1.一種襯底上的經(jīng)碳摻雜的硅氧化物膜的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含硅氣體源是具有下列化學(xué)式的化合物的氣體：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含硅氣體源包括硅烷、四甲基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷、六甲基二硅氧烷或其組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述含硅氣體源包括四甲基硅烷和硅烷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含碳?xì)怏w源包括二氧化碳、一氧化碳、甲烷、乙烷或其組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述含碳?xì)怏w源還包括氬、氦、氫、氧化亞氮、氮或其組合的載氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述經(jīng)碳摻雜的硅氧化物膜具有至少90gpa的模量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述經(jīng)碳摻雜的硅氧化物膜具有約5％(原子)以下的碳含量。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述沉積室中的壓強(qiáng)被維持在介于約1torr與約8torr之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述襯底溫度大于約400℃且小于約650℃。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述含碳?xì)怏w源比所述含硅氣體源的比率介于約150：1與約10：1之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述等離子體是原位產(chǎn)生或遠(yuǎn)程產(chǎn)生的。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述薄膜具有小于300埃的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述薄膜具有約4至約4.5的介電常數(shù)。
15.一種用于在襯底上形成經(jīng)碳摻雜的硅氧化物膜的裝置，所述裝置包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中，所述經(jīng)碳摻雜的硅氧化物膜具有小于300埃的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中，所述經(jīng)碳摻雜的硅氧化物膜具有約5％(原子)以下的碳含量。