技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種充電接頭、電子設(shè)備及充電接頭強(qiáng)化方法。本發(fā)明公開(kāi)了一種充電接頭強(qiáng)化方法，包括步驟：在溫度條件為400℃～460℃的真空條件下，通過(guò)離子氮化工藝在充電接頭表面生成離子氮化層；在溫度條件為440℃～460℃的條件下，采用滲金屬工藝在離子氮化層表面生成Ti?Mo?Nb?Nd?N復(fù)合滲層；在溫度條件為180℃～200℃的真空條件下，利用離子鍍工藝在Ti?Mo?Nb?Nd?N復(fù)合滲層表面制備N(xiāo)i膜層；通過(guò)電鍍金工藝在Ni膜層表面制備電鍍金層。采用本發(fā)明的強(qiáng)化方法，可有效提高手機(jī)充電接頭的耐磨性和導(dǎo)電性。本發(fā)明還高能公開(kāi)了一種充電接頭和電子設(shè)備。

技術(shù)研發(fā)人員：林育周
受保護(hù)的技術(shù)使用者：林育周
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.23
技術(shù)公布日：2017.11.03