1.一種動態(tài)電弧生長儀，其特征在于，包括高壓正極、高壓負(fù)極、控制處理器、第一IGBT、第二IGBT、限流電阻、正鎢電極桿組和負(fù)鎢電極桿組，所述正鎢電極桿組包括第一鎢電極桿、第二鎢電極桿、第三鎢電極桿、第四鎢電極桿、第五鎢電極桿和第六鎢電極桿，所述負(fù)鎢電極桿組包括第七鎢電極桿、第八鎢電極桿、第九鎢電極桿、第十鎢電極桿、第十一鎢電極桿和第十二鎢電極桿，正鎢電極桿組和負(fù)鎢電極桿組交叉排列，并構(gòu)成放電單元二維點陣，正鎢電極桿組和負(fù)鎢電極桿組為上下交叉，兩個鎢電極桿組之間的間隙為d，正鎢電極桿組為豎向排列，正鎢電極桿組依次通過限流電阻、第一IGBT和高壓正極相連，負(fù)鎢電極桿組為橫向排列，負(fù)鎢電極桿組通過第二IGBT與高壓負(fù)極相連，所述控制處理器分別與第一IGBT和第二IGBT相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種動態(tài)電弧生長儀，其特征在于，正鎢電極桿組和負(fù)鎢電極桿組中，相鄰兩鎢電極桿的間距為4mm，每個鎢電極桿的直徑為1mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種動態(tài)電弧生長儀，其特征在于，兩個鎢電極桿組之間的間隙d為1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種動態(tài)電弧生長儀，其特征在于，高壓正極為1千伏高壓正極，高壓負(fù)極為1千伏高壓負(fù)極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種動態(tài)電弧生長儀，其特征在于，第一IGBT和第二IGBT的放電頻率為40KHz。