本技術涉及ald設備，特別涉及一種應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)。

背景技術：

1、ald設備即原子層沉積鍍膜設備，其可以在基材的表面鍍覆一層單層原子厚度的薄膜，鍍膜的精度十分的高，是十分先進的納米級表面處理技術，目前ald設備已經(jīng)廣泛的應用在光伏制造領域。為了實現(xiàn)光伏平價上網(wǎng)，提升太陽能電池效率和降低制造成本是行業(yè)不斷追求的目標。增加設備的單機產(chǎn)能可以有效降低單片太陽能電池片制造成本。為了提高設備產(chǎn)能，多反應腔室的ald設備成為一種趨勢。多反應腔室ald設備通常需要配套多套特氣系統(tǒng)，這會帶來設備自身成本的增加。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，以解決上述背景技術中提出的問題。

2、為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，包括：

3、主源瓶，所述主源瓶連接有用于通入前驅(qū)體化學品的進液管道、用于通入攜源氣體的第一進氣管道以及用于向各反應腔室出氣的第一出氣管道，所述主源瓶的外壁設置有加熱裝置；

4、多個緩存瓶，所述多個緩存瓶與多個反應腔室一一對應，所述緩存瓶設置有與所述第一出氣管道連通的第二進氣管道和與各反應腔室連通的第二出氣管道；

5、第三進氣管道，所述第三進氣管道用于補充攜源氣體，所述第三進氣管道通過多個旁通氣道與多個所述第二出氣管道分別連通。

6、優(yōu)選地，所述第一進氣管道上設置有第一進氣閥和第一減壓閥，所述第一出氣管道上設置有第一出氣閥，所述進液管道上設置有進液閥。

7、優(yōu)選地，所述第二進氣管道上設置有第二進氣閥，所述應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)還包括控制器，所述控制器被配置為：

8、在多個所述第二進氣閥全部處于關閉狀態(tài)的情況下，打開所述第一進氣閥。

9、優(yōu)選地，所述控制器還被配置為：

10、多個所述第二進氣閥在同一時間只打開其中一個。

11、優(yōu)選地，所述第二出氣管道上設置有第二出氣閥。

12、優(yōu)選地，所述第三進氣管道上設置有第二減壓閥。

13、優(yōu)選地，所述旁通氣道上設置有流量計和第三進氣閥。

14、與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是：

15、本實用新型的實施方式提供的應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)通過將一個主源瓶內(nèi)的攜源氣體和前驅(qū)體化學品蒸汽傳輸?shù)蕉鄠€緩存瓶中，再由緩存瓶通入各反應腔室，在緩存瓶之后可以補充攜源氣體，增加前驅(qū)體化學品蒸汽的輸送動力；本實用新型的實施方式提供的應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)可以有效降低設備成本，并保證不同反應腔室的工藝一致性。

技術特征：

1.一種應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，其特征在于，所述第一進氣管道上設置有第一進氣閥（4）和第一減壓閥（5），所述第一出氣管道上設置有第一出氣閥（6），所述進液管道上設置有進液閥（7）。

3.根據(jù)權利要求2所述的應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，其特征在于，所述第二進氣管道上設置有第二進氣閥（8），所述應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)還包括控制器，所述控制器被配置為：

4.根據(jù)權利要求3所述的應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，其特征在于，所述控制器還被配置為：

5.根據(jù)權利要求1所述的應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，其特征在于，所述第二出氣管道上設置有第二出氣閥（9）。

6.根據(jù)權利要求1所述的應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，其特征在于，所述第三進氣管道上設置有第二減壓閥（10）。

7.根據(jù)權利要求1所述的應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，其特征在于，所述旁通氣道上設置有流量計（11）和第三進氣閥（12）。

技術總結(jié)
本技術涉及ALD設備技術領域，具體為一種應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)，包括：主源瓶，所述主源瓶連接有用于通入前驅(qū)體化學品的進液管道、用于通入攜源氣體的第一進氣管道以及用于向各反應腔室出氣的第一出氣管道，所述主源瓶的外壁設置有加熱裝置；多個緩存瓶，所述多個緩存瓶與多個反應腔室一一對應，所述緩存瓶設置有與所述第一出氣管道連通的第二進氣管道和與各反應腔室連通的第二出氣管道；第三進氣管道，所述第三進氣管道用于補充攜源氣體，所述第三進氣管道通過多個旁通氣道與多個所述第二出氣管道分別連通。本技術的實施方式提供的應用于多反應腔室的特氣系統(tǒng)可以有效降低設備成本，并保證不同反應腔室的工藝一致性。

技術研發(fā)人員：孫勝華
受保護的技術使用者：艾華（無錫）半導體科技有限公司
技術研發(fā)日：20231221
技術公布日：2025/1/2