本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板生產(chǎn)技術(shù)，特別是一種支撐件及鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

在pvd(物理氣相沉積)鍍膜領(lǐng)域中，隨著靶材(target)利用率提升、純鋁工藝(metal1purealprocess)的上線，不但使運轉(zhuǎn)成本大幅降低也使得維護(hù)周期大幅的延長，如此也間接提升設(shè)備運行時間(equptime)及當(dāng)站的產(chǎn)出，但其中最大的瓶頸莫過于處理腔(processchamber)中的部件壽命(partslife)是否能匹配如此長的維護(hù)周期(pmcycle)，防著板首當(dāng)其沖，但很快便以粗糙表面(emboss(aet))結(jié)構(gòu)獲得改善，但隨后卻遇到更大的問題膜剝、微粒、破片問題，其中又以破片影響最大，而破片的原因便來自于用于壓住基板的支撐件(touchplate)，支撐件是在pvd鍍膜設(shè)備中固定玻璃基板的結(jié)構(gòu)。通過分析可知：純鋁工藝上線在腔內(nèi)會將兩個純鋁靶用完才保養(yǎng)，因此托盤上的touchplate須承受兩純鋁(al)靶共10000kw/hr的轟擊。支撐件無法承受10000kw/hr以上的鍍膜因此造成變形，變形之后就會使支撐件與基板的安全距離產(chǎn)生變化，便會使破片率上升，造成大量無效產(chǎn)能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種支撐件及鍍膜設(shè)備，從而降低破片率。

本發(fā)明提供了一種支撐件，包括本體，所述本體包括設(shè)于本體后部的裝配部以及設(shè)于本體前部的頭部，所述頭部包括設(shè)于頭部一側(cè)表面并且與裝配部相鄰的凸起部以及設(shè)于頭部前部的接觸部，所述接觸部與凸起部相鄰的一側(cè)表面形成接觸面，所述頭部的左右兩端延伸至本體的左右兩側(cè)外，使本體形成t字形。

進(jìn)一步地，所述凸起部與接觸面相鄰的一側(cè)壁為斜面。

進(jìn)一步地，所述頭部的表面上覆蓋有一緩沖件，所述緩沖件位于接觸部處的表面形成接觸面，而緩沖件位于凸起部的部分形成與接觸面具有高度差的高臺部，所述接觸面與高臺部之間的過渡面形成斜面。

進(jìn)一步地，所述斜面從接觸面的一側(cè)朝凸起部的一側(cè)高度依次遞增。

進(jìn)一步地，所述斜面的坡度為105°。

進(jìn)一步地，所述本體由聚四氟乙烯材料制成。

進(jìn)一步地，所述緩沖件由聚四氟乙烯材料制成。

進(jìn)一步地，所述頭部的長度大于裝配部的長度。

本發(fā)明還提供了一種鍍膜設(shè)備，包括用于放置基板的托盤，所述托盤中設(shè)有孔，在孔的四周分別設(shè)有用于壓在基板四周邊緣上的內(nèi)側(cè)防著板，在內(nèi)側(cè)防著板上設(shè)有所述的支撐件，所述本體通過裝配部與內(nèi)側(cè)防著板固定，接觸面與放置在托盤上的基板相對。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過增加支撐件中與基板接觸的接觸面面積，使承受沖擊力的表面積增加，這樣能夠使所受到的沖擊力減小，從而降低破片率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明支撐件的第一種結(jié)構(gòu)的主視圖；

圖2是本發(fā)明支撐件的第一種結(jié)構(gòu)的左視圖；

圖3是本發(fā)明支撐件的第二種結(jié)構(gòu)的主視圖；

圖4是本發(fā)明支撐件的第二種結(jié)構(gòu)的左視圖；

圖5是本發(fā)明支撐件與鍍膜設(shè)備的內(nèi)側(cè)防著板的連接示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

如圖1和圖2所示，作為本發(fā)明支撐件的第一種結(jié)構(gòu)，支撐件包括本體1，本體1包括設(shè)于本體1后部的裝配部2以及設(shè)于本體1前部的頭部3，在裝配部2上設(shè)有用于與部件連接的裝配孔6，本發(fā)明中裝配孔6為兩個，其沿裝配部2的長度方向設(shè)置，所述頭部3包括設(shè)于頭部3一側(cè)表面并且與裝配部2相鄰的凸起部4以及設(shè)于頭部3前部的接觸部5，所述接觸部5與凸起部4相鄰的一側(cè)表面形成接觸面8，所述頭部3的左右兩端延伸至本體1的左右兩側(cè)外，使本體1形成t字形；本實施例中，裝配部2的長度小于頭部3的長度，接觸部5的厚度大于裝配部2的厚度，從而使接觸面8的面積增加，這樣支撐件在與基板接觸時，由于接觸面8的面積增加，所受到的沖擊就減小，從而降低了破片率。

如圖2所示，將凸起部4與接觸面8相鄰的一側(cè)壁設(shè)置為斜面7，現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中凸起部4是用于阻擋基板，若基板放置過頭，凸起部4反而會壓破基板，因此將凸起部4與接觸面8相鄰的一側(cè)壁設(shè)置為斜面7，可以減少對基板的壓破。

具體地，斜面7從接觸面6的一側(cè)朝凸起部4的一側(cè)高度依次遞增，斜面7的坡度為102°，此坡度下的斜面對減少基板的壓破的效果最好。

所述本體1采用聚四氟乙烯(ptfe)，在pvd鍍膜設(shè)備的工藝溫度下，采用ptfe在100°能夠具有很好的柔軟彈性，這樣的特性即使放片位置異常，基板被凸起部4夾壓也不會造成破片，從而進(jìn)一步降低破片率。

如圖3和圖4所示，為本發(fā)明的第二種支撐件結(jié)構(gòu)，支撐件包括本體1，本體1包括設(shè)于本體1后部的裝配部2以及設(shè)于本體1前部的頭部3，在裝配部2上設(shè)有用于與部件連接的裝配孔6，本發(fā)明中裝配孔6為兩個，其沿裝配部2的長度方向設(shè)置，所述頭部3包括設(shè)于頭部3一側(cè)表面并且與裝配部2相鄰的凸起部4以及設(shè)于頭部3前部的接觸部5，所述接觸部5與凸起部4相鄰的一側(cè)表面形成接觸面8，所述頭部3的左右兩端延伸至本體1的左右兩側(cè)外，使本體1形成t字形；第二種支撐件結(jié)構(gòu)與第一種支撐件結(jié)構(gòu)的區(qū)別在于，頭部3的表面上覆蓋有一緩沖件9，所述緩沖件9位于接觸部5處的表面形成接觸面8，而緩沖件9位于凸起部4的部分形成與接觸面8具有高度差的高臺部10，所述接觸面8與高臺部10之間的過渡面形成斜面7；裝配部2的長度小于頭部3的長度，這樣支撐件在與基板接觸時，由于接觸面8的面積增加，而且設(shè)置緩沖件9，這樣所受到的沖擊就減小，從而降低了破片率。

本實施例中，接觸面8與高臺部10之間的過渡面設(shè)置成斜面7，在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中凸起部4是用于阻擋基板，若基板放置過頭，凸起部4反而會壓破基板，因此將接觸面8與高臺部10之間的過渡面設(shè)置成斜面7，可以減少對基板的壓破。

具體地，斜面7從接觸面6的一側(cè)朝凸起部4的一側(cè)高度依次遞增，斜面7的坡度為102°，此坡度下的斜面對減少基板的壓破的效果最好。

在第二種支撐件中，緩沖件9由聚四氟乙烯材料制成，在pvd鍍膜設(shè)備的工藝溫度下，采用ptfe能夠具有很好的柔軟彈性，這樣的特性即使放片位置異常，基板被凸起部4夾壓也不會造成破片，從而進(jìn)一步降低破片率。而僅將緩沖件采用上述材料制成，可以在保證支撐件的支撐強度的前提下，又能保證與基板接觸的部分具有柔軟彈性，從而避免破片。

在上述的第一種支撐件的結(jié)構(gòu)中，頭部3的長度為30mm；裝配部2的長度為19.3mm；本體總長度為28.5mm；裝配部2的厚度為2.1mm；本體的最大厚度為7mm。

第二種支撐件的結(jié)構(gòu)中，頭部3的長度為30mm；裝配部2的長度為19.3mm；本體總長度為28.5mm；裝配部2的厚度為2.1mm；高臺部10的厚度為3mm；接觸面8所在的緩沖件9的該部分厚度為2mm；本體1與緩沖件9結(jié)合后的最大厚度為7mm。

如圖5所示，作為一種示例性結(jié)構(gòu)，將本發(fā)明的支撐件用于鍍膜設(shè)備中，鍍膜設(shè)備包括用于放置基板的托盤12，所述托盤12中設(shè)有孔11，在孔11的四周分別設(shè)有用于壓在基板四周邊緣上的內(nèi)側(cè)防著板13，在內(nèi)側(cè)防著板13上設(shè)有上述兩種支撐件中的一種，所述本體1通過裝配部2上的裝配孔6與內(nèi)側(cè)防著板13固定，接觸面8與放置在托盤12上的基板相對。

當(dāng)基板被放置在孔11處使，基板的四周邊緣被內(nèi)側(cè)防著板13壓住，接觸面8與基板的表面貼合，由于內(nèi)側(cè)防著板13為金屬材料，無法能夠直接與基板接觸，因此，設(shè)置支撐件用以與基板接觸。

雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。