本申請(qǐng)涉及鍍膜,特別是涉及一種鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù):
1、鍍膜技術(shù)是在腔體內(nèi)通過(guò)熱蒸發(fā)或?yàn)R射等方法在柔性基材(可卷繞)上制備一層或者多層具有一定功能的薄膜的技術(shù)?,F(xiàn)有的大多數(shù)鍍膜設(shè)備在一次鍍膜階段時(shí)僅僅能夠?qū)倪M(jìn)行單面鍍膜(如申請(qǐng)?zhí)?01510068222.1的公開(kāi)文獻(xiàn),專(zhuān)利名稱(chēng):一種單面往復(fù)連續(xù)鍍膜磁控濺射卷繞鍍膜機(jī))。當(dāng)需要對(duì)基材進(jìn)行雙面鍍膜時(shí),鍍膜設(shè)備需要經(jīng)過(guò)二次鍍膜階段。其中,“一次鍍膜階段”是指鍍膜設(shè)備經(jīng)營(yíng)造腔體內(nèi)部環(huán)境(如抽真空)后開(kāi)始鍍膜至鍍膜結(jié)束的處理過(guò)程,一次鍍膜階段僅需一次營(yíng)造腔體內(nèi)部環(huán)境。
2、目前的鍍膜設(shè)備大多僅能夠在基材的單面進(jìn)行鍍膜,當(dāng)需要在基材雙面鍍?cè)O(shè)多層材料時(shí),需要打開(kāi)腔體調(diào)換基材對(duì)基材進(jìn)行翻面,也需要兩次營(yíng)造腔體內(nèi)部環(huán)境,生產(chǎn)效率較低。
3、為此,在相關(guān)技術(shù)中(如申請(qǐng)?zhí)?02010053715.9的公開(kāi)文獻(xiàn),專(zhuān)利名稱(chēng)”一種鍍膜機(jī)),其針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題,提出了一種不需要打開(kāi)真空腔體就能夠?qū)崿F(xiàn)單腔體鍍膜機(jī)的基材的雙面上同時(shí)鍍上不同材料的鍍膜機(jī),但是該鍍膜機(jī)在雙面鍍?cè)O(shè)多層膜層時(shí),需要停機(jī)以通過(guò)回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)切換冷卻輥位置,生產(chǎn)效率仍舊較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于上述問(wèn)題,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鍍膜設(shè)備,能夠解決鍍膜設(shè)備生產(chǎn)效率低的問(wèn)題。
2、第一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N鍍膜設(shè)備,包括兩組鍍膜組,兩組鍍膜組布置于同一基材的走帶路徑上,每一鍍膜組均包括多個(gè)冷卻輥和多個(gè)鍍膜機(jī)構(gòu),且每一鍍膜機(jī)構(gòu)均與一個(gè)冷卻輥相對(duì)且間隔設(shè)置以供基材穿設(shè)。其中之一鍍膜組中,冷卻輥用于與基材的第一面相接觸,鍍膜機(jī)構(gòu)用于對(duì)基材的第二面鍍膜。另一鍍膜組中,冷卻輥用于與第二面相接觸,鍍膜機(jī)構(gòu)用于對(duì)第一面鍍膜。
3、本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案中,通過(guò)設(shè)置兩組鍍膜組,能夠在一次鍍膜階段中分別對(duì)同一基材的不同兩個(gè)鍍膜面進(jìn)行鍍膜,能夠大大提高鍍膜設(shè)備的鍍膜效率。而且,各組鍍膜組均包括多對(duì)冷卻輥和鍍膜機(jī)構(gòu),可對(duì)基材的某一鍍膜面進(jìn)行多層鍍膜,進(jìn)一步提高了鍍膜設(shè)備的鍍膜效率。
4、在一些實(shí)施例中,沿各鍍膜機(jī)構(gòu)的鍍膜次序,相鄰的兩個(gè)鍍膜機(jī)構(gòu)所裝載的鍍膜材料不同。此時(shí),將在鍍膜次序上相鄰的兩個(gè)鍍膜機(jī)構(gòu)所裝載的鍍膜材料不同,使得相鄰的兩個(gè)鍍膜機(jī)構(gòu)能夠在基材上鍍?cè)O(shè)形成材料不同的膜層,可以利用不同材料的膜層間的物理化學(xué)性質(zhì)不同來(lái)提高鍍膜后的基材的物理化學(xué)性能,進(jìn)而提高基材的鍍膜質(zhì)量。
5、在一些實(shí)施例中,各鍍膜組中,沿基材的走帶方向,各鍍膜機(jī)構(gòu)的布置順序按照對(duì)應(yīng)的鍍膜次序布置。此時(shí),隨著基材的行走,其中一組鍍膜組的各鍍膜機(jī)構(gòu)依次對(duì)基材的第一面進(jìn)行鍍膜,另一組鍍膜組的各鍍膜機(jī)構(gòu)依次對(duì)基材的第二面進(jìn)行鍍膜,當(dāng)基材的各部分走完對(duì)應(yīng)路徑時(shí),基材的第一面和第二面全部被鍍膜,也就是說(shuō),基材僅需一次走帶即可完成雙面鍍膜,鍍膜效率高。
6、在一些實(shí)施例中,各鍍膜組均包括至少兩個(gè)鍍膜機(jī)構(gòu),沿鍍膜機(jī)構(gòu)的次序,至少兩個(gè)鍍膜機(jī)構(gòu)被配置為用于在基材上依次鍍?cè)O(shè)陶瓷打底層和金屬層。此時(shí),基材的各鍍膜面途徑各鍍膜組的各鍍膜機(jī)構(gòu)時(shí),能夠順次被鍍?cè)O(shè)上陶瓷打底層和金屬層,利用陶瓷打底層直接鍍?cè)O(shè)在基材上,可以提高膜層在基材上的附著力,同時(shí)將金屬層鍍?cè)O(shè)在打底層上,可以改善金屬層的鍍?cè)O(shè)缺陷(如針孔、孔洞)。另外,陶瓷打底層的導(dǎo)熱性能好,散熱速度快,可以放置基材在鍍膜機(jī)構(gòu)所產(chǎn)生的高溫下過(guò)快變形。
7、在一些實(shí)施例中,各鍍膜組均包括至少三個(gè)鍍膜機(jī)構(gòu),沿鍍膜機(jī)構(gòu)的鍍膜次序,至少三個(gè)鍍膜機(jī)構(gòu)被配置為用于在基材上依次鍍?cè)O(shè)陶瓷打底層、金屬層和陶瓷鈍化層。此時(shí),基材的各鍍膜面途徑各鍍膜組的各鍍膜機(jī)構(gòu)時(shí),能夠順次被鍍?cè)O(shè)上陶瓷打底層、金屬層和陶瓷鈍化層,利用陶瓷打底層直接鍍?cè)O(shè)在基材上,可以提高膜層在基材上的附著力,同時(shí)將金屬層鍍?cè)O(shè)在打底層上,可以改善金屬層的鍍?cè)O(shè)缺陷(如針孔、孔洞)。而且,陶瓷打底層的導(dǎo)熱性能好,散熱速度快,可以放置基材在鍍膜機(jī)構(gòu)所產(chǎn)生的高溫下過(guò)快變形。另外,在金屬層外鍍?cè)O(shè)陶瓷鈍化層,可避免金屬層出現(xiàn)氧化及腐蝕情況。
8、在一些實(shí)施例中,鍍膜設(shè)備還包括兩個(gè)收放卷機(jī)構(gòu),在基材的走帶路徑上,兩組鍍膜組位于兩個(gè)收放卷機(jī)構(gòu)之間。各收放卷機(jī)構(gòu)均被構(gòu)造為能夠在收卷狀態(tài)和放卷狀態(tài)之間切換,且當(dāng)其中之一收放卷機(jī)構(gòu)處于收卷狀態(tài)時(shí),另一收放卷機(jī)構(gòu)處于放卷狀態(tài)。通過(guò)改變收放卷機(jī)構(gòu)的工作狀態(tài)來(lái)實(shí)現(xiàn)基材的多層膜的鍍?cè)O(shè),相鄰兩層膜的鍍?cè)O(shè)間隔時(shí)間較長(zhǎng),如此可以給各膜層預(yù)留一定的沉積時(shí)間,待各膜層沉積好之后再沉積別的膜層,可減小其他膜層在鍍?cè)O(shè)時(shí)對(duì)前一膜層的影響,使得各膜層沉積更為均勻且更加致密,可以提高薄膜質(zhì)量。
9、在一些實(shí)施例中,冷卻輥被配置為能夠連通負(fù)偏壓。當(dāng)冷卻輥上加載有負(fù)偏壓,冷卻輥與基材接觸,使得基材帶負(fù)偏壓。當(dāng)基材帶負(fù)偏壓,可以提高膜層與基材的附著力及膜層致密性。
10、在一些實(shí)施例中,鍍膜設(shè)備還包括除靜電機(jī)構(gòu),在基材的走帶路徑上,各鍍膜組的下游均布置有除靜電機(jī)構(gòu),用于對(duì)對(duì)鍍膜后的所述第一面和鍍膜后的所述第二面除靜電。由于冷卻輥被加壓負(fù)偏壓,使得基材帶負(fù)電,當(dāng)鍍膜結(jié)束后,利用除靜電機(jī)構(gòu)對(duì)基材進(jìn)行除靜電,可防止相關(guān)人員接觸鍍膜后的基材而觸電。
11、在一些實(shí)施例中,各鍍膜機(jī)構(gòu)包括蒸鍍?cè)?,蒸鍍?cè)磁c冷卻輥相對(duì)且間隔設(shè)置。此時(shí),鍍膜機(jī)構(gòu)通過(guò)蒸鍍?cè)村兡?,蒸鍍?cè)吹哪映练e速度快,有利于提高鍍膜效率,同時(shí)其價(jià)格較低,可以降低鍍膜設(shè)備的使用成本。
12、在一些實(shí)施例中,至少一個(gè)鍍膜機(jī)構(gòu)還包括濺射源,鍍膜機(jī)構(gòu)被配置為可選擇地從蒸鍍?cè)春蜑R射源中擇一對(duì)基材鍍膜。濺射源所形成的膜層具有成膜質(zhì)量好,與基材結(jié)合牢固的優(yōu)點(diǎn)。實(shí)際應(yīng)用時(shí),可以靈活選擇使用蒸鍍?cè)椿驗(yàn)R射源,使得鍍膜設(shè)備可以適應(yīng)于各種鍍膜工藝。
13、在一些實(shí)施例中,鍍膜設(shè)備還包括離子清洗機(jī)構(gòu),在基材的走帶路徑上,各鍍膜組的上游均布置有離子清洗機(jī)構(gòu)。此時(shí),在各鍍膜組的上游布置有離子清洗機(jī)構(gòu),基材在鍍膜前其鍍膜面能夠被離子清洗機(jī)構(gòu)清洗和活化,可以提高鍍膜質(zhì)量。
14、在一些實(shí)施例中,鍍膜設(shè)備還包括測(cè)厚機(jī)構(gòu),在基材的走帶路徑上,兩組鍍膜組間隔布置,各鍍膜組的下游均布置有測(cè)厚機(jī)構(gòu)。此時(shí),在各鍍膜組的下游布置測(cè)厚機(jī)構(gòu),可以測(cè)量鍍膜后的基材的厚度,有助于實(shí)現(xiàn)對(duì)鍍膜過(guò)程的監(jiān)控,保證鍍膜質(zhì)量。
15、上述說(shuō)明僅是本申請(qǐng)技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本申請(qǐng)的技術(shù)手段,而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本申請(qǐng)的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂,以下特舉本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式。
1.一種鍍膜設(shè)備,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,各所述鍍膜組中,沿基材的走帶方向,各所述鍍膜機(jī)構(gòu)的布置順序按照所對(duì)應(yīng)的鍍膜次序布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,各所述鍍膜組均包括至少兩個(gè)所述鍍膜機(jī)構(gòu),沿所述鍍膜機(jī)構(gòu)的鍍膜次序,且至少兩個(gè)所述鍍膜機(jī)構(gòu)被配置為用于在所述基材上依次鍍?cè)O(shè)陶瓷打底層和金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,各所述鍍膜組均包括至少三個(gè)所述鍍膜機(jī)構(gòu),沿所述鍍膜機(jī)構(gòu)的鍍膜次序,至少三個(gè)所述鍍膜機(jī)構(gòu)被配置為用于在所述基材上依次鍍?cè)O(shè)陶瓷打底層、金屬層和陶瓷鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述鍍膜設(shè)備還包括兩個(gè)收放卷機(jī)構(gòu),在所述基材的走帶路徑上,所述兩組鍍膜組位于所述兩個(gè)收放卷機(jī)構(gòu)之間;
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述冷卻輥被配置為能夠連通負(fù)偏壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述鍍膜設(shè)備還包括除靜電機(jī)構(gòu),在所述基材的走帶路徑上,各所述鍍膜組的下游均布置有所述除靜電機(jī)構(gòu),用于對(duì)鍍膜后的所述基材的第一面和鍍膜后的所述基材的第二面除靜電。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,各所述鍍膜機(jī)構(gòu)包括蒸鍍?cè)?,所述蒸鍍?cè)磁c所述冷卻輥相對(duì)且間隔設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,至少一個(gè)所述鍍膜機(jī)構(gòu)還包括濺射源,所述鍍膜機(jī)構(gòu)被配置為可選擇地從所述蒸鍍?cè)磁c所述濺射源中擇一對(duì)所述基材鍍膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述鍍膜設(shè)備還包括離子清洗機(jī)構(gòu),在所述基材的走帶路徑上,各所述鍍膜組的上游均布置有所述離子清洗機(jī)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于,所述鍍膜設(shè)備還包括測(cè)厚機(jī)構(gòu),在所述基材的走帶路徑上,所述兩組鍍膜組間隔布置;