本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法。

背景技術(shù)：

貴金屬主要包括金、銀、鉑等等，特別的金屬銀作為貴金屬，具備觀賞性色澤，廣泛的應(yīng)用于珠寶飾品，裝飾和電子行業(yè)。雖然金屬銀對(duì)化學(xué)試劑的抵抗力相當(dāng)大，在一般條件下不易引起化學(xué)反應(yīng)，但是在長(zhǎng)期的使用過(guò)程中，金屬銀還是會(huì)跟空氣中的氧氣和硫化物進(jìn)行反應(yīng)，使得表面呈現(xiàn)出黑色的外觀，影響了銀制品的觀賞性。

目前貴金屬表面抗氧化防護(hù)主要包括兩種:

第一種，在金屬表面通過(guò)貼合的形式在表面覆蓋一層透明的塑料薄膜，有效地隔絕外界灰塵和氧化氣體對(duì)金屬表面的反應(yīng)，起到保護(hù)的效果；

第二種，在基材表面涂覆硅烷液體，在uv光源或者電子槍的作用下，在金屬表面均勻的生產(chǎn)微米級(jí)的透明氧化硅保護(hù)膜，同樣也能夠達(dá)到貴金屬表面防氧化的效果。

當(dāng)貴金屬表面出現(xiàn)氧化層或者難以去除的污漬，需要采用研磨的方法對(duì)表面進(jìn)行拋光以保持其金屬光澤，但是機(jī)械拋光往往會(huì)造成金屬重量的減輕。透明塑料薄膜的包裹不能很好的覆蓋異形貴金屬表面；而表面涂覆硅烷與水反應(yīng)生成類氧化硅保護(hù)膜的工藝，由于有機(jī)硅烷化學(xué)反應(yīng)和固化反應(yīng)等，副產(chǎn)物易造成污染，并且工藝過(guò)程也比較復(fù)雜，保護(hù)膜的質(zhì)量不能夠保證，無(wú)法長(zhǎng)效保持貴金屬的防氧化效果。

因此，研發(fā)一種在貴金屬表面鍍上附著力強(qiáng)的透明保護(hù)薄膜的真空鍍膜方法迫在眉睫。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，公開一種貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，該鍍膜方法能在貴金屬的表面沉積納米無(wú)機(jī)非金屬氧化物透明保護(hù)薄膜，實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬銀表面的防氧化防護(hù)，其以實(shí)現(xiàn)大批量貴金屬表面的防氧化薄膜制備，提高設(shè)備的生產(chǎn)效率，同時(shí)采用該工藝制備的防氧化薄膜具有優(yōu)良的基材附著力和耐摩擦性能。

為了達(dá)到上述技術(shù)目的，本發(fā)明是按以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明所述的一種貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，具體步驟是：

(1)對(duì)待鍍的貴金屬基材進(jìn)行鍍膜前的預(yù)清洗處理：

(2)在真空室低真空度的環(huán)境下，對(duì)待鍍的貴金屬基材通過(guò)離子源放電處理系統(tǒng)進(jìn)行表面放電處理；

(3)上述待鍍的貴金屬基材在離子源放電處理后，關(guān)閉離子源放電處理系統(tǒng)，重新抽至本底真空，通入有機(jī)硅烷單體和輔助放電氣體氬氣，采用等離子體化學(xué)氣相沉積的方法，在高壓功率源的作用下，使得有機(jī)硅烷單體裂解，在待鍍的貴金屬基材表面鍍制氧化硅防氧化膜；

(4)關(guān)閉放電電源，完成整個(gè)防氧化薄膜的制備流程，待真空室恢復(fù)大氣壓后，取出完成防氧化薄膜鍍制的貴金屬鍍膜制品。

作為上述技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，上述步驟(1)中所述的鍍膜前的預(yù)清洗處理為對(duì)待鍍的貴金屬基材進(jìn)行超聲清洗，其依次采用丙酮，酒精，去離子水超聲處理，超聲時(shí)間分別為15分鐘。

作為上述技術(shù)的更進(jìn)一步改進(jìn)，上述步驟(2)中的離子源放電處理?xiàng)l件為：真空度為2-10pa，常溫條件下放電處理5-15分鐘，以達(dá)到活化基材表面的目的，具體來(lái)說(shuō)，所述離子源放電處理?xiàng)l件的真空度優(yōu)選為5pa。

作為上述技術(shù)的更進(jìn)一步改進(jìn)，上述步驟(3)中所述等離子體化學(xué)氣相沉積方式制備氧化硅薄膜的條件是：真空度為1.0pa-100pa，采用的是中頻電源或者射頻電源進(jìn)行放電。具體來(lái)說(shuō)，所述等離子體化學(xué)氣相沉積方式制備氧化硅薄膜時(shí)真空度為10pa。

作為上述技術(shù)的更進(jìn)一步改進(jìn)，上述步驟(3)中所述的有機(jī)硅烷單體，為四乙氧基硅烷或六甲基二硅氧烷或八甲基環(huán)四硅氧烷。

作為上述技術(shù)的更進(jìn)一步改進(jìn)，上述步驟(3)中氧化硅防氧化膜厚度為100-1000nm。具體來(lái)說(shuō)，所述氧化硅防氧化薄膜的厚度優(yōu)選為200nm。

本發(fā)明還公開了上述貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法所制得的貴金屬鍍膜制品，該貴金屬鍍膜制品包括貴金屬基材，以及附著在貴金屬基材表面的氧化硅防氧化薄膜，該貴金屬鍍膜制品具有較好的表面防氧化效果。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明所述的貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，其由于采用的是真空環(huán)境下制備防氧化膜，薄膜與貴金屬基材表面的附著力好，整個(gè)工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)便安全，可以在貴金屬表面制得理想的防氧化薄膜，具有較佳的貴金屬防氧化效果。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)的說(shuō)明：

圖1是本發(fā)明所述的貴金屬鍍膜制品結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本發(fā)明所述的貴金屬鍍膜制品該貴金屬鍍膜制品，包括貴金屬基材1，以及附著在貴金屬基材1表面的氧化硅防氧化薄膜2，所述氧化硅防氧化膜2的厚度范圍為100-1000nm，具體來(lái)說(shuō)，所述氧化硅防氧化薄膜2的厚度優(yōu)選為200nm。該貴金屬鍍膜制品具有較好的表面防氧化效果。

以下具體說(shuō)明本發(fā)明所述的貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法：

本發(fā)明所述的一種貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，具體步驟是：

(1)對(duì)待鍍的貴金屬基材1進(jìn)行鍍膜前的預(yù)清洗處理：該鍍膜前的預(yù)清洗處理是通過(guò)對(duì)待鍍的貴金屬基材1進(jìn)行超聲清洗，其依次采用丙酮，酒精，去離子水超聲處理，超聲處理的時(shí)間分別為15分鐘。

(2)在真空室低真空度的環(huán)境下，對(duì)待鍍的貴金屬基材1通過(guò)離子源放電處理系統(tǒng)進(jìn)行表面放電處理。此時(shí)，真空室內(nèi)的真空度范圍值為2-10pa，常溫條件下放電處理5-15分鐘，以達(dá)到活化基材表面的目的，具體來(lái)說(shuō)，所述離子源放電處理?xiàng)l件的真空度優(yōu)選為5pa。

(3)上述待鍍的貴金屬基材1在離子源放電處理后，關(guān)閉離子源放電處理系統(tǒng)，重新抽至本底真空，通入有機(jī)硅烷單體和輔助放電氣體氬氣，采用等離子體化學(xué)氣相沉積的方法，在高壓功率源的作用下，使得有機(jī)硅烷單體裂解，在貴金屬基材1表面鍍制氧化硅防氧化膜2。該步驟(3)中所述等離子體化學(xué)氣相沉積方式制備氧化硅薄膜的條件是：真空度為1.0pa-100pa，采用的是中頻電源或者射頻電源進(jìn)行放電，具體來(lái)說(shuō)，所述等離子體化學(xué)氣相沉積方式制備氧化硅薄膜時(shí)真空度為10pa。此外，所述的有機(jī)硅烷單體，為四乙氧基硅烷或六甲基二硅氧烷或八甲基環(huán)四硅氧烷。所述氧化硅防氧化膜的厚度為100-1000nm，具體來(lái)說(shuō)，所述氧化硅防氧化薄膜的厚度優(yōu)選為200nm。

(4)關(guān)閉放電電源，完成整個(gè)防氧化薄膜的制備流程，待真空室恢復(fù)大氣壓后，取出完成防氧化薄膜鍍制的貴金屬鍍膜制品。

本發(fā)明所述的貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，通過(guò)該薄膜制備工藝，可以實(shí)現(xiàn)大批量貴金屬表面的防氧化薄膜制備，提高設(shè)備的生產(chǎn)效率，同時(shí)采用該工藝制備的防氧化薄膜具有優(yōu)良的基材附著力和耐摩擦性能。

本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，凡是對(duì)本發(fā)明的各種改動(dòng)或變型不脫離本發(fā)明的精神和范圍，倘若這些改動(dòng)和變型屬于本發(fā)明的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意味著包含這些改動(dòng)和變型。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體公開貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，具體步驟是：(1)對(duì)待鍍的貴金屬基材進(jìn)行鍍膜前的預(yù)清洗處理：(2)在低真空度的環(huán)境下，對(duì)待鍍的貴金屬基材通過(guò)離子源放電方式進(jìn)行表面放電處理；(3)上述待鍍的貴金屬基材在本底真空環(huán)境下，采用等離子體化學(xué)氣相沉積的方法，在高壓功率源的作用下，在待鍍的貴金屬基材的表面鍍制氧化硅防氧化膜；(4)完成整個(gè)防氧化薄膜過(guò)程。該鍍膜方法能在貴金屬的表面沉積納米無(wú)機(jī)非金屬氧化物透明保護(hù)薄膜，實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬銀表面的防氧化防護(hù)，其以實(shí)現(xiàn)大批量貴金屬表面的防氧化薄膜制備，提高設(shè)備的生產(chǎn)效率，同時(shí)采用該工藝制備的防氧化薄膜具有優(yōu)良的基材附著力和耐摩擦性能。

技術(shù)研發(fā)人員：潘振強(qiáng);朱惠欽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東振華科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.26
技術(shù)公布日：2017.10.03