本發(fā)明涉及涉及化鍍鎳領(lǐng)域，具體為一種磷鎳鍍層的褪除方法。

背景技術(shù)：

1、化學(xué)沉鎳技術(shù)作為一種過(guò)渡表面處理及最終表面處理在封接電子行業(yè)有著廣發(fā)的應(yīng)用，該工藝具有綠色環(huán)保，鍍層耐腐蝕優(yōu)越及焊接性能優(yōu)越等特點(diǎn)，而化學(xué)鍍鎳鍍層的磷含量可以根據(jù)具體應(yīng)用需求進(jìn)行調(diào)整，一般分為低磷、中磷和高磷三類(lèi)，磷含量分別為1-4%、5-9%和10-14%。不同磷含量的鍍層在硬度、耐磨性和耐蝕性方面具有不同的特點(diǎn)，選擇合適的磷含量可以滿足不同的使用需求。

2、在封接電子產(chǎn)品的鍍鎳過(guò)程中，往往采用化學(xué)沉鎳技術(shù)對(duì)電子產(chǎn)品進(jìn)行鍍鎳，而鍍鎳后的電子產(chǎn)品的鎳層，往往為高磷鎳層，但是在封接電子產(chǎn)品的鍍鎳過(guò)程中外界的污染或者過(guò)程控制出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)會(huì)出現(xiàn)不良產(chǎn)品。

3、而化學(xué)沉鎳作為過(guò)渡及最終表面處理工藝，為了制造成本考慮，一般優(yōu)先考慮褪除表面處理的鍍層后進(jìn)行返工處理。而對(duì)于此的褪除工藝一般有以下幾點(diǎn)要求：（1）鍍層完全褪除，不留下殘余鍍層；（2）對(duì)底層金屬?zèng)]有攻擊腐蝕，或者有可接受的輕微腐蝕；（3）工藝穩(wěn)定且易于管控，符合環(huán)境保護(hù)政策。而這些要求隨著鍍層含磷量的提升而越來(lái)越難以實(shí)現(xiàn)。

4、而發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本方面實(shí)施例的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)背景技術(shù)中至少存在以下缺陷；

5、中國(guó)專(zhuān)利cn108754498a公開(kāi)了一種剝鎳劑及其制備方法，該工藝所用的強(qiáng)酸性混合酸溶液對(duì)底層金屬銅有一定的腐蝕性，并且該工藝中使用的二乙烯三胺會(huì)對(duì)操作者身體造成傷害。

6、中國(guó)專(zhuān)利cn102268674b公開(kāi)了一種剝鎳劑及其制備方法，該工藝所用的過(guò)硫酸銨助燃且會(huì)對(duì)操作者身體造成傷害。

7、因此申請(qǐng)人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中的剝鎳方法要么污染大容易對(duì)操作人和環(huán)境造成危害，且隨著鍍層含磷量的增高，不僅導(dǎo)致其除鎳難度增大導(dǎo)致其會(huì)出現(xiàn)除鎳時(shí)間長(zhǎng)，以及會(huì)因其會(huì)腐蝕基層金屬導(dǎo)致除鎳后的產(chǎn)品不符合重新利用的條件，導(dǎo)致良品率低，剝鎳成本高，延長(zhǎng)出貨時(shí)間等問(wèn)題。

8、因此為克服目前的市場(chǎng)上已有的剝鎳方法的缺陷，開(kāi)發(fā)一種對(duì)高磷鎳層褪除效果好，對(duì)底層金屬腐蝕性小，處理速度快且成本低廉的高磷鎳層褪除方法具有有非常重要的意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，發(fā)明人在研究發(fā)現(xiàn)，使用雙氧水2?-4%，硫酸濃度2.5-3‰，溶劑為水作為磷鎳鍍層褪除劑，在55度以上的溫度內(nèi)會(huì)對(duì)高磷鎳層的褪除效果會(huì)得到顯著提高，在其他條件相同的情況下，溫度在30度的情況下其10小時(shí)基本僅能除去1微米左右厚度的對(duì)高磷鎳層，而一般情況下要褪除高磷鎳層的厚度多為4-8微米，其除鎳速度則會(huì)高達(dá)40小時(shí)以上，其完全滿足不了正常生產(chǎn)的需要，但若是將其溫度提升至60度左右并使其雙氧水在其中的含量依舊保持在2.5-3%，然后發(fā)現(xiàn)其在1.5小時(shí)內(nèi)即可去除4-12微米的磷鎳鍍層，使其可以在基本無(wú)污染的條件下，達(dá)到很高的除鎳效率，使其可以完全滿足正常生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)，因此發(fā)明人的反復(fù)研究實(shí)踐，本發(fā)明通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)；

2、一種磷鎳鍍層的褪除方法，其褪除方法如下，

3、除鎳：將鍍有磷鎳鍍層的基材，浸泡在溫度為45-80℃，的磷鎳鍍層褪除劑中，所述磷鎳鍍層褪除劑各組分的含量如下；雙氧水2?-4%，硫酸濃度2.5-3‰，溶劑為水。

4、進(jìn)一步的，在除鎳步驟前，還需進(jìn)行制備步驟；所述制備步驟如下；預(yù)先準(zhǔn)備配置磷鎳鍍層褪除劑的硫酸、雙氧水和水，先將硫酸加入水中，然后在其水溫在60-80℃?的情況下加入剩余的雙氧水，使其配置成溫度在55-65℃，雙氧水2?-4%，硫酸濃度2.5-3‰，溶劑為水的磷鎳鍍層褪除劑，然后在溫度為55-65℃?磷鎳鍍層褪除劑，的情況下執(zhí)行除鎳步驟。

5、作為優(yōu)選，所述在除鎳步驟中磷鎳鍍層褪除劑的溫度為55-65℃。

6、作為優(yōu)選，所述磷鎳鍍層褪除劑中，雙氧水的比重為2.8-3%，硫酸的比重為2.5-3‰。

7、經(jīng)過(guò)發(fā)明人的實(shí)際測(cè)驗(yàn)鍍有磷鎳鍍層的基材，滿足下述條件時(shí)褪鎳效果更佳。

8、進(jìn)一步的，所述鍍有磷鎳鍍層的基材，其磷鎳鍍層的含磷量在8%以上。

9、作為優(yōu)選，所述基材的金屬活動(dòng)性低于鐵，比如4j29、4j42、4j50等合金或金屬。

10、作為優(yōu)選，所述鍍有磷鎳鍍層的基材，其磷鎳鍍層的含磷量在10%以上。

11、作為優(yōu)選，所述磷鎳鍍層為化學(xué)沉鎳工藝鎳鍍層。

12、而封接電子產(chǎn)品的鍍鎳中，其作為基材的電子產(chǎn)品以及鍍鎳層基本都會(huì)滿足這些條件，也就是說(shuō)使用本發(fā)明的方法完全可以解決，且因封接電子產(chǎn)品的鍍鎳過(guò)程中外界的污染或者過(guò)程控制出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)會(huì)出現(xiàn)不良產(chǎn)品后的褪鎳需求。

13、有益效果

14、通過(guò)本申請(qǐng)工藝可以將基材上的磷鎳鍍層快速且完全褪除，不留下殘余鍍層；

15、通過(guò)本申請(qǐng)工藝處理過(guò)的鍍鎳件，其幾乎不會(huì)對(duì)基材發(fā)生腐蝕，其處理過(guò)的基材完全可以達(dá)到二次使用的標(biāo)準(zhǔn)。

16、本申請(qǐng)所采用的工藝穩(wěn)定且易于管控，符合環(huán)境保護(hù)政策。

技術(shù)特征：

1.一種磷鎳鍍層的褪除方法，其特征在于；其褪除方法如下，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷鎳鍍層的褪除方法，其特征在于：其特征在于；在除鎳步驟前，還需進(jìn)行制備步驟；所述制備步驟如下；預(yù)先準(zhǔn)備配置磷鎳鍍層褪除劑的硫酸、雙氧水和水，先將硫酸加入水中，然后在其水溫在60-80℃的情況下加入剩余的雙氧水，使其配置成溫度在55-65℃，雙氧水2?-4%，硫酸濃度2.5-3‰，溶劑為水的磷鎳鍍層褪除劑，然后在溫度為55-65℃磷鎳鍍層褪除劑，的情況下執(zhí)行除鎳步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷鎳鍍層的褪除方法，其特征在于：其特征在于；所述在除鎳步驟中磷鎳鍍層褪除劑的溫度為55-65℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷鎳鍍層的褪除方法，其特征在于：其特征在于；所述磷鎳鍍層褪除劑中，雙氧水的比重為2.8-3%，硫酸的比重為2.5-3%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷鎳鍍層的褪除方法，其特征在于：其特征在于；所述鍍有磷鎳鍍層的基材，其磷鎳鍍層的含磷量在8%以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磷鎳鍍層的褪除方法，其特征在于：其特征在于；所述基材的金屬活動(dòng)性低于鐵。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種磷鎳鍍層的褪除方法，其特征在于：其特征在于；所述鍍有磷鎳鍍層的基材，其磷鎳鍍層的含磷量在8%以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種磷鎳鍍層的褪除方法，其特征在于：其特征在于；所述磷鎳鍍層為化學(xué)沉鎳工藝鎳鍍層。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種磷鎳鍍層的褪除方法，屬于化鍍鎳領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明通過(guò)設(shè)計(jì)出一種磷鎳鍍層的褪除方法，其褪除方法如下，通過(guò)將鍍有磷鎳鍍層的基材，浸泡在溫度為45?80℃，的磷鎳鍍層褪除劑中，所述磷鎳鍍層褪除劑各組分的含量如下；雙氧水2?4%，硫酸濃度2.5?3‰，溶劑為水，本申請(qǐng)所采用的工藝穩(wěn)定且易于管控，符合環(huán)境保護(hù)政策，并可以將基材上的磷鎳鍍層快速且完全褪除，不留下殘余鍍層，且通過(guò)本申請(qǐng)工藝處理過(guò)的鍍鎳件，其幾乎不會(huì)對(duì)基材發(fā)生腐蝕，其處理過(guò)的基材完全可以達(dá)到二次使用的標(biāo)準(zhǔn)。

技術(shù)研發(fā)人員：林凡曉,牛治群,汪岳屏,趙旌策
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日照旭日電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9