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一種高純鎂粉末制備方法與流程

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一種高純鎂粉末制備方法與流程

本發(fā)明涉及金屬粉末制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高純鎂粉末制備方法。



背景技術(shù):

鎂粉比表面積大,表面活性強(qiáng),可用于制造化工產(chǎn)品、炸藥、煙火等,還可用作還原劑、脫硫劑、3d打印原料,廣泛應(yīng)用于軍工業(yè)、航天工業(yè)、煉鋼業(yè)及有色金屬鑄造等領(lǐng)域?,F(xiàn)有鎂粉的制備方式主要包括機(jī)械球磨法和霧化法。機(jī)械球磨法生產(chǎn)效率低,粉末易氧化,產(chǎn)品純度低;霧化法生產(chǎn)的粉末粒度分布范圍較廣,球形率不高;且兩種方法得到的顆粒多為微米級(jí),無(wú)法制備納米級(jí)粉末,不能滿足市場(chǎng)需求。

專利號(hào)cn101116913a公開(kāi)了一種制備納米晶鎂合金粉末的方法,通過(guò)球磨和真空脫氫得到納米粉末,但其球磨時(shí)間長(zhǎng),生產(chǎn)效率低,同時(shí)需要額外的充氫和真空脫氫過(guò)程,工序繁雜,引入其他雜質(zhì),無(wú)法短流程快速獲得納米粉末。專利號(hào)cn101758224a提供了一種在低溫下高頻切割制備納米鎂粉的方法,但是該方法需使用超高轉(zhuǎn)速(5500-6000轉(zhuǎn)/分鐘)進(jìn)行切割,耗能大,且生產(chǎn)效率低。

專利號(hào)cn102615289a公開(kāi)了一種蒸發(fā)-冷凝制備超細(xì)金屬粉末的方法,此法可以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)粉末的制備,但該方法需將工作氣體加熱至足夠高溫,使氣體等離子化后與金屬蒸氣相互作用實(shí)現(xiàn),且設(shè)備復(fù)雜昂貴,能耗較高,大規(guī)模應(yīng)用性差。該方法使用工作氣體n2和h2會(huì)與mg發(fā)生反應(yīng),后續(xù)需進(jìn)行脫氫脫氮處理,無(wú)法實(shí)現(xiàn)高純鎂的直接制備。專利號(hào)cn102491289a提供了一種直流電弧等離子法制備納米級(jí)鎂粉的方法,該法存在的問(wèn)題同樣是需要使用等離子加熱,耗能高。

專利號(hào)cn103862060a公開(kāi)了一種真空熱還原制備鎂粉的方法,該方法從皮江法開(kāi)始,能夠在真空環(huán)境中連續(xù)制備鎂粉,但該方法使用的真空對(duì)設(shè)備要求較高;此外,該方法要求精準(zhǔn)的溫度壓力控制,生產(chǎn)過(guò)程中易產(chǎn)生塊狀或筒狀結(jié)晶鎂與鎂粉混雜的問(wèn)題,且鎂粉的粒度不能得到有效保證。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提出一種高純鎂粉末制備方法,本發(fā)明制備工藝極為簡(jiǎn)單,耗能少,可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模粉末制備生產(chǎn),解決現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)效率低、產(chǎn)品純度低的問(wèn)題,同時(shí)制備的鎂粉粒度小、分布集中,為納米級(jí)高純粉末。

本發(fā)明能夠解決的問(wèn)題:(1)現(xiàn)有機(jī)械球磨法球磨時(shí)間長(zhǎng),生產(chǎn)效率不高;(2)現(xiàn)有霧化法能耗較高,粉末粒度分布范圍廣,產(chǎn)品質(zhì)量差,球形率不理想,生產(chǎn)中霧化噴嘴易堵塞,粉末一般為微米級(jí);(3)現(xiàn)有方法涉及的設(shè)備復(fù)雜,成本高。

本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種高純鎂粉末制備方法,通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn):

(1)裝料。將鎂塊放入陶瓷舟中卷入石墨碳紙后裝入剛玉管,將剛玉管放入管式爐內(nèi)。兩端分別與氣體控制閥和真空泵相連接。

(2)洗氣。先將管內(nèi)抽真空到-0.1mpa,然后通入高純惰性氣體到0.1mpa,完成一次“洗氣”,如此往復(fù)完成2-6次“洗氣”后,保持剛玉管內(nèi)整體氣壓為0.1mpa,持續(xù)通入流動(dòng)的高純惰性氣體。

(3)升華冷凝及產(chǎn)物收集。升溫至700~1500℃(優(yōu)選1000~1300℃),使鎂塊在持續(xù)流通的惰性氣體環(huán)境中升華為鎂蒸氣,通過(guò)流動(dòng)的惰性氣體將鎂蒸氣帶入冷凝區(qū),冷凝區(qū)固化溫度控制為400℃以下(優(yōu)選200-400℃),鎂蒸氣在冷凝區(qū)冷凝固化后形成粉末,保溫至原料完全升華后冷卻至室溫,在冷凝區(qū)收集裝置內(nèi)獲得高純鎂粉,取出后置于手套箱內(nèi)保存。

本發(fā)明適用于多種高純金屬粉末制備,包括但不局限于鎂粉。

本發(fā)明所述鎂塊指所有形式的鎂產(chǎn)品,包括但不局限于工業(yè)制備的粗鎂、鎂錠或回收利用的鎂產(chǎn)品等。

本發(fā)明所述的高純惰性氣體純度為99.99%及以上,氣體種類包括所有不與鎂蒸氣反應(yīng)的氣體,包括但不局限于氬氣、氦氣、氖氣、氪氣、氙氣或氡氣等。

本發(fā)明所述的通入高純惰性氣體的流速范圍為0.5~5000lpm(優(yōu)選10~500lpm),且氬氣可實(shí)現(xiàn)循環(huán)使用。

本發(fā)明所述的保溫溫度為700~1500℃(優(yōu)選1000~1300℃)。

本發(fā)明所述的固化溫度為400℃以下(優(yōu)選200-400℃)。

本發(fā)明所述的保溫時(shí)間由加入的鎂塊原料量決定。

本發(fā)明所述的冷凝區(qū)冷凝方式包括但不局限于水冷、氨冷或液氮冷卻等。

本發(fā)明所述的收集裝置由金屬、聚合物或陶瓷制成,可為任何用來(lái)盛裝鎂粉的本領(lǐng)域已知容器形狀,不受特別限制。

所述的高純鎂粉末是指純度高于99.9%以上的鎂粉末。

與傳統(tǒng)的鎂粉制備方法相比,本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn):(1)粉末粒度直徑可通過(guò)溫度和惰性氣體流速控制;(2)粉末粒徑分布組織為納米級(jí);(3)得到的粉末為高純粉末,不會(huì)引入外來(lái)雜質(zhì);(4)設(shè)備簡(jiǎn)單,方法簡(jiǎn)便,成本低;(5)大幅縮短生產(chǎn)周期,可迅速大規(guī)模應(yīng)用。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一制得高純鎂粉末的sem圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例二制得高純鎂粉末的sem圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。

實(shí)施例一:

(1)裝料。將30g鎂錠放入陶瓷舟中卷入石墨碳紙后裝入剛玉管,將剛玉管放入管式爐內(nèi)。兩端分別與氣體控制閥和真空泵相連接。

(2)洗氣。先將管內(nèi)抽真空到-0.1mpa,然后通入高純惰性氣體到0.1mpa,完成一次“洗氣”,如此往復(fù)完成3次“洗氣”后,保持剛玉管內(nèi)整體氣壓為0.1mpa,持續(xù)通入流動(dòng)的高純惰性氣體,流量設(shè)置為3lpm。

(3)升華冷凝及產(chǎn)物收集。升溫至1200℃,使鎂塊在持續(xù)流通的惰性氣體環(huán)境中升華為鎂蒸氣,通過(guò)流動(dòng)的惰性氣體將鎂蒸氣帶入冷凝區(qū),冷凝區(qū)固化溫度控制為400℃以下(優(yōu)選200-400℃),鎂蒸氣在冷凝區(qū)冷凝固化后形成粉末,保溫至原料完全升華后冷卻至室溫,在冷凝區(qū)收集裝置內(nèi)獲得高純鎂粉,取出后置于手套箱內(nèi)保存。

實(shí)施例二:

(1)裝料。將30g粗鎂放入陶瓷舟中卷入石墨碳紙后裝入剛玉管,將剛玉管放入管式爐內(nèi)。兩端分別與氣體控制閥和真空泵相連接。

(2)洗氣。先將管內(nèi)抽真空到-0.1mpa,然后通入高純惰性氣體到0.1mpa,完成一次“洗氣”,如此往復(fù)完成3次“洗氣”后,保持剛玉管內(nèi)整體氣壓為0.1mpa,持續(xù)通入流動(dòng)的高純惰性氣體,流量設(shè)置為10lpm。

(3)升華冷凝及產(chǎn)物收集。升溫至1200℃,使鎂塊在持續(xù)流通的惰性氣體環(huán)境中升華為鎂蒸氣,通過(guò)流動(dòng)的惰性氣體將鎂蒸氣帶入冷凝區(qū),冷凝區(qū)固化溫度控制為400℃以下(優(yōu)選200-400℃),鎂蒸氣在冷凝區(qū)冷凝固化后形成粉末,保溫至原料完全升華后冷卻至室溫,在冷凝區(qū)收集裝置內(nèi)獲得高純鎂粉,取出后置于手套箱內(nèi)保存。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種高純鎂粉末制備方法,該方法將鎂塊于1100~1300℃加熱,使其在持續(xù)流通的惰性氣體環(huán)境中升華,保溫一段時(shí)間后冷卻至室溫,在冷凝區(qū)的收集裝置處得到高純鎂粉。通過(guò)控制溫度和惰性氣體流速可有效調(diào)控粉末粒度,提高產(chǎn)率。與傳統(tǒng)的粉末制備方式相比,本發(fā)明簡(jiǎn)便易行,周期短,成本低,粉末粒徑小純度高,可實(shí)現(xiàn)低成本短周期大批量高純鎂粉的制備。

技術(shù)研發(fā)人員:單智偉;李姣;劉飛;劉博宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者:西安交通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.08.22
技術(shù)公布日:2017.11.14
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