技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種具有優(yōu)異光敏性能In2S3薄膜的制備方法，包括以下步驟：S1：基片預(yù)處理：將基片清洗干凈后吹干，并置于磁控濺射腔室內(nèi)，備用；S2：預(yù)濺射：在磁控濺射儀靶槍上安裝In2S3靶材，銦硫原子比為2：3，對磁控濺射腔室抽真空后再通入氬氣，襯底溫度為室溫，擋板遮住襯底，開始預(yù)濺射以除去In2S3靶材表面的污染物；S3：濺射沉積In2S3薄膜：經(jīng)步驟S2處理后，移開擋板，設(shè)置濺射功率為4～5W/㎝2，濺射氣壓為0.8～1.2Pa，在基片進(jìn)行濺射沉積，濺射時(shí)間為60～300s，獲得In2S3薄膜。該制備方法操作簡單、薄膜厚度均勻可控、重復(fù)性好、沉積速度快、制備成本低、效率高，適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)，值得在業(yè)內(nèi)推廣。

技術(shù)研發(fā)人員：余洲;郭濤;閆勇;趙勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西南交通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.19
技術(shù)公布日：2017.10.20