本發(fā)明涉及晶片研磨條件的確定方法、晶片的制造方法以及晶片單面研磨系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、在研磨晶片的表面的裝置中，具有研磨晶片的單面的單面研磨裝置以及研磨晶片的兩面的兩面研磨裝置。在單面研磨裝置中，通常，一邊將保持于研磨卡盤的晶片的研磨對(duì)象表面按壓于粘貼在平臺(tái)上的研磨墊、一邊分別使研磨卡盤和平臺(tái)旋轉(zhuǎn)，使晶片的研磨對(duì)象表面與研磨墊接觸。向這樣接觸的研磨對(duì)象表面與研磨墊之間供給研磨劑，能夠研磨晶片的研磨對(duì)象表面（例如參照日本特開2007-274012號(hào)公報(bào)（其全部記載作為特別公開在此加以引用））。

2、在使用單面研磨裝置的晶片研磨工序（以下也記載為“晶片單面研磨工序”）中，在晶片的研磨對(duì)象表面的面內(nèi)可能產(chǎn)生研磨量差。例如在日本特開2007-274012號(hào)公報(bào)中，為了抑制由于產(chǎn)生面內(nèi)研磨量差而發(fā)生的研磨后的晶片外周部翹曲，提出了在晶片與保持晶片的模板之間安裝環(huán)狀的間隔件（參照特開2007-274012號(hào)公報(bào)的權(quán)利要求1、段落0009等）。但是，由于需要調(diào)整間隔件的形狀、配置位置等，所以通過間隔件控制面內(nèi)研磨量差并不容易。此外，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定研磨條件能夠有助于控制晶片單面研磨中的面內(nèi)研磨量差，但是以往，為了發(fā)現(xiàn)這樣的研磨條件，不得不反復(fù)進(jìn)行大量嘗試。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的一個(gè)方式的目的在于能夠設(shè)定適當(dāng)?shù)难心l件而在晶片單面研磨工序中容易地控制面內(nèi)研磨量差。

2、本發(fā)明的一個(gè)方式如下所述。

3、[1]一種研磨條件的確定方法（以下也記載為“研磨條件確定方法”），通過研磨裝置研磨晶片單面，

4、上述研磨裝置至少包括平臺(tái)、配置在該平臺(tái)上的研磨墊、以及配置在該研磨墊的上方的研磨卡盤，

5、上述研磨條件的確定方法包括：

6、設(shè)定晶片研磨量面內(nèi)差的目標(biāo)范圍；

7、基于晶片研磨量面內(nèi)差與晶片研磨壓力面內(nèi)差的相關(guān)關(guān)系，確定預(yù)測(cè)為能夠?qū)崿F(xiàn)上述目標(biāo)范圍的晶片研磨量面內(nèi)差的晶片研磨壓力面內(nèi)差的預(yù)測(cè)范圍；以及

8、基于晶片研磨壓力面內(nèi)差與研磨卡盤的按壓面形狀值的相關(guān)關(guān)系，確定預(yù)測(cè)為能夠?qū)崿F(xiàn)上述預(yù)測(cè)范圍的晶片研磨壓力面內(nèi)差的研磨卡盤的按壓面形狀值范圍。

9、[2]根據(jù)[1]所述的研磨條件的確定方法，其中，晶片研磨量面內(nèi)差與晶片研磨壓力面內(nèi)差的上述相關(guān)關(guān)系是比例關(guān)系。

10、[3]根據(jù)[1]或[2]所述的研磨條件的確定方法，其中，上述研磨卡盤的按壓面形狀是中央部相對(duì)于上述研磨墊側(cè)比外周部凹陷的凹形狀，或者是中央部相對(duì)于上述研磨墊側(cè)比外周部突出的凸形狀，

11、上述確定的按壓面形狀值范圍是上述凹形狀的凹陷深度范圍或上述凸形狀的突出高度范圍。

12、[4]根據(jù)[3]所述的研磨條件的確定方法，其中，晶片研磨壓力面內(nèi)差與研磨卡盤的按壓面形狀值的上述相關(guān)關(guān)系是晶片研磨壓力面內(nèi)差與上述凹陷深度的線性關(guān)系或晶片研磨壓力面內(nèi)差與上述突出高度的線性關(guān)系。

13、[5]根據(jù)[3]或[4]所述的研磨條件的確定方法，其中，還包括將徑向的截面形狀近似為二次函數(shù)來確定上述研磨卡盤的按壓面形狀。

14、[6]根據(jù)[3]～[5]中任一項(xiàng)所述的研磨條件的確定方法，其中，還基于上述研磨墊的厚度以及硬度的一方或兩方來確定上述凹形狀的凹陷深度范圍或上述凸形狀的突出高度范圍。

15、[7]根據(jù)[6]所述的研磨條件的確定方法，其中，還包括：

16、確定在實(shí)際研磨中使用的研磨墊的厚度；以及

17、在上述確定的研磨墊的厚度比預(yù)先確定的基準(zhǔn)厚度薄的情況下，將上述凹形狀的凹陷深度范圍或上述凸形狀的突出高度范圍確定為更窄的范圍。

18、[8]根據(jù)[6]或[7]所述的研磨條件的確定方法，其中，還包括：

19、確定在實(shí)際研磨中使用的研磨墊的硬度；以及

20、在上述確定的研磨墊的硬度比預(yù)先確定的基準(zhǔn)硬度硬的情況下，將上述凹形狀的凹陷深度范圍或上述凸形狀的突出高度范圍確定為更窄的范圍。

21、[9]一種具有研磨面的晶片的制造方法，包括：

22、通過[1]～[8]中任一項(xiàng)所述的研磨條件的確定方法來確定研磨條件；以及

23、通過包括研磨卡盤的研磨裝置來研磨晶片單面，所述研磨卡盤具有所確定的按壓面形狀值范圍的形狀的按壓面。

24、[10]根據(jù)[9]所述的制造方法，其中，上述研磨卡盤具有凹陷深度為5μm以上且20μm以下的凹形狀的按壓面。

25、[11]根據(jù)[9]或[10]所述的制造方法，其中，上述研磨裝置包括厚度為0.864mm±20%且楊氏模量為0.27mpa±20%的研磨墊。

26、[12]根據(jù)[9]～[11]中任一項(xiàng)所述的制造方法，其中，上述晶片是半導(dǎo)體晶片。

27、[13]根據(jù)[12]所述的制造方法，其中，上述半導(dǎo)體晶片是硅晶片。

28、[14]一種晶片單面研磨系統(tǒng)，具有：

29、研磨裝置，至少包括平臺(tái)、配置在該平臺(tái)上的研磨墊、以及配置在該研磨墊的上方的研磨卡盤；以及

30、研磨條件確定部，通過[1]～[8]中任一項(xiàng)所述的研磨條件的確定方法來確定研磨條件。

31、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，能夠設(shè)定適當(dāng)?shù)难心l件而在晶片單面研磨工序中容易地控制面內(nèi)研磨量差。

技術(shù)特征：

1.一種研磨條件的確定方法，通過研磨裝置研磨晶片單面，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨條件的確定方法，其特征在于，晶片研磨量面內(nèi)差與晶片研磨壓力面內(nèi)差的所述相關(guān)關(guān)系是比例關(guān)系。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨條件的確定方法，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的研磨條件的確定方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的研磨條件的確定方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的研磨條件的確定方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的研磨條件的確定方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的研磨條件的確定方法，其特征在于，

9.一種具有研磨面的晶片的制造方法，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述研磨卡盤具有凹陷深度為5μm以上且20μm以下的凹形狀的按壓面。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述研磨裝置包括厚度為0.864mm±20%且楊氏模量為0.27mpa±20%的研磨墊。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述晶片是半導(dǎo)體晶片。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片是硅晶片。

14.一種晶片單面研磨系統(tǒng)，其特征在于，具有：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種通過研磨裝置研磨晶片單面的研磨條件的確定方法。上述研磨裝置至少包括平臺(tái)、配置在該平臺(tái)上的研磨墊、以及配置在該研磨墊的上方的研磨卡盤。上述研磨條件確定方法包括：設(shè)定晶片研磨量面內(nèi)差的目標(biāo)范圍；基于晶片研磨量面內(nèi)差與晶片研磨壓力面內(nèi)差的相關(guān)關(guān)系，確定預(yù)測(cè)為能夠?qū)崿F(xiàn)上述目標(biāo)范圍的晶片研磨量面內(nèi)差的晶片研磨壓力面內(nèi)差的預(yù)測(cè)范圍；以及基于晶片研磨壓力面內(nèi)差與研磨卡盤的按壓面形狀值的相關(guān)關(guān)系，確定預(yù)測(cè)為能夠?qū)崿F(xiàn)上述預(yù)測(cè)范圍的晶片研磨壓力面內(nèi)差的研磨卡盤的按壓面形狀值范圍。

技術(shù)研發(fā)人員：高橋武士,江頭悠司,中野裕生
受保護(hù)的技術(shù)使用者：勝高股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2