本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于半導(dǎo)體晶片拋光的陶瓷載盤。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體晶片有蠟拋光工藝中，需使用蠟將晶片粘貼于陶瓷載盤的表面。由于晶片厚度較薄，同時(shí)拋光布本身有一定的彈性，在拋光過程中，如圖2所示，大部分的拋光液都被陶瓷盤邊緣阻擋至拋光區(qū)域以外，尤其是在使用較軟的精拋墊拋光薄晶片時(shí)，只有極少量的拋光液能進(jìn)入拋光區(qū)域參與拋光加工，導(dǎo)致拋光效率下降。同時(shí)，拋光區(qū)域中近陶瓷盤中心和外圈的拋光液分布嚴(yán)重不均衡，導(dǎo)致近陶瓷盤中心和邊緣的晶片拋光效率不同，直接影響晶片拋光后的精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體晶片拋光的陶瓷載盤。

一種用于半導(dǎo)體晶片拋光的陶瓷載盤，在所述陶瓷載盤與拋光布貼合面上開有導(dǎo)液槽，該導(dǎo)液槽使得拋光液在陶瓷載盤的導(dǎo)液槽中自由流動。

進(jìn)一步的，陶瓷載盤中貼晶片區(qū)域高于拋光液導(dǎo)液槽，貼晶片區(qū)域直徑略大于晶片直徑，貼晶片以外區(qū)域部分或全部低于貼晶片區(qū)域的高度。

本發(fā)明在陶瓷載盤上加工出適合拋光液流通的區(qū)域，該區(qū)域高度低于貼晶片。本發(fā)明增加了進(jìn)入拋光區(qū)域的拋光液量，晶片拋光效率得以提升。拋光區(qū)域中拋光液的分布更加均勻，使得晶片拋光精度得以提升。

附圖說明

通過參考附圖閱讀下文的詳細(xì)描述，本發(fā)明示例性實(shí)施方式的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得易于理解。在附圖中，以示例性而非限制性的方式示出了本發(fā)明的若干實(shí)施方式，其中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中陶瓷載盤結(jié)構(gòu)正視圖。

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中陶瓷載盤工作狀態(tài)俯視圖。

圖3是本發(fā)明的陶瓷載盤結(jié)構(gòu)正視圖。

圖4是本發(fā)明圖3中b-b方向的剖視圖。

圖5是本發(fā)明的陶瓷載盤工作狀態(tài)俯視圖。

1——陶瓷載盤，2——拋光布，3——晶片，4——拋光液，5——貼晶片區(qū)域，6——導(dǎo)液槽，7——帶有導(dǎo)液槽的陶瓷載盤。

具體實(shí)施方式

如圖3、4和5所示，一種用于半導(dǎo)體晶片拋光的陶瓷載盤，在所述陶瓷載盤與拋光布貼合面上開有導(dǎo)液槽，該導(dǎo)液槽使得拋光液在陶瓷載盤的導(dǎo)液槽中自由流動。陶瓷載盤中貼晶片區(qū)域高于拋光液導(dǎo)液槽，貼晶片區(qū)域直徑略大于晶片直徑，貼晶片以外區(qū)域部分或全部低于貼晶片區(qū)域的高度。

如圖5所示，使用帶有導(dǎo)液槽的陶瓷載盤拋光晶片時(shí)，拋光液可以在陶瓷載盤的導(dǎo)液槽中自由流動，參與拋光加工的拋光液的量得到了保證，同時(shí)拋光液的分布也更加均勻，使得拋光結(jié)果也更加穩(wěn)定,晶片拋光精度得以提升。陶瓷載盤中貼晶片區(qū)域高于拋光液導(dǎo)液槽，貼晶片區(qū)域直徑略大于晶片直徑，貼晶片以外區(qū)域可以部分或全部加工至低于貼晶片區(qū)域的高度。

帶有導(dǎo)液槽的陶瓷盤上粘貼晶片區(qū)域的邊緣到晶片邊緣的距離為2～4mm,可以依據(jù)晶片的形狀對粘片區(qū)域進(jìn)行加工。導(dǎo)液槽的深度一般介于0.2mm～2mm之間。晶片貼片區(qū)域以外可以整體加工也可以部分加工,所有導(dǎo)液槽聯(lián)通，確保拋光液在導(dǎo)液槽之間可自由流動。

值得說明的是，雖然前述內(nèi)容已經(jīng)參考若干具體實(shí)施方式描述了本發(fā)明創(chuàng)造的精神和原理，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明并不限于所公開的具體實(shí)施方式，對各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合，這種劃分僅是為了表述的方便。本發(fā)明旨在涵蓋所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)所包括的各種修改和等同布置。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種用于半導(dǎo)體晶片拋光的陶瓷載盤，在所述陶瓷載盤與拋光布貼合面上開有導(dǎo)液槽，該導(dǎo)液槽使得拋光液在陶瓷載盤的導(dǎo)液槽中自由流動。陶瓷載盤中貼晶片區(qū)域高于拋光液導(dǎo)液槽，貼晶片區(qū)域直徑略大于晶片直徑，貼晶片以外區(qū)域部分或全部低于貼晶片區(qū)域的高度。

技術(shù)研發(fā)人員：王永成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海致領(lǐng)半導(dǎo)體科技發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.08
技術(shù)公布日：2017.09.05