本發(fā)明涉及包含稀土類氟化物及稀土類氟氧化物的成膜用材料及皮膜的制造方法。

背景技術(shù)：

1、對(duì)于y2o3等稀土類氧化物、yf3等稀土類氟化物及y5o4f7等稀土類氟氧化物，其作為耐蝕性高的陶瓷在半導(dǎo)體制造工藝中將其皮膜、燒結(jié)體用作保護(hù)材料。

2、尤其是包含稀土類氟氧化物的成膜用材料的皮膜、燒結(jié)體，已知其化學(xué)上等離子體耐蝕性高、能夠縮短半導(dǎo)體制造裝置的陳化時(shí)間。

3、作為包含稀土類氟氧化物和稀土類氟化物的成膜用材料，已知專利文獻(xiàn)1～3的成膜用材料。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1：美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2015/096462號(hào)說明書

7、專利文獻(xiàn)2：美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2016/326623號(hào)說明書

8、專利文獻(xiàn)3：美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2017/114440號(hào)說明書

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)中記載的成膜用材料的熔融程度的不均較大，根據(jù)成膜條件，有時(shí)熔融會(huì)局部不充分。因此，有時(shí)所得皮膜對(duì)等離子體蝕刻的耐蝕性不充分。

2、因此，本發(fā)明的課題在于提供能夠消除上述現(xiàn)有技術(shù)所具有的各種缺點(diǎn)的包含稀土類氟化物及稀土類氟氧化物的成膜用材料。

3、本發(fā)明人對(duì)于包含稀土類氟化物及稀土類氟氧化物的成膜用材料就有效提高對(duì)等離子體蝕刻的耐蝕性的構(gòu)成進(jìn)行了深入研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)：相對(duì)于稀土類氟氧化物的微晶尺寸，稀土類氟化物的微晶尺寸適宜為相同程度至稍大程度。

4、本發(fā)明是基于上述見解而完成的，其提供以下的〔1〕～〔11〕。

5、〔1〕一種成膜用材料，其中，在x射線衍射測(cè)定中觀察到稀土類氟化物(ref3)和稀土類氟氧化物(re-o-f)，并且ref3的微晶尺寸(sref3)相對(duì)于re-o-f的微晶尺寸(sre-o-f)之比(sref3/sre-o-f)為0.90以上且1.35以下。

6、〔2〕根據(jù)〔1〕所述的成膜用材料，其中，ref3和re-o-f各自的微晶尺寸為40nm以上且100nm以下。

7、〔3〕根據(jù)〔1〕或〔2〕所述的成膜用材料，其中，在掃描型電子顯微鏡(sem)中觀察到的一次粒子的平均粒徑為0.1μm以上且1.0μm以下。

8、〔4〕根據(jù)〔1〕～〔3〕中任一項(xiàng)所述的成膜用材料，其為顆粒形態(tài)。

9、〔5〕根據(jù)〔4〕所述的成膜用材料，其中，在sem中觀察到的顆粒內(nèi)部剖面中的空隙率為10％以上且35％以下。

10、〔6〕根據(jù)〔4〕或〔5〕所述的成膜用材料，其用sem壓痕儀測(cè)定得到的破碎壓力為25kpa以上且130kpa以下。

11、〔7〕根據(jù)〔4〕所述的成膜用材料，其中，顆粒的平均粒徑為10μm以上且60μm以下。

12、〔8〕根據(jù)〔1〕～〔7〕中任一項(xiàng)所述的成膜用材料，其是體積密度為1.3g/cm3以上的顆粒。

13、〔9〕根據(jù)〔1〕～〔8〕中任一項(xiàng)所述的成膜用材料，其氧含量為1質(zhì)量％以上且9質(zhì)量％以下。

14、〔10〕根據(jù)〔1〕～〔9〕中任一項(xiàng)所述的成膜用材料，其中，上述稀土類元素(re)為選自釔(y)、釓(gd)、鉺(er)及鐿(yb)中的至少1種。

15、〔11〕一種皮膜的制造方法，其利用噴鍍法或pvd法使〔1〕～〔10〕中任一項(xiàng)所述的成膜用材料成膜。

技術(shù)特征：

1.一種成膜用材料，其中，在x射線衍射測(cè)定中觀察到稀土類氟化物(ref3)和稀土類氟氧化物(re-o-f)，并且ref3的微晶尺寸(sref3)相對(duì)于re-o-f的微晶尺寸(sre-o-f)之比(sref3/sre-o-f)為0.90以上且1.35以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜用材料，其中，ref3和re-o-f各自的微晶尺寸為40nm以上且100nm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜用材料，其中，在掃描型電子顯微鏡(sem)中觀察到的一次粒子的平均粒徑為0.1μm以上且1.0μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜用材料，其為顆粒形態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜用材料，其中，在sem中觀察到的顆粒內(nèi)部剖面中的空隙率為10％以上且35％以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜用材料，其用sem壓痕儀測(cè)定得到的破碎壓力為25kpa以上且130kpa以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜用材料，其中，顆粒的平均粒徑為10μm以上且60μm以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜用材料，其是體積密度為1.3g/cm3以上的顆粒。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜用材料，其氧含量為1質(zhì)量％以上且9質(zhì)量％以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜用材料，其中，所述稀土類元素(re)為選自釔(y)、釓(gd)、鉺(er)及鐿(yb)中的至少1種。

11.一種皮膜的制造方法，其利用噴鍍法或pvd法使權(quán)利要求1或2所述的成膜用材料成膜。

技術(shù)總結(jié)
提供一種成膜用材料，其中，在X射線衍射測(cè)定中觀察到稀土類氟化物(REF<subgt;3</subgt;)和稀土類氟氧化物(RE?O?F)，并且REF<subgt;3</subgt;的微晶尺寸(S<subgt;REF3</subgt;)相對(duì)于RE?O?F的微晶尺寸(S<subgt;RE?O?F</subgt;)之比(S<subgt;REF3</subgt;/S<subgt;RE?O?F</subgt;)為0.90以上且1.35以下。REF<subgt;3</subgt;和RE?O?F各自的微晶尺寸優(yōu)選為40nm以上且100nm以下。在掃描型電子顯微鏡(SEM)中觀察到的一次粒子的平均粒徑優(yōu)選為0.1μm以上且1.0μm以下。

技術(shù)研發(fā)人員：松倉(cāng)賢人,田中雄太
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日本釔股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6