本發(fā)明涉及真空鍍膜，尤其涉及真空鍍膜設(shè)備及真空鍍膜方法。

背景技術(shù)：

1、在真空鍍膜過程中，當(dāng)需要對鍍膜原材料進(jìn)行補(bǔ)給時(shí)，一般需要對真空鍍膜室進(jìn)行破真空操作，從而影響鍍膜效率；另外，頻繁破真空還會(huì)增大外部大氣環(huán)境中的物質(zhì)進(jìn)入真空鍍膜室的風(fēng)險(xiǎn)，不利于提升成膜品質(zhì)和保持鍍膜重復(fù)性。與此同時(shí)，在向真空鍍膜室放入或取出鍍膜基板時(shí)，往往也需要對真空鍍膜室進(jìn)行破真空操作，嚴(yán)重影響了鍍膜效率和成膜質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供真空鍍膜設(shè)備及真空鍍膜方法，用以在鍍膜室環(huán)境不變的條件下，實(shí)現(xiàn)基板治具進(jìn)出片操作、基板治具搬運(yùn)操作、基板治具定位操作、供料裝置供料操作和蒸發(fā)源蒸發(fā)操作的集成化改進(jìn)，減少了破真空對鍍膜所造成的影響，提高了成膜效果和鍍膜效率。

2、為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

3、真空鍍膜設(shè)備，用于對基板治具上的基板進(jìn)行鍍膜，包括轉(zhuǎn)運(yùn)裝置、鍍膜室和加料室；所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置包括搬運(yùn)室以及與所述搬運(yùn)室選擇性連通的進(jìn)片室和出片室，所述進(jìn)片室和所述出片室均與外部環(huán)境選擇性連通，所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置設(shè)有基板治具輸送裝置，所述基板治具輸送裝置用于在所述進(jìn)片室、所述搬運(yùn)室和所述出片室之間傳送所述基板治具；所述鍍膜室內(nèi)安裝有定位裝置和蒸發(fā)源主體，所述定位裝置用于定位所述基板治具，所述蒸發(fā)源主體用于產(chǎn)生鍍膜材料微粒；所述鍍膜室選擇性連通所述搬運(yùn)室，所述搬運(yùn)室內(nèi)設(shè)有機(jī)械爪模塊，所述機(jī)械爪模塊用于在所述搬運(yùn)室與所述定位裝置之間取放所述基板治具；所述加料室選擇性連通所述鍍膜室，所述加料室內(nèi)安裝有用于向所述蒸發(fā)源主體供料的供料裝置。

4、作為真空鍍膜設(shè)備的優(yōu)選技術(shù)方案，所述定位裝置上分布有若干游星盤組件，每個(gè)所述游星盤組件均能定位一個(gè)所述基板治具，所述蒸發(fā)源主體與所述游星盤組件數(shù)量相同。

5、作為真空鍍膜設(shè)備的優(yōu)選技術(shù)方案，所述鍍膜室內(nèi)還設(shè)有若干輔助加熱單元，所述輔助加熱單元與所述游星盤組件數(shù)量相同，且每個(gè)所述輔助加熱單元均從下方照射一個(gè)所述游星盤組件。

6、作為真空鍍膜設(shè)備的優(yōu)選技術(shù)方案，所述加料室與外部環(huán)境選擇性連通，所述加料室的頂部設(shè)有選擇性開閉的補(bǔ)料口，所述加料室的上方安裝有補(bǔ)料組件，所述補(bǔ)料組件能從所述補(bǔ)料口向所述供料裝置供料；所述加料室上安裝有加料門，所述加料門選擇性開閉所述補(bǔ)料口。

7、作為真空鍍膜設(shè)備的優(yōu)選技術(shù)方案，所述補(bǔ)料組件能在開始補(bǔ)料位置與停止補(bǔ)料位置之間移動(dòng)；當(dāng)所述補(bǔ)料組件處于所述開始補(bǔ)料位置時(shí)，所述補(bǔ)料組件穿過所述補(bǔ)料口且部分伸入所述加料室內(nèi)，當(dāng)所述補(bǔ)料組件處于所述停止補(bǔ)料位置時(shí)，所述補(bǔ)料組件置于所述加料室外。

8、作為真空鍍膜設(shè)備的優(yōu)選技術(shù)方案，所述搬運(yùn)室通過基板治具避讓口與所述鍍膜室選擇性連通，所述機(jī)械爪模塊能帶動(dòng)所述基板治具穿過所述基板治具避讓口并進(jìn)入所述鍍膜室內(nèi)；所述搬運(yùn)室上安裝有轉(zhuǎn)運(yùn)門，所述轉(zhuǎn)運(yùn)門選擇性開閉所述基板治具避讓口。

9、作為真空鍍膜設(shè)備的優(yōu)選技術(shù)方案，所述進(jìn)片室通過第一轉(zhuǎn)運(yùn)口與所述搬運(yùn)室相連通，所述基板治具能從所述進(jìn)片室穿過所述第一轉(zhuǎn)運(yùn)口傳送至所述搬運(yùn)室內(nèi)，所述出片室通過第二轉(zhuǎn)運(yùn)口與所述搬運(yùn)室相連通，所述基板治具能從所述搬運(yùn)室穿過所述第二轉(zhuǎn)運(yùn)口傳送至所述出片室內(nèi)；所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置內(nèi)安裝有兩個(gè)剪刀門裝置，兩個(gè)所述剪刀門裝置之中，一個(gè)選擇性開閉所述第一轉(zhuǎn)運(yùn)口，另一個(gè)選擇性開閉所述第二轉(zhuǎn)運(yùn)口。

10、作為真空鍍膜設(shè)備的優(yōu)選技術(shù)方案，所述進(jìn)片室通過進(jìn)片口與外部環(huán)境相連通，所述基板治具能從所述進(jìn)片口進(jìn)入到所述進(jìn)片室內(nèi)，所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置上安裝有進(jìn)片門，所述進(jìn)片門選擇性開閉所述進(jìn)片口；所述出片室通過出片口與外部環(huán)境相連通，位于所述出片室內(nèi)的所述基板治具能從所述出片口取出，所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置上安裝有出片門，所述出片門選擇性開閉所述出片口。

11、作為真空鍍膜設(shè)備的優(yōu)選技術(shù)方案，所述加料室通過物料加料口與所述鍍膜室連通，所述供料裝置能從所述物料加料口向所述蒸發(fā)源主體加料；所述加料室上安裝有剪刀門裝置，所述剪刀門裝置選擇性開閉所述物料加料口。

12、真空鍍膜方法，應(yīng)用于權(quán)利要求上述的真空鍍膜設(shè)備，包括以下步驟：

13、s10：使所述加料室連通所述鍍膜室，利用所述供料裝置向所述蒸發(fā)源主體供料，然后隔斷所述加料室和所述鍍膜室；

14、s20：打開所述進(jìn)片室，將所述基板治具放置于所述進(jìn)片室內(nèi)，然后關(guān)閉所述進(jìn)片室；

15、s30：使所述進(jìn)片室連通所述搬運(yùn)室，利用所述基板治具輸送裝置將所述基板治具從所述進(jìn)片室傳送至所述搬運(yùn)室，然后隔斷所述進(jìn)片室和所述搬運(yùn)室；

16、s40：使所述搬運(yùn)室連通所述鍍膜室，利用所述機(jī)械爪模塊將所述基板治具從所述搬運(yùn)室搬運(yùn)至所述定位裝置上，然后隔斷所述搬運(yùn)室和所述鍍膜室；

17、s50：所述蒸發(fā)源主體進(jìn)行鍍膜；

18、s60：待到鍍膜完成后，使所述搬運(yùn)室連通所述鍍膜室，利用所述機(jī)械爪模塊將所述基板治具從所述定位裝置搬運(yùn)至所述搬運(yùn)室，然后隔斷所述搬運(yùn)室和所述鍍膜室；

19、s70：使所述出片室連通所述搬運(yùn)室，利用所述基板治具輸送裝置將所述基板治具從所述搬運(yùn)室傳送至所述出片室，然后隔斷所述出片室和所述搬運(yùn)室；

20、s80：打開所述出片室，將所述出片室內(nèi)的所述基板治具取出，然后關(guān)閉所述出片室。

21、本發(fā)明的有益效果：

22、該真空鍍膜設(shè)備通過對各個(gè)腔室之間選擇性連通關(guān)系的限定，有效地減少了進(jìn)片室、出片室和加料室與外部環(huán)境連通的時(shí)間，從而得以有效地控制破真空的情況，進(jìn)而有助于顯著地削減破真空對搬運(yùn)室和鍍膜室內(nèi)真空狀態(tài)所產(chǎn)生的影響，以上改進(jìn)簡單可控，有助于直觀地監(jiān)測鍍膜室內(nèi)的真空度，降低了對鍍膜室內(nèi)的真空度控制難度，減少了因意外而導(dǎo)致鍍膜室內(nèi)真空度異常波動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)?；逯尉咻斔脱b置的設(shè)置實(shí)現(xiàn)了基板治具在轉(zhuǎn)運(yùn)裝置內(nèi)的順利搬運(yùn)；機(jī)械爪模塊的設(shè)置實(shí)現(xiàn)了基板治具在搬運(yùn)室與鍍膜室之間的搬運(yùn)；供料裝置能夠?qū)φ舭l(fā)源主體及時(shí)地進(jìn)行物料的補(bǔ)充；定位裝置起到了定位基板治具的作用，蒸發(fā)源主體內(nèi)的物料的蒸發(fā)，得以產(chǎn)生鍍膜材料微粒，鍍膜材料微粒會(huì)在基板治具上的基板的表面沉積成膜，以達(dá)到真空鍍膜設(shè)備的鍍膜目的。

23、該真空鍍膜方法通過優(yōu)化各腔室開閉流程的方式，盡可能地減少了各腔室與外部環(huán)境連通的時(shí)間以及相鄰腔室之間的連通時(shí)間，并在此情況下進(jìn)行基板治具的進(jìn)出片操作、基板治具的搬運(yùn)操作、基板治具的定位操作、供料裝置的供料操作和蒸發(fā)源本體的蒸發(fā)操作，以上設(shè)計(jì)優(yōu)化了工作流程，簡化了工作的步驟，對基板治具上的基板的鍍膜操作進(jìn)行了集成化改進(jìn)，維持鍍膜室內(nèi)的高真空狀態(tài)，從而在保證基板治具上的基板的成膜效果和鍍膜效率的同時(shí)，減少了破真空對鍍膜操作所造成的不良影響。

技術(shù)特征：

1.真空鍍膜設(shè)備，用于對基板治具(900)上的基板進(jìn)行鍍膜，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述定位裝置(400)上分布有若干游星盤組件(410)，每個(gè)所述游星盤組件(410)均能定位一個(gè)所述基板治具(900)，所述蒸發(fā)源主體(700)與所述游星盤組件(410)數(shù)量相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜室(210)內(nèi)還設(shè)有若干輔助加熱單元(130)，所述輔助加熱單元(130)與所述游星盤組件(410)數(shù)量相同，且每個(gè)所述輔助加熱單元(130)均從下方照射一個(gè)所述游星盤組件(410)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述加料室(220)與外部環(huán)境選擇性連通，所述加料室(220)的頂部設(shè)有選擇性開閉的補(bǔ)料口，所述加料室(220)的上方安裝有補(bǔ)料組件，所述補(bǔ)料組件能從所述補(bǔ)料口向所述供料裝置(300)供料；所述加料室(220)上安裝有加料門(121)，所述加料門(121)選擇性開閉所述補(bǔ)料口。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述補(bǔ)料組件能在開始補(bǔ)料位置與停止補(bǔ)料位置之間移動(dòng)；當(dāng)所述補(bǔ)料組件處于所述開始補(bǔ)料位置時(shí)，所述補(bǔ)料組件穿過所述補(bǔ)料口且部分伸入所述加料室(220)內(nèi)，當(dāng)所述補(bǔ)料組件處于所述停止補(bǔ)料位置時(shí)，所述補(bǔ)料組件置于所述加料室(220)外。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述搬運(yùn)室(630)通過基板治具避讓口與所述鍍膜室(210)選擇性連通，所述機(jī)械爪模塊能帶動(dòng)所述基板治具(900)穿過所述基板治具避讓口并進(jìn)入所述鍍膜室(210)內(nèi)；所述搬運(yùn)室(630)上安裝有轉(zhuǎn)運(yùn)門(530)，所述轉(zhuǎn)運(yùn)門(530)選擇性開閉所述基板治具避讓口。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)片室(610)通過第一轉(zhuǎn)運(yùn)口與所述搬運(yùn)室(630)相連通，所述基板治具(900)能從所述進(jìn)片室(610)穿過所述第一轉(zhuǎn)運(yùn)口傳送至所述搬運(yùn)室(630)內(nèi)，所述出片室(620)通過第二轉(zhuǎn)運(yùn)口與所述搬運(yùn)室(630)相連通，所述基板治具(900)能從所述搬運(yùn)室(630)穿過所述第二轉(zhuǎn)運(yùn)口傳送至所述出片室(620)內(nèi)；所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(600)內(nèi)安裝有兩個(gè)剪刀門裝置(140)，兩個(gè)所述剪刀門裝置(140)之中，一個(gè)選擇性開閉所述第一轉(zhuǎn)運(yùn)口，另一個(gè)選擇性開閉所述第二轉(zhuǎn)運(yùn)口。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)片室(610)通過進(jìn)片口與外部環(huán)境相連通，所述基板治具(900)能從所述進(jìn)片口進(jìn)入到所述進(jìn)片室(610)內(nèi)，所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(600)上安裝有進(jìn)片門(510)，所述進(jìn)片門(510)選擇性開閉所述進(jìn)片口；所述出片室(620)通過出片口與外部環(huán)境相連通，位于所述出片室(620)內(nèi)的所述基板治具(900)能從所述出片口取出，所述轉(zhuǎn)運(yùn)裝置(600)上安裝有出片門(520)，所述出片門(520)選擇性開閉所述出片口。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述加料室(220)通過物料加料口(122)與所述鍍膜室(210)連通，所述供料裝置(300)能從所述物料加料口(122)向所述蒸發(fā)源主體(700)加料；所述加料室(220)上安裝有剪刀門裝置(140)，所述剪刀門裝置(140)選擇性開閉所述物料加料口(122)。

10.真空鍍膜方法，其特征在于，應(yīng)用于權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的真空鍍膜設(shè)備，包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了真空鍍膜設(shè)備及真空鍍膜方法。該設(shè)備包括轉(zhuǎn)運(yùn)裝置、鍍膜室和加料室；轉(zhuǎn)運(yùn)裝置包括搬運(yùn)室以及與搬運(yùn)室選擇性連通的進(jìn)片室和出片室，進(jìn)片室和出片室均與外部環(huán)境選擇性連通，轉(zhuǎn)運(yùn)裝置設(shè)有用于在進(jìn)片室、搬運(yùn)室和出片室之間傳送基板治具的基板治具輸送裝置；鍍膜室安裝有用于定位基板治具的定位裝置和用于產(chǎn)生鍍膜材料微粒的蒸發(fā)源主體；搬運(yùn)室內(nèi)設(shè)有用于將基板治具搬運(yùn)至定位裝置的機(jī)械爪模塊；加料室選擇性連通鍍膜室，加料室內(nèi)安裝有用于向蒸發(fā)源主體供料的供料裝置。該設(shè)備借助各腔室之間選擇性連通的設(shè)計(jì)，減少了破真空所造成的影響，保障了鍍膜室內(nèi)的鍍膜效果，提升了成膜的良品率。

技術(shù)研發(fā)人員：黃永長,朱振華,龍汝磊,吳萍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：光馳科技（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30