型的薄膜，而該不同類型的薄膜需要不同的工藝氣體時，優(yōu)選地，在沉積后面的薄膜時，還需要將當(dāng)前薄膜沉積腔室內(nèi)的工藝氣體抽取，因而，本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備還可以包括：氣體抽取部件，用于抽取所述薄膜沉積腔室內(nèi)的工藝氣體。

在本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例中，所述基板可以為oled基板，所述薄膜沉積腔室為用于沉積封裝所述oled基板的薄膜封裝層的薄膜沉積腔室。

在一些實(shí)施例，所述薄膜封裝層至少包括第一無機(jī)層和有機(jī)層；所述第一無機(jī)層的尺寸大于所述有機(jī)層的尺寸；此時，所述位置調(diào)整部件，用于在沉積第一無機(jī)層之前，將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第一間距；在沉積有機(jī)層之前，將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第二間距，所述第二間距小于所述第一間距。

在另一些實(shí)施例中，所述薄膜封裝層還包括第二無機(jī)層；第二無機(jī)層的尺寸大于所述第一無機(jī)層的尺寸；所述位置調(diào)整部件，進(jìn)一步用于在沉積第二無機(jī)層之前，將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第三間距，所述第三間距大于所述第一間距。

本發(fā)明實(shí)施例中，可以通過控制所述基板上升或下降，和/或，控制所述掩膜版上升或下降，以調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距。

即，優(yōu)選地，所述基板承載部件可以包括可升降基臺，和/或，所述掩膜版固定部件可以為可升降的固定部件；

所述位置調(diào)整部件，用于控制所述可升降基臺上升或下降，和/或，控制所述掩膜版固定部件上升或下降，以調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，請參考圖4，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種薄膜沉積方法，包括：

步驟41：將待進(jìn)行薄膜沉積的基板置入一薄膜沉積腔室；

步驟42：將一掩膜版固定在所述基板的一側(cè)，所述掩膜版包括遮擋區(qū)和開口區(qū)，所述開口區(qū)用于允許待沉積的薄膜材料通過；

步驟43：調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距，以在所述基板上沉積不同尺寸的薄膜。

本發(fā)明實(shí)施例中，在同一薄膜沉積設(shè)備中，通過調(diào)節(jié)掩膜版與基板之間的間距，可以進(jìn)行多個不同尺寸的薄膜的沉積，減少了設(shè)備成本，當(dāng)需要沉積多層薄膜時，不需要在不同設(shè)備之間傳遞，減少了產(chǎn)品受顆粒物影響的幾率，另外，不需要為每個膜層設(shè)計一個mask，減低了設(shè)計成本及管理難度。

本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，在進(jìn)行薄膜沉積之前，還需要對掩膜版和基板進(jìn)行對位，因此，所述將一掩膜版固定在所述基板的一側(cè)的步驟包括：將所述掩膜版與所述基板進(jìn)行對位。

進(jìn)一步優(yōu)選地，當(dāng)需要使用所述掩膜版在所述基板的預(yù)定區(qū)域內(nèi)沉積多層薄膜時，所述對位部件只需在沉積第一層薄膜時，對所述掩膜版和所述基板進(jìn)行對位即可，在沉積其他薄膜時，則不需要再進(jìn)行對位，減少了對位次數(shù)，降低了對位難度。

本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例中，所述基板為oled基板，所述薄膜沉積方法用于沉積封裝所述oled基板的薄膜封裝層。

在一些實(shí)施例中，所述薄膜封裝層至少包括第一無機(jī)層和有機(jī)層；所述調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距，以在所述基板上沉積不同尺寸的薄膜的步驟包括：

將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第一間距，在所述基板上沉積第一無機(jī)層；

將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第二間距，在所述基板上沉積有機(jī)層，其中，所述第二間距小于所述第一間距。

在另一些實(shí)施例中，所述薄膜封裝層還包括第二無機(jī)層；所述調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距，以在所述基板上沉積不同尺寸的薄膜的步驟還包括：將所述掩膜版與所述基板之間的間距調(diào)整為第三間距，在所述基板上沉積第二無機(jī)層，其中，所述第三間距大于所述第一間距。

優(yōu)選地，沉積所述第一無機(jī)層和第二無機(jī)層時，向所述薄膜沉積腔室內(nèi)提供第一工藝氣體，沉積所述有機(jī)層時，向所述薄膜沉積腔室內(nèi)提供第二工藝氣體，所述第一工藝氣體與第二工藝氣體不同。

本發(fā)明實(shí)施例中，可以通過控制所述基板上升或下降，和/或，控制所述掩膜版上升或下降，以調(diào)整所述掩膜版與所述基板之間的間距。

請參考圖5-圖10，圖5-圖10為本發(fā)明的一實(shí)施例的oled基板上的薄膜封裝層的沉積方法的示意圖，該方法包括以下步驟：

步驟51：請參考圖5，將oled基板置入一薄膜沉積腔室200內(nèi)；該oled基板包括襯底基板101和oled器件102；

具體的，可通過所述薄膜沉積腔室200內(nèi)的一基板承載部件承載并固定該oled基板。該基板承載部件包括一可升降基臺201；

步驟52：請參考圖6，將一掩膜版300固定在所述oled基板的一側(cè)，并對掩膜版300與oled基板進(jìn)行對位；所述掩膜版300包括遮擋區(qū)301和開口區(qū)302；

具體的，可通過所述薄膜沉積腔室200內(nèi)的一掩膜版固定部件202固定該掩膜版300。所述掩膜版固定部件202為可升降的固定部件；

被固定的掩膜版300與該oled基板平行設(shè)置，對位后，掩膜版300的開口區(qū)302正對該oled基板上的待沉積區(qū)域；

步驟53：請參考圖7，位置調(diào)整部件203調(diào)整掩膜版300與oled基板之間的間距為第一間距l(xiāng)3，并向薄膜沉積腔室200內(nèi)通入第一工藝氣體s1，完成第一無機(jī)層103的沉積；

本發(fā)明實(shí)施例中，位置調(diào)整部件203通過控制掩膜版固定部件202上升或下降，以控制掩膜版300上升或下降，來調(diào)整掩膜版300與oled基板之間的間距。

當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，位置調(diào)整部件203也可以通過控制可升降基臺201上升或下降，以控制oled基板上升或下降，來調(diào)整掩膜版300與oled基板之間的間距。

步驟54：請參考圖8，抽取薄膜沉積腔室200內(nèi)的第一工藝氣體s1；

步驟55：請參考圖9，位置調(diào)整部件203調(diào)整所述掩膜版300和oled基板之間的間距為第二間距l(xiāng)4，第二間距l(xiāng)4小于第一間距l(xiāng)3，并向薄膜沉積腔室200內(nèi)通入第二工藝氣體s2，完成有機(jī)層104的沉積；

步驟56：請參考圖10，抽取薄膜沉積腔室200內(nèi)的第二工藝氣體s2；

步驟57：請參考圖11，位置調(diào)整部件203調(diào)整所述掩膜版300和oled基板之間的間距為第三間距l(xiāng)5，第三間距l(xiāng)5大于第一間距l(xiāng)3，并向薄膜沉積腔室200內(nèi)通入第一工藝氣體s1，完成第二無機(jī)層105的沉積。

本發(fā)明實(shí)施例中，掩膜版300與oled基板之間的間距可以指掩膜版300與oled基板的襯底基板101之間的垂直距離。

通過上述實(shí)施例提供的方法，在同一薄膜沉積腔室內(nèi)，使用同一掩膜版，便可完成oled基板上的多層不同尺寸的封裝薄膜的沉積，減少了設(shè)備成本，且不需要在不同設(shè)備之間傳遞，減少了產(chǎn)品受顆粒物影響的幾率，另外，不需要為每個膜層設(shè)計一個mask，減低了設(shè)計成本及管理難度。

上述實(shí)施例中的薄膜沉積腔室可以是化學(xué)氣相沉積(cvd)腔室。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例的上述方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1)只需要一個薄膜沉積設(shè)備，便可沉積不同尺寸的薄膜，降低了設(shè)備成本。

2)需要在一個基板上述沉積多個不同尺寸薄膜時，不需要在不同設(shè)備之間傳遞，降低了產(chǎn)品受顆粒物影響的幾率。

3)只需要在進(jìn)行第一次薄膜沉積時，對掩膜版和基板進(jìn)行對位，降低了對位難度。

4)沉積不同尺寸的薄膜只需要一種掩膜版，降低了設(shè)計成本及管理難度。

除非另作定義，本發(fā)明中使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。