本公開涉及用于控制前體(例如，舉例來說但不限于蒸氣前體)輸送的系統(tǒng)及方法。優(yōu)先權本文主張申請日期為2022年3月21日的第63/322,195號美國臨時專利申請案的優(yōu)先權。所述優(yōu)先權文件以引用的方式并入本文中。

背景技術：

1、常規(guī)蒸氣輸送系統(tǒng)無法滿足半導體處理工具等的性能規(guī)范。

技術實現(xiàn)思路

1、一些實施例涉及一種用于控制前體輸送的方法。在一些實施例中，所述方法包括以下步驟中的至少一者：獲得在至少一個托盤上容納可蒸發(fā)前體的前體輸送容器；將足以蒸發(fā)所述可蒸發(fā)前體的一定量的熱能供應到所述至少一個托盤；將所述經(jīng)蒸發(fā)前體從所述前體輸送容器施配到氣體流動管線；及將供應到所述至少一個托盤的熱能的量調(diào)整為足以將所述氣體流動管線中的所述經(jīng)蒸發(fā)前體的壓力維持在某一壓力范圍內(nèi)。在一些實施例中，所述至少一個托盤包括具有大于15w?m-1k-1的熱導率的材料。

2、在一些實施例中，所述可蒸發(fā)前體包括金屬氧鹵化物、金屬鹵化物或其任何組合中的至少一者。

3、在一些實施例中，所述可蒸發(fā)前體包括moo2cl2、moocl4、wo2cl2、wocl4或其任何組合中的至少一者。

4、在一些實施例中，所述至少一個托盤包括陶瓷材料、聚合材料、金屬材料或其任何組合中的至少一者。

5、在一些實施例中，所述至少一個托盤包括具有25w?m-1k-1到470w?m-1k-1的熱導率的材料。

6、在一些實施例中，所述壓力范圍包括在100托到750托的范圍內(nèi)的壓力。

7、在一些實施例中，所述壓力范圍包括在±1托到±5托的范圍內(nèi)的壓力容限。

8、在一些實施例中，所述經(jīng)蒸發(fā)前體在100℃到250℃的范圍內(nèi)的溫度下產(chǎn)生。

9、在一些實施例中，所述氣體流動管線中的所述經(jīng)蒸發(fā)前體的流率在50sccm到600sccm的范圍內(nèi)。

10、在一些實施例中，當具有在所述壓力范圍內(nèi)的壓力時，所述經(jīng)蒸發(fā)前體展現(xiàn)對溫度變化的非線性響應。

11、一些實施例涉及一種用于控制前體輸送的系統(tǒng)。在一些實施例中，所述系統(tǒng)包括在至少一個托盤上容納可蒸發(fā)前體的前體輸送容器。在一些實施例中，所述至少一個托盤包括具有大于15w?m-1k-1的熱導率的材料。在一些實施例中，所述系統(tǒng)包括經(jīng)配置以將一定量的熱能供應到所述至少一個托盤以從所述可蒸發(fā)前體產(chǎn)生經(jīng)蒸發(fā)前體的加熱器。所述系統(tǒng)包括經(jīng)配置以將所述經(jīng)蒸發(fā)前體從所述前體輸送容器輸送至半導體處理工具的氣體流動管線。在一些實施例中，所述系統(tǒng)包括經(jīng)配置以將供應到所述至少一個托盤的熱能的量調(diào)整為足以將所述氣體流動管線中的經(jīng)蒸發(fā)前體的壓力維持在某一壓力范圍內(nèi)的控制裝置。

12、在一些實施例中，所述可蒸發(fā)前體包括金屬氧鹵化物、金屬鹵化物或其任何組合中的至少一者。

13、在一些實施例中，所述可蒸發(fā)前體包括moo2cl2、moocl4、wo2cl2、wocl4或其任何組合中的至少一者。

14、在一些實施例中，所述至少一個托盤包括陶瓷材料、聚合材料、金屬材料或其任何組合中的至少一者。

15、在一些實施例中，所述至少一個托盤包括具有25w?m-1k-1到470w?w?m-1k-1的熱導率的材料。

16、在一些實施例中，所述壓力范圍包括在100托到750托的范圍內(nèi)的壓力。

17、在一些實施例中，所述壓力范圍包括在±1托到±5托的范圍內(nèi)的壓力容限。

18、在一些實施例中，所述經(jīng)蒸發(fā)前體在100℃到250℃的范圍內(nèi)的溫度下產(chǎn)生。

19、在一些實施例中，所述氣體流動管線中的所述經(jīng)蒸發(fā)前體的流率在50sccm到600sccm的范圍內(nèi)。

20、在一些實施例中，當具有在所述壓力范圍內(nèi)的壓力時，所述經(jīng)蒸發(fā)前體展現(xiàn)對溫度變化的非線性響應。

技術特征：

1.一種方法，其包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述可蒸發(fā)前體包括金屬氧鹵化物、金屬鹵化物或其任何組合中的至少一者。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中所述可蒸發(fā)前體包括moo2cl2、moocl4、wo2cl2、wocl4或其任何組合中的至少一者。

4.根據(jù)權利要求1至3中任一權利要求所述的方法，其中所述至少一個托盤包括陶瓷材料、聚合材料、金屬材料或其任何組合中的至少一者。

5.根據(jù)權利要求1至4中任一權利要求所述的方法，其中所述至少一個托盤包括具有25w?m-1k-1到470w?m-1k-1的熱導率的材料。

6.根據(jù)權利要求1至5中任一權利要求所述的方法，其中所述壓力范圍包括在±100托到±750托的范圍內(nèi)的壓力。

7.根據(jù)權利要求1至6中任一權利要求所述的方法，其中所述壓力范圍包括在±1托到±5托的范圍內(nèi)的壓力容限。

8.根據(jù)權利要求1至7中任一權利要求所述的方法，其中所述經(jīng)蒸發(fā)前體在100℃到250℃的范圍內(nèi)的溫度下產(chǎn)生。

9.根據(jù)權利要求1至8中任一權利要求所述的方法，其中所述氣體流動管線中的所述經(jīng)蒸發(fā)前體的流率在50sccm到600sccm的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權利要求1至9中任一權利要求所述的方法，其中當具有在所述壓力范圍內(nèi)的壓力時，所述經(jīng)蒸發(fā)前體展現(xiàn)對溫度變化的非線性響應。

11.一種系統(tǒng)，其包括：

12.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述可蒸發(fā)前體包括金屬氧鹵化物、金屬鹵化物或其任何組合中的至少一者。

13.根據(jù)權利要求11或12所述的系統(tǒng)，其中所述可蒸發(fā)前體包括moo2cl2、moocl4、wo2cl2、wocl4或其任何組合中的至少一者。

14.根據(jù)權利要求11至13中任一權利要求所述的系統(tǒng)，其中所述至少一個托盤包括陶瓷材料、聚合材料、金屬材料或其任何組合中的至少一者。

15.根據(jù)權利要求11至14中任一權利要求所述的系統(tǒng)，其中所述至少一個托盤包括具有25w?m-1k-1到470w?m-1k-1的熱導率的材料。

16.根據(jù)權利要求11至15中任一權利要求所述的系統(tǒng)，所述壓力范圍包括在±100托到±750托的范圍內(nèi)的壓力。

17.根據(jù)權利要求11至16中任一權利要求所述的系統(tǒng)，其中所述壓力范圍包括在±1托到±5托的范圍內(nèi)的壓力容限。

18.根據(jù)權利要求11至17中任一權利要求所述的系統(tǒng)，其中所述經(jīng)蒸發(fā)前體在100℃到250℃的范圍內(nèi)的溫度下產(chǎn)生。

19.根據(jù)權利要求11至18中任一權利要求所述的系統(tǒng)，其中所述氣體流動管線中的所述經(jīng)蒸發(fā)前體的流率在50sccm到600sccm的范圍內(nèi)。

20.根據(jù)權利要求11至19中任一權利要求所述的系統(tǒng)，其中當具有在所述壓力范圍內(nèi)的壓力時，所述經(jīng)蒸發(fā)前體展現(xiàn)對溫度變化的非線性響應。

技術總結
用于控制前體輸送的系統(tǒng)及方法。所述系統(tǒng)及方法可包括與氣體流動管線流體連通的前體輸送容器。所述前體輸送容器可包括容納可蒸發(fā)前體的至少一個托盤。一定量的熱能可以足以蒸發(fā)所述可蒸發(fā)前體的量供應到所述至少一個托盤。所述經(jīng)蒸發(fā)前體可從所述前體輸送容器施配到所述氣體流動管線。供應到所述至少一個托盤的熱能可調(diào)整為足以將所述氣體流動管線中的所述經(jīng)蒸發(fā)前體的壓力維持在某一壓力范圍內(nèi)。

技術研發(fā)人員：M·沃森,C·卡爾霍恩,C·奧坎波,S·L·巴特爾,B·卡多佐,B·R·加勒特
受保護的技術使用者：恩特格里斯公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/2