本發(fā)明涉及薄膜制備，具體而言，涉及一種復(fù)合膜的制備方法及復(fù)合膜。

背景技術(shù)：

1、集流體是電池的重要組成部分，它起到承載活性物質(zhì)、將電化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的電子匯集起來(lái)并傳導(dǎo)至外電路的作用。

2、目前，復(fù)合集流體受到新能源行業(yè)的廣泛關(guān)注和應(yīng)用。復(fù)合集流體通常包括高分子膜層以及沉積在高分子膜層表面上的金屬鍍層或者非金屬鍍層。與傳統(tǒng)的集流體相比，復(fù)合集流體具備成本低、質(zhì)量輕等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)使得復(fù)合集流體在電池中應(yīng)用時(shí)能夠降低電池的成本、并提升電池的能量密度及安全性。

3、然而，現(xiàn)有的復(fù)合集流體中，高分子膜層與表面鍍層之間的結(jié)合力較弱，極易導(dǎo)致復(fù)合集流體在使用過(guò)程中發(fā)生高分子膜層與表面鍍層的分離，影響復(fù)合集流體的正常使用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的在于提供一種復(fù)合膜的制備方法及復(fù)合膜，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的高分子膜層與表面鍍層之間的結(jié)合力較弱，容易導(dǎo)致復(fù)合集流體在使用過(guò)程中發(fā)生高分子膜層與表面鍍層分離的問(wèn)題。

2、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種復(fù)合膜的制備方法，包括：

3、步驟s1：獲取基底層，并對(duì)所述基底層的第一表面和第二表面進(jìn)行處理，以使所述第一表面和所述第二表面的粗糙度達(dá)到第一預(yù)定值r，并使所述第一表面和所述第二表面的達(dá)因值達(dá)到第二預(yù)定值d；

4、步驟s2：將所述基底層放置在真空鍍膜設(shè)備的鍍膜腔內(nèi)，并對(duì)所述真空鍍膜設(shè)備的鍍膜速率進(jìn)行控制，以在所述第一表面和所述第二表面制備得到面密度達(dá)到第三預(yù)定值∑的鍍層。

5、進(jìn)一步地，所述第一預(yù)定值r滿足關(guān)系式：0.07μm≤r≤0.3μm。

6、進(jìn)一步地，所述第二預(yù)定值d滿足關(guān)系式：d＞40mn/m。

7、進(jìn)一步地，所述第三預(yù)定值∑滿足關(guān)系式：1g/cm2≤∑≤20g/cm2。

8、進(jìn)一步地，所述步驟s1中具體包括如下步驟：

9、s1.1：采用化學(xué)蝕刻法或者激光蝕刻法對(duì)所述第一表面和所述第二表面進(jìn)行處理，以使所述第一表面和所述第二表面的粗糙度達(dá)到所述第一預(yù)定值r；

10、s1.2：采用電暈處理法或者等離子處理法對(duì)所述第一表面和所述第二表面進(jìn)行處理，使所述第一表面和所述第二表面的達(dá)因值達(dá)到所述第二預(yù)定值d。

11、進(jìn)一步地，在所述步驟s2中，開(kāi)啟所述真空鍍膜設(shè)備，并控制所述鍍膜速率為10m/min至100m/min，采用磁控濺射法在所述第一表面和所述第二表面制備得到所述鍍層；或者，

12、在所述步驟s2中，開(kāi)啟所述真空鍍膜設(shè)備，并控制所述鍍膜速率為70m/min至100m/min，采用貼輥鍍膜法在所述第一表面和所述第二表面制備得到所述鍍層；或者，

13、在所述步驟s2中，開(kāi)啟所述真空鍍膜設(shè)備，并控制所述鍍膜速率為100m/min至300m/min，采用懸浮鍍膜法在所述第一表面和所述第二表面制備得到所述鍍層。

14、進(jìn)一步地，所述基底層采用聚乙烯、聚丙烯、乙烯丙烯共聚物、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯、及聚對(duì)苯二甲酰對(duì)苯二胺，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚對(duì)苯二甲酰對(duì)苯二胺、聚丙乙烯、聚甲醛、環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、硅橡膠和聚碳酸酯中的一種或者多種制備而成。

15、進(jìn)一步地，所述鍍層采用銅、鋁、銅合金、鋁合金、鎳合金、鎳、鈦合金和鈦中的一種或者多種制備而成；或者，

16、所述鍍層采用氧化鋁和氮化硅中的一種或者多種制備而成。

17、另一方面，本發(fā)明還提供了一種復(fù)合膜，所述復(fù)合膜采用上述的復(fù)合膜的制備方法制備而成，所述復(fù)合膜包括所述基底層和設(shè)置于所述第一表面和所述第二表面的所述鍍層。

18、進(jìn)一步地，所述第一表面和所述第二表面的粗糙度r滿足關(guān)系式：0.07μm≤r≤0.3μm；和/或，

19、所述第一表面和所述第二表面的達(dá)因值d滿足關(guān)系式：d＞40mn/m；和/或，

20、所述鍍層的面密度∑滿足關(guān)系式：1g/cm2≤∑≤20g/cm2。

21、進(jìn)一步地，沿所述復(fù)合膜的厚度方向，所述基底層的厚度為3μm至8μm；和/或，

22、沿所述復(fù)合膜的厚度方向，所述鍍層的厚度為50nm至2000nm。

23、在本發(fā)明中，第一表面和第二表面的粗糙度和達(dá)因值的改變，能夠提高基底層對(duì)鍍層的吸附結(jié)合能力，而鍍層面密度的改變，能夠提高鍍層與基底層之間的緊密程度，從而增強(qiáng)基底層與鍍層之間的結(jié)合力。相較于在基底層上直接濺射或者鍍覆鍍層，本發(fā)明的復(fù)合膜的制備方法可提高鍍層和基底層間的結(jié)合力，提高鍍層與基底層的剝離難度，從而延長(zhǎng)了該復(fù)合膜的使用壽命。

技術(shù)特征：

1.一種復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述第一預(yù)定值r滿足關(guān)系式：0.07μm≤r≤0.3μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述第二預(yù)定值d滿足關(guān)系式：d＞40mn/m。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述第三預(yù)定值∑滿足關(guān)系式：1g/cm2≤∑≤20g/cm2。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述步驟s1中具體包括如下步驟：

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或5所述的復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，在所述步驟s2中，開(kāi)啟所述真空鍍膜設(shè)備，并控制所述鍍膜速率為10m/min至100m/min，采用磁控濺射法在所述第一表面(101)和所述第二表面(102)制備得到所述鍍層(20)；或者，

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或5所述的復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述基底層(10)采用聚乙烯、聚丙烯、乙烯丙烯共聚物、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯、及聚對(duì)苯二甲酰對(duì)苯二胺，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚對(duì)苯二甲酰對(duì)苯二胺、聚丙乙烯、聚甲醛、環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、硅橡膠和聚碳酸酯中的一種或者多種制備而成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，所述鍍層(20)采用銅、鋁、銅合金、鋁合金、鎳合金、鎳、鈦合金和鈦中的一種或者多種制備而成；或者，

9.一種復(fù)合膜，其特征在于，所述復(fù)合膜采用權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的復(fù)合膜的制備方法制備而成，所述復(fù)合膜包括所述基底層(10)和設(shè)置于所述第一表面(101)和所述第二表面(102)的所述鍍層(20)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)合膜，其特征在于，所述第一表面(101)和所述第二表面(102)的粗糙度r滿足關(guān)系式：0.07μm≤r≤0.3μm；和/或，

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)合膜，其特征在于，沿所述復(fù)合膜的厚度方向，所述基底層(10)的厚度為3μm至8μm；和/或，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合膜的制備方法及復(fù)合膜。該復(fù)合膜的制備方法包括步驟S1和步驟S2。其中，步驟S1：獲取基底層，并對(duì)基底層的第一表面和第二表面進(jìn)行處理，以使第一表面和第二表面的粗糙度達(dá)到第一預(yù)定值R，并使第一表面和第二表面的達(dá)因值達(dá)到第二預(yù)定值D；步驟S2：將基底層放置在真空鍍膜設(shè)備的鍍膜腔內(nèi)，并對(duì)真空鍍膜設(shè)備的鍍膜速率進(jìn)行控制，以在第一表面和第二表面制備得到面密度達(dá)到第三預(yù)定值∑的鍍層。本發(fā)明可以解決現(xiàn)有技術(shù)中的高分子膜層與表面鍍層之間的結(jié)合力較弱，容易導(dǎo)致復(fù)合集流體在使用過(guò)程中發(fā)生高分子膜層與表面鍍層分離的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：臧世偉,請(qǐng)求不公布姓名
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳金美新材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23