本發(fā)明涉及銅線生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，具體為一種銅線生產(chǎn)冷卻槽。

背景技術(shù)：

在銅線生產(chǎn)過程中，銅線在成型之后直接成卷，然后放置在風(fēng)冷床上進(jìn)行冷卻，降溫速度較快，使銅線產(chǎn)生脆性斷裂，并且在冷卻過程中銅線與環(huán)境中的氧氣接觸產(chǎn)生氧化層，致使銅線外側(cè)面發(fā)暗，使銅絲外側(cè)面的橫截面縮小，使銅線在輸高壓電時(shí)電阻升高，在浸入淬冷介質(zhì)中快速冷卻的工藝，常用的淬冷介質(zhì)有熔鹽、水、礦物油、空氣等，其中用熔鹽淬火時(shí)需要一定的溫度才能保證銅絲的質(zhì)量。

因此，需要設(shè)計(jì)一種銅線生產(chǎn)冷卻槽來解決此類問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種銅線生產(chǎn)冷卻槽，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種銅線生產(chǎn)冷卻槽，包括冷卻槽本體，所述冷卻槽本體是由溶鹽槽和過渡槽構(gòu)成，所述溶鹽槽和過渡槽的頂端均設(shè)置有排空閥，所述溶鹽槽和過渡槽的頂端均設(shè)置有牽引輥，所述溶鹽槽的一側(cè)設(shè)置有進(jìn)口，所述溶鹽槽的頂端設(shè)置有儲鹽盒，所述溶鹽槽的內(nèi)側(cè)設(shè)置有隔熱層，所述溶鹽槽的內(nèi)部的底端設(shè)置有加熱板和mft溫度傳感器，所述過渡槽的內(nèi)部設(shè)置有制冷器和數(shù)字式溫度傳感器，所述過渡槽的一端設(shè)置有出口，所述過渡槽的一側(cè)設(shè)置有收線架，所述收線架的頂端設(shè)置有滾輪，所述收線架的一側(cè)設(shè)置有收線輪，所述溶鹽槽的另一側(cè)設(shè)置有控制屏，所述控制屏的內(nèi)部設(shè)置有dsp信息處理器和可編程程序控制器，所述mft溫度傳感器、數(shù)字式溫度傳感器和可編程程序控制器均與dsp信息處理器電性連接，所述加熱板、控制屏和制冷器均與可編程程序控制器電性連接。

進(jìn)一步的，所述進(jìn)口和出口的一側(cè)設(shè)置有密封耐磨墊。

進(jìn)一步的，所述溶鹽槽和過渡槽之間通過焊接。

進(jìn)一步的，所述儲鹽盒的一側(cè)設(shè)置有密封蓋。

進(jìn)一步的，所述溶鹽槽和過渡槽的底端設(shè)置有支撐架，所述支撐架的底端設(shè)置有驅(qū)動器。

進(jìn)一步的，所述控制屏的表面設(shè)置有防水涂層。

進(jìn)一步的，所述控制屏與支撐架通過支撐板連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：該種銅線生產(chǎn)冷卻槽，溶鹽槽和過渡槽的頂端均設(shè)置有排空閥，排出溶鹽槽和過渡槽內(nèi)部的空氣，防止銅線氧化，溶鹽槽的頂端設(shè)置有儲鹽盒，溶鹽槽的內(nèi)側(cè)設(shè)置有隔熱層，溶鹽槽的內(nèi)部的底端設(shè)置有加熱板和mft溫度傳感器，通過加熱板將鹽融化，通過mft溫度傳感器使得加熱板能夠保證熔鹽的溫度始終保持在一定范圍內(nèi)且節(jié)約資源，同時(shí)通過熔鹽容易得到高的硬度和光潔的表面,不容易產(chǎn)生淬不硬的軟點(diǎn)，且防止冷處理時(shí)出現(xiàn)開裂，過渡槽的內(nèi)部設(shè)置有制冷器和數(shù)字式溫度傳感器，通過制冷器使得對銅線進(jìn)行進(jìn)一步的冷卻，且通過數(shù)字式溫度傳感器對過渡箱的內(nèi)部溫度進(jìn)行檢測，從而使得制冷器能夠間歇性工作，節(jié)約資源。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的冷卻槽本體安裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的溶鹽槽內(nèi)部安裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的過渡槽內(nèi)部安裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的電性連接模塊圖；

附圖標(biāo)記中：1-冷卻槽本體；2-溶鹽槽；3-過渡槽；4-排空閥；5-牽引輥；6-進(jìn)口；7-儲鹽盒；8-隔熱層；9-加熱板；10-mft溫度傳感器；11-制冷器；12-數(shù)字式溫度傳感器；13-出口；14-收線架；15-滾輪；16-收線輪；17-控制屏；18-dsp信息處理器；19-可編程程序控制器。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1-4，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種銅線生產(chǎn)冷卻槽，包括冷卻槽本體1，冷卻槽本體1是由溶鹽槽2和過渡槽3構(gòu)成，溶鹽槽2和過渡槽3的頂端均設(shè)置有排空閥4，溶鹽槽2和過渡槽3的頂端均設(shè)置有牽引輥5，溶鹽槽2的一側(cè)設(shè)置有進(jìn)口6，溶鹽槽2的頂端設(shè)置有儲鹽盒7，溶鹽槽2的內(nèi)側(cè)設(shè)置有隔熱層8，溶鹽槽2的內(nèi)部的底端設(shè)置有加熱板9和mft溫度傳感器10，過渡槽3的內(nèi)部設(shè)置有制冷器11和數(shù)字式溫度傳感器12，過渡槽3的一端設(shè)置有出口13，過渡槽3的一側(cè)設(shè)置有收線架14，收線架14的頂端設(shè)置有滾輪15，收線架14的一側(cè)設(shè)置有收線輪16，溶鹽槽2的另一側(cè)設(shè)置有控制屏17，控制屏17的內(nèi)部設(shè)置有dsp信息處理器18和可編程程序控制器19，mft溫度傳感器10、數(shù)字式溫度傳感器12和可編程程序控制器19均與dsp信息處理器18電性連接，加熱板9、控制屏17和制冷器11均與可編程程序控制器19電性連接。

進(jìn)一步的，進(jìn)口6和出口13的一側(cè)設(shè)置有密封耐磨墊，防止空氣的進(jìn)入。

進(jìn)一步的，溶鹽槽2和過渡槽3之間通過焊接，連接方式簡單，便于操作。

進(jìn)一步的，儲鹽盒7的一側(cè)設(shè)置有密封蓋，防止雨水進(jìn)入和防塵。

進(jìn)一步的，溶鹽槽2和過渡槽3的底端設(shè)置有支撐架，支撐架的底端設(shè)置有驅(qū)動器，起到支撐的作用。

進(jìn)一步的，控制屏17的表面設(shè)置有防水涂層，防止受潮。

進(jìn)一步的，控制屏17與支撐架通過支撐板連接，安裝方便，便于操作。

工作原理：該種銅線生產(chǎn)冷卻槽，溶鹽槽2和過渡槽3的頂端均設(shè)置有排空閥4，排出溶鹽槽2和過渡槽3內(nèi)部的空氣，防止銅線氧化，溶鹽槽2的頂端設(shè)置有儲鹽盒7，溶鹽槽2的內(nèi)側(cè)設(shè)置有隔熱層8，溶鹽槽2的內(nèi)部的底端設(shè)置有加熱板9和mft溫度傳感器10，通過加熱板9將鹽融化，通過mft溫度傳感器10使得加熱板9能夠保證熔鹽的溫度始終保持在一定范圍內(nèi)且節(jié)約資源，同時(shí)通過熔鹽容易得到高的硬度和光潔的表面,不容易產(chǎn)生淬不硬的軟點(diǎn)，且防止冷處理時(shí)出現(xiàn)開裂，過渡槽3的內(nèi)部設(shè)置有制冷器11和數(shù)字式溫度傳感器12，通過制冷器11使得對銅線進(jìn)行進(jìn)一步的冷卻，且通過數(shù)字式溫度傳感器12對過渡箱3的內(nèi)部溫度進(jìn)行檢測，從而使得制冷器11能夠間歇性工作，節(jié)約資源。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種銅線生產(chǎn)冷卻槽，包括冷卻槽本體，溶鹽槽和過渡槽的頂端均設(shè)置有排空閥，溶鹽槽的頂端設(shè)置有儲鹽盒，溶鹽槽的內(nèi)側(cè)設(shè)置有隔熱層，溶鹽槽的內(nèi)部的底端設(shè)置有加熱板和MFT溫度傳感器，過渡槽的內(nèi)部設(shè)置有制冷器和數(shù)字式溫度傳感器，本發(fā)明溶鹽槽的頂端設(shè)置有儲鹽盒，溶鹽槽的內(nèi)側(cè)設(shè)置有隔熱層，溶鹽槽的內(nèi)部的底端設(shè)置有加熱板和MFT溫度傳感器，通過加熱板將鹽融化，通過MFT溫度傳感器使得加熱板能夠保證熔鹽的溫度始終保持在一定范圍內(nèi)且節(jié)約資源，同時(shí)通過熔鹽容易得到高的硬度和光潔的表面,不容易產(chǎn)生淬不硬的軟點(diǎn)，且防止冷處理時(shí)出現(xiàn)開裂。

技術(shù)研發(fā)人員：張文祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鹽城三強(qiáng)線纜有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.31
技術(shù)公布日：2017.08.01