本發(fā)明涉及顯示器制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種成膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition)即等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，基本原理是在保持一定壓力的原料氣體中，輸入直流、高頻或微波功率，產(chǎn)生氣體放電，形成等離子體，從而大大增強(qiáng)反應(yīng)氣體的化學(xué)活性，達(dá)到沉積薄膜的目的，可在更低的溫度下成膜。

如圖1所示，現(xiàn)有的成膜設(shè)備，主要包括：具有第一腔室的上蓋01和具有第二腔室的底座02，上蓋01蓋合底座02時(shí)，第一腔室和第二腔室便形成一反應(yīng)腔。成膜設(shè)備，在進(jìn)行一段時(shí)間薄膜沉積后，需要定時(shí)打開上蓋進(jìn)行清潔維護(hù)。而每次蓋合時(shí)，需要上蓋和底座反復(fù)對位才能保證上蓋精確蓋合底座，反復(fù)對位會(huì)使得上蓋的邊緣和底座的邊緣發(fā)生摩擦產(chǎn)生磨損(如圖2所示)，進(jìn)而會(huì)產(chǎn)生碎屑，碎屑會(huì)對反應(yīng)腔造成污染，降低成膜品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種成膜設(shè)備，用以減少摩擦碎屑的產(chǎn)生，進(jìn)而減少碎屑對反應(yīng)腔造成的污染，提高成膜品質(zhì)。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供了一種成膜設(shè)備，包括：具有第一腔室的底座，用于至少蓋合所述第一腔室的開口的上蓋，位于所述上蓋和所述底座之間的第一密封圈，其中，所述上蓋具有傾斜的斜面，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影與所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所圍成的區(qū)域有交疊，且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外側(cè)，所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相對于所述斜面上遠(yuǎn)離所述第一腔室的部分遠(yuǎn)離所述底座的底面。

本發(fā)明提供的成膜設(shè)備，通過設(shè)置的第一密封圈，可以對上蓋和底座起到密封連接的作用，對于外界的雜質(zhì)或上蓋和底座位于第一密封圈外周的部分發(fā)生磨損而產(chǎn)生的碎屑可以起到較好的阻隔作用，此外由于上蓋上設(shè)有斜面，斜面在底座的底面所在平面上的正投影與第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所圍成的區(qū)域有交疊，斜面靠近第一腔室的一端相對斜面靠近所述密封圈的一端遠(yuǎn)離底座的底面，即使第一密封圈磨損或發(fā)生形變，上蓋和底座位于第一密封圈內(nèi)的部分也不容易發(fā)生磨損，產(chǎn)生碎屑。

故，本發(fā)明提供的成膜設(shè)備，可以減少摩擦碎屑的產(chǎn)生，進(jìn)而減少碎屑對反應(yīng)腔造成的污染，提高成膜品質(zhì)。

在一些可選的實(shí)施方式中，所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影所圍成的區(qū)域的外側(cè)，所述成膜設(shè)備還包括：位于所述上蓋和所述底座之間的第二密封圈，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影完全覆蓋所述第二密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影。

在一些可選的實(shí)施方式中，所述第一密封圈和所述第二密封圈均為o型密封圈。

在一些可選的實(shí)施方式中，所述上蓋的邊緣上設(shè)有至少一塊第一電磁鐵；所述底座的邊緣上設(shè)有與所述第一電磁鐵一一對應(yīng)的第二電磁鐵，其中所述第一電磁鐵和所述第二電磁鐵通電后相互吸引用于將所述上蓋和所述底座連接。通過上蓋上設(shè)置的第一電磁鐵和底座上設(shè)置的第二電磁鐵可以方便上蓋和底座對位連接，第一電磁鐵和第二電磁鐵通電后產(chǎn)生相互吸引力，會(huì)輔助上蓋和底座對位，減少現(xiàn)有技術(shù)中，上蓋和底座對位時(shí)重復(fù)摩擦產(chǎn)生磨損現(xiàn)象的發(fā)生，減少碎屑的產(chǎn)生，進(jìn)而減少碎屑對反應(yīng)腔造成的污染，提高成膜品質(zhì)。

在一些可選的實(shí)施方式中，所述第二密封圈的橫截面直徑大于所述第一密封圈的橫截面直徑。由于存在斜面，故將與斜面對應(yīng)的第二密封圈設(shè)置的較粗一些，可以提高密封效果。

在一些可選的實(shí)施方式中，所述斜面與所述底座的底面所在平面的夾角大于等于1度且小于等于5度。

在一些可選的實(shí)施方式中，所述第一密封圈和所述第二密封圈均位于所述底座上。

在一些可選的實(shí)施方式中，成膜設(shè)備，還包括：

真空吸附裝置；

所述底座上設(shè)有吸塵槽，所述吸塵槽位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之間；

所述底座上還設(shè)有一端與所述吸塵槽的槽底連通、另一端與所述真空吸附裝置連通的傳輸通道。真空吸附裝置可以吸走由于密封圈老化等原因產(chǎn)生的雜質(zhì)，提高反應(yīng)腔的清潔度。

在一些可選的實(shí)施方式中，成膜設(shè)備，還包括：

為所述第一電磁鐵提供電流的第一供電裝置；

為所述第二電磁鐵提供電流的第二供電裝置。單獨(dú)設(shè)置的供電裝置，便于連接，結(jié)構(gòu)簡單。

在一些可選的實(shí)施方式中，所述第二電磁鐵位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之間。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的成膜設(shè)備的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的成膜設(shè)備磨損示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的成膜設(shè)備的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的底座的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的成膜設(shè)備的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的上蓋的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

01-上蓋02-底座

1-上蓋11-第二腔室

12-斜面2-底座

21-第一腔室22-吸塵槽

23-傳輸通道31-第一電磁鐵

32-第二電磁鐵41-第一密封圈

42-第二密封圈a-夾角

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明專利保護(hù)的范圍。

如圖3所示，本發(fā)明提供了一種成膜設(shè)備，包括：具有第一腔室21的底座2，用于至少蓋合第一腔室21的開口的上蓋1，位于上蓋1和底座2之間的第一密封圈41，其中，上蓋1具有傾斜的斜面12，斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影與第一密封圈41在底座2的底面所在平面上的正投影所圍成的區(qū)域有交疊，且斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影位于第一腔室21在底座2的底面所在平面上的正投影的外側(cè)，斜面12上靠近第一腔室21的一端相對斜面12上遠(yuǎn)離第一腔室21的部分遠(yuǎn)離底座2的底面。

本發(fā)明提供的成膜設(shè)備，通過設(shè)置的第一密封圈41，可以對上蓋1和底座2起到密封連接的作用，對于外界的雜質(zhì)或上蓋1和底座2位于第一密封圈41外周的部分發(fā)生磨損而產(chǎn)生的碎屑可以起到較好的阻隔作用，此外由于上蓋1上設(shè)有斜面12，斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影與第一密封圈41在底座2的底面所在平面上的正投影所圍成的區(qū)域內(nèi)有交疊，斜面12靠近第一腔室21的一端相對斜面12靠近密封圈41的一端遠(yuǎn)離底座2的底面，即使第一密封圈41磨損或發(fā)生形變，上蓋1和底座2位于第一密封圈41內(nèi)的部分也不容易發(fā)生磨損，產(chǎn)生碎屑。

故，本發(fā)明提供的成膜設(shè)備，可以減少摩擦碎屑的產(chǎn)生，進(jìn)而減少碎屑對反應(yīng)腔造成的污染，提高成膜品質(zhì)。

上述斜面在底座的底面所在平面上的正投影與第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所圍成的區(qū)域有交疊，具體結(jié)構(gòu)包括：第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影位于斜面在底座的底面所在平面上的正投影所圍成的區(qū)域的外側(cè)，也或者，斜面在底座的底面所在平面上的正投影圍成的區(qū)域完全覆蓋第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所圍成的區(qū)域，在立體圖中，第一密封圈位于斜面的下方。

一種可選的實(shí)施方式中，如圖4所示，第一密封圈41在底座2的底面所在平面上的正投影位于斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影圍成的區(qū)域的外側(cè)，上述成膜設(shè)備還包括：位于上蓋1和底座2之間的第二密封圈42，斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影完全覆蓋第二密封圈42在底座2的底面所在平面上的正投影。將密封圈設(shè)置為兩層結(jié)構(gòu)，可以提高密封效果。

上述第一密封圈41和第二密封圈42的具體形狀可以有多種，可選的，第一密封圈41和第二密封圈42均為o型密封圈。

如圖5和圖6所示，上蓋1的邊緣上設(shè)有至少一塊第一電磁鐵31；底座2的邊緣上設(shè)有與第一電磁鐵31一一對應(yīng)的第二電磁鐵32，其中第一電磁鐵31和第二電磁鐵32通電后相互吸引，上蓋1至少蓋合底座2上具有的第二腔室21的開口。當(dāng)上蓋1蓋合底座2時(shí)，第一腔室11和第二腔室21形成反應(yīng)腔。通過上蓋1上設(shè)置的第一電磁鐵31和底座2上設(shè)置的第二電磁鐵32可以方便上蓋1和底座2對位連接，第一電磁鐵31和第二電磁鐵32通電后產(chǎn)生相互吸引力，會(huì)輔助上蓋1和底座2對位，減少現(xiàn)有技術(shù)中，上蓋1和底座2對位時(shí)重復(fù)摩擦產(chǎn)生磨損現(xiàn)象的發(fā)生，減少碎屑的產(chǎn)生，進(jìn)而減少碎屑對反應(yīng)腔造成的污染，提高成膜品質(zhì)。

當(dāng)進(jìn)行關(guān)腔時(shí)，上蓋1下降至一定位置，預(yù)先粗對準(zhǔn)后，第一電磁鐵31和第二電磁鐵32通電后產(chǎn)生磁性，產(chǎn)生吸引以輔助上蓋1和底座2對位，可以有效防止現(xiàn)有技術(shù)中的接觸后再移動(dòng)造成的相互間磨損現(xiàn)象的發(fā)生。

上述第一電磁鐵31可以嵌入上蓋1中，也可以貼附在上蓋1的表面，相應(yīng)的，上述第二電磁鐵32也可以嵌入底座2中，也可以貼附在底座2的表面。

如圖5所示，上蓋1也可以具有一第二腔室11，第一腔室和第二腔室蓋合后形成反應(yīng)腔。

一種可選的實(shí)施方式中，第二密封圈42的橫截面直徑大于第一密封圈41的橫截面直徑。由于存在斜面12，故將與斜面12對應(yīng)的第二密封圈42設(shè)置的較粗一些，可以提高密封效果。

如圖3所示，本發(fā)明提供的成膜設(shè)備中，斜面12與底座2的底面所在平面的夾角a大于等于1度且小于等于5度?？蛇x的，傾斜的角度可以為1度、1.2度、2度、2.5度、3度、3.5度、4度、5度等，這里就不再一一贅述。

上述第一密封圈41和第二密封圈42的設(shè)置位置可以有多種，可選的第一密封圈41和第二密封圈42均位于底座2上。

為了進(jìn)一步提高反應(yīng)腔內(nèi)的清潔度，成膜設(shè)備，還包括：

真空吸附裝置；

底座2上設(shè)有吸塵槽22，吸塵槽22位于第一密封圈41和第二密封圈42之間；

底座2上還設(shè)有一端與吸塵槽22的槽底連通、另一端與真空吸附裝置連通的傳輸通道23。真空吸附裝置可以吸走由于密封圈老化等原因產(chǎn)生的雜質(zhì)，提高反應(yīng)腔的清潔度。

上述真空吸附裝置的具體結(jié)構(gòu)可以有多種，可選的，真空吸附裝置為抽氣筒。

上述吸塵槽22的具體設(shè)置位置以及大小、形狀等，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，可選的，吸塵槽22圍繞第一密封圈41的外周設(shè)置。

上述第二電磁鐵32在底座2上的具體位置也可以有多種，可選的，如圖4所示，第二電磁鐵32位于第一密封圈41和第二密封圈42之間，當(dāng)然第二電磁鐵32和第一電磁31的具體個(gè)數(shù)也不限制，可以為兩個(gè)，三個(gè)等。

本發(fā)明提供的一種實(shí)施方式中，成膜設(shè)備，還包括：

為第一電磁鐵31提供電流的第一供電裝置；

為第二電磁鐵32提供電流的第二供電裝置。單獨(dú)設(shè)置的供電裝置，便于連接，結(jié)構(gòu)簡單。

上述第一電磁鐵31和第二電磁鐵32的具體形狀可以有多種，可選的，可以均為圓柱形或均為長方體，也可以部分為圓柱形，部分為長方體，這里就不再一一贅述。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。